检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2004年第7期25卷 814-818页

作者：易万兵陈猛张恩霞刘相华陈静董业民金波刘忠立王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 香港中文大学电子工程系中国科学院半导体研究所北京10008

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧... 详细信息

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较。

关键词： SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100

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PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用

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稀有金属 2004年第4期28卷 690-694页

作者：王钧石柳襄怀王曦西南交通大学材料科学与工程学院四川成都610031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六... 详细信息

采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 +PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 +PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)

关键词：立方氮化硼(c-BN) 渗硼等离子体浸没式离子入注(PⅢ)

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掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究

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科技通讯（上海） 2004年第1期10卷 29-32页

作者：肖海波张峰张昌盛程新利王永进陈志君林志浪张福民邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透... 详细信息

通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。

关键词：离子束辅助沉积 Al2O3薄膜掺杂 PL谱光透射谱发光特性

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离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光

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功能材料与器件学报 2004年第2期10卷 151-154页

作者：张昌盛肖海波王永进陈志君程新利张峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶... 详细信息

利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。

关键词： Er 富硅氧化硅光致发光温度淬灭

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电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜

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科技通讯（上海） 2004年第1期10卷 24-28页

作者：金波李炜郑志宏王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(SiliconOnInsulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取... 详细信息

为了得到CeO2为埋层的新型SOI(SiliconOnInsulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。

关键词： CeO2薄膜电子束蒸发沉积退火晶体取向制备

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离子束增强沉积碳膜及其在抑制电子发射中的应用

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核技术 2004年第5期27卷 334-343页

作者：柳襄怀朱宏任琮欣郑志宏徐静芳陈树德中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室华东师范大学信息学院电子工程系上海200062 华东师范大学理工学院物理系上海200062 华东师范大学信息学院电子工程系华东师范大学理工学院物理系

栅电子发射是影响行波管工作性能和制约其使用寿命的主要因素。国内研制的导弹雷达制导用行波管因存在严重的栅电子发射现象,寿命只有70h,不能付诸军事应用。采用离子束增强沉积的方法在栅网表面沉积一层碳膜后,可有效地抑制栅电子发射... 详细信息

栅电子发射是影响行波管工作性能和制约其使用寿命的主要因素。国内研制的导弹雷达制导用行波管因存在严重的栅电子发射现象,寿命只有70h,不能付诸军事应用。采用离子束增强沉积的方法在栅网表面沉积一层碳膜后,可有效地抑制栅电子发射,使行波管寿命超过了1000h,在军事和航天领域获得了成功应用。报导了低能离子束增强沉积类金刚石薄膜和高能离子束增强沉积类石墨碳膜的制备技术、结构性能及其在抑制栅电子发射中的应用和机理研究的结果。

关键词：离子束增强沉积碳膜抑制电子发射

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高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 323-326页

作者：邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室中国科学院研究生院北京100039

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透... 详细信息

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。

关键词：碳化硅埋层离子束合成结构退火结晶性能

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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

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核技术 2003年第3期26卷 212-216页

作者：林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。

关键词：氮离子氧离子离子注入硅片 SOI绝缘埋层计算机模拟

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DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

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清华大学学报（自然科学版） 2003年第7期43卷 1005-1008页

作者：林羲董业民何平陈猛王曦田立林李志坚清华大学微电子学研究所北京100084 中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成... 详细信息

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势。DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件。

关键词： DSOI SOI 体硅MOSFET 特性测量绝缘体上硅绝缘体上漏源自热效应浮体效应场效应器件

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离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向

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中国有色金属学报 2003年第6期13卷 1414-1419页

作者：江炳尧任琮欣郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 中国科学院电子学研究所北京100080

采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 详细信息

采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。

关键词：铪薄膜晶粒择优取向离子束辅助沉积 IBAD

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