检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2002年第5期30卷 661-663页

作者：柳襄怀任琮欣江炳尧朱宏刘炎源刘静贤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 中国科学院电子学研究所北京100080

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果。

关键词：碳膜抑制栅电子发射钼栅极离子束辅助沉积行波管

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涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究

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发光学报 2002年第4期23卷 406-408页

作者：冯涛柳襄怀王曦李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。

关键词：涂布法制备场发射阴极碳纳米管 FEC

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低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究

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功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 99-102页

作者：陈静王湘董业民郑志宏陈猛王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,... 详细信息

采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析。结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关。

关键词：低剂量注水注入能量 SOI结构离子注入

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低剂量SOI圆片的无损电学表征测试

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功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 191-194页

作者：黎传礼俞跃辉陈猛中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量参数。传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片是有其局限性的,在本实验中直接利用SOI... 详细信息

通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量参数。传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片是有其局限性的,在本实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构,将SOI圆片的无损电学表征方法应用到实际的表征当中去。实验采用自行制备的低剂量超薄SIMOXSOI圆片,得到了比较可靠的实验结果。

关键词： SIMOXSOI 电学表征 SIS结构 MOS结构

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不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构

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功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 228-232页

作者：刘相华陈猛刘忠立王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 中国科学院半导体研究所北京100083

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和S... 详细信息

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5×106V/cm,与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。

关键词： SOI 离子注入硅结构

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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

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功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 293-296页

作者：冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 详细信息

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。

关键词：类金刚石薄膜阴极阵列场发射显示器

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三色碳纳米管场发射灯的研制

三色碳纳米管场发射灯的研制

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第二届全国纳米技术与应用学术会议

作者：冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海) 华东师范大学电子科学与技术系(上海)

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm... 详细信息

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm<'2>,发射点密度从~10<'3>/cm<'2>增加到~10<'5>/cm<'2>.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.

关键词：碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理阴极材料

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