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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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主题

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42 篇 传感器
42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
38 篇 储氢合金
38 篇 分子束外延
37 篇 正交频分复用
36 篇 石墨烯
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
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机构

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553 篇 中国科学院研究生...
370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
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140 篇 中国科学院上海微...
126 篇 上海交通大学
118 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
85 篇 中国电子技术标准...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

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600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
440 篇 谢晓明
416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
319 篇 刘波
285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
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204 篇 曹俊诚

语言

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智能反射面辅助的双功能骨干节点物联网资源分配方法

智能反射面辅助的双功能骨干节点物联网资源分配方法

引用

作者：张威潘坤贝琚诚周斌 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种智能反射面辅助的双功能骨干节点物联网资源分配方法，包括：构建资源分配的优化模型，其优化目标为最大化非法节点的波束增益，优化参数为成员节点的预编码矩阵、骨干节点的感知目标雷达波形的功率协方差矩阵和智能反射... 详细信息

标准号: CN118075775A

本发明涉及一种智能反射面辅助的双功能骨干节点物联网资源分配方法，包括：构建资源分配的优化模型，其优化目标为最大化非法节点的波束增益，优化参数为成员节点的预编码矩阵、骨干节点的感知目标雷达波形的功率协方差矩阵和智能反射面的相移矩阵，约束条件为各成员节点的信干噪比均大于等于预设信干噪比和各成员节点的功率与骨干节点的感知目标雷达波形的功率之和小于等于预设功率；对优化模型进行求解，得到当前时刻的最优的成员节点的预编码矩阵、骨干节点的感知目标雷达波形的功率协方差矩阵和智能反射面的相移矩阵。本发明的智能反射面辅助的双功能骨干节点物联网资源分配方法，可满足成员节点的QoS，同时保证非法节点可被正常感知。

关键词：成员节点骨干节点感知目标雷达波形资源分配智能矩阵协方差矩阵预编码矩阵非法节点信干噪比优化模型反射面辅助的双功能物联网相移反射波束增益优化参数优化目标预设功率约束条件最大化构建求解预设感知保证

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一种集成光子芯片及其制备方法

一种集成光子芯片及其制备方法

引用

作者：欧欣王成立蔡佳辰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种集成光子芯片及其制备方法。本申请实施例提供的集成光子芯片具有同一支撑衬底，还包括位于所述支撑衬底上的钽酸锂光子系统，所述钽酸锂光子系统包括光传输波导；位于所述钽酸锂光子系统上... 详细信息

标准号: CN118112716A

本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种集成光子芯片及其制备方法。本申请实施例提供的集成光子芯片具有同一支撑衬底，还包括位于所述支撑衬底上的钽酸锂光子系统，所述钽酸锂光子系统包括光传输波导；位于所述钽酸锂光子系统上的电互联系统，所述电互联系统包括行波电极、焊接电极和用于连接所述行波电极、所述焊接电极的引线。从而使得该集成光子芯片兼具成本低和优异的光学性能。

关键词：集成光子芯片光子系统钽酸锂焊接电极行波电极电互联衬底光电技术领域光传输波导光学性能支撑制备半导体申请

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一种基于运动特征弥补引导的多帧光流估计方法

一种基于运动特征弥补引导的多帧光流估计方法

引用

作者：李嘉茂陈勇虎朱冬晨石文君张广慧张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于运动特征弥补引导的多帧光流估计方法，包括以下步骤：提取至少连续两帧的输入图像的图像特征；基于相邻两帧的输入图像的图像特征，采用运动编码器得到初始运动特征；将初始运动特征和历史集成特征输入至MFC单元，所... 详细信息

标准号: CN116309698B

本发明涉及一种基于运动特征弥补引导的多帧光流估计方法，包括以下步骤：提取至少连续两帧的输入图像的图像特征；基于相邻两帧的输入图像的图像特征，采用运动编码器得到初始运动特征；将初始运动特征和历史集成特征输入至MFC单元，所述MFC单元通过交叉注意力得到增强运动特征，并与初始运动特征合并得到集成特征；将所述集成特征输入至迭代模块进行迭代计算，得到最终光流。本发明可以大大改进光流估计在遮挡区域的性能。

关键词：运动特征集成特征光流估计输入图像图像特征运动编码器迭代计算迭代模块连续两帧相邻两帧遮挡区域引导的多帧光流注意力合并改进

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一种双光梳信号锁定系统及方法

一种双光梳信号锁定系统及方法

引用

作者：黎华马旭红李子平曹俊诚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种双光梳信号锁定系统及方法。其中，系统包括用来生成第一、二光梳信号的两个光频梳，以及用来将上述光梳信号进行拍频获得双光梳信号的探测激光器；所述探测激光器还用来生成本征信号，并利用所述本征信号分别对两个光梳... 详细信息

标准号: CN118232165A

本发明涉及一种双光梳信号锁定系统及方法。其中，系统包括用来生成第一、二光梳信号的两个光频梳，以及用来将上述光梳信号进行拍频获得双光梳信号的探测激光器；所述探测激光器还用来生成本征信号，并利用所述本征信号分别对两个光梳信号进行下变频操作；经下变频操作后的光梳信号的相对载波频率分别被所述第一锁相模块和所述第二锁相模块锁定；所述系统还包括射频注入系统，用来对两个光频梳信号的重复频率分别进行锁定。本发明能够摆脱现有双光梳稳频系统对太赫兹高稳定本征信号、高速混频器、探测器的依赖，完全锁定两个光频梳的重复频率和相对载波频率，从而极大地提升双光梳信号的稳定性。

关键词：双光光频探测激光器下变频操作锁相模块载波频率重复频率锁定本征稳频系统信号锁定注入系统高稳定混频器探测器拍频射频

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一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法

一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法

引用

作者：刘正新孟凡英刘文柱张丽平赵文婕 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明属于太阳电池领域，涉及一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法，所述太阳电池以Ga掺杂p型单晶硅片作为衬底；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的前表面依次设置钝化层和电子收集层；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的背表... 详细信息

标准号: CN117525197B

本发明属于太阳电池领域，涉及一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法，所述太阳电池以Ga掺杂p型单晶硅片作为衬底；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的前表面依次设置钝化层和电子收集层；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的背表面依次设置钝化层和空穴收集层；在电子收集层和空穴收集层的外表面设置透明导电金属氧化物薄膜；在所述透明导电金属氧化物薄膜的外表面设置金属电极；在所述透明导电金属氧化物薄膜和所述金属电极上覆盖薄膜防护层。本发明具有较强的空间耐受性，包括抗紫外和原子氧，抗高能电子和质子辐照，高低温温度冲击等，能够为卫星、空间站、货运仓提供低成本太阳电池和光伏组件。

关键词：透明导电金属氧化物单晶硅片掺杂p型薄膜电子收集层空穴收集层依次设置低成本钝化层耐受性硅异质结太阳电池外表面设置金属环境耐受性覆盖薄膜高能电子光伏组件金属电极温度冲击质子辐照背表面防护层高低温空间用前表面原子氧电极衬底制备卫星

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一种前倾双狭缝天线及其制作方法

一种前倾双狭缝天线及其制作方法

引用

作者：周健黄冰孙芸佟瑞钱蓉孙晓玮 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种前倾双狭缝天线，其包括介质芯、套设于介质芯的外周的金属框架以及容置介质芯和金属框架的天线支架槽，所述介质芯包括介质层和覆盖于介质层的上表面的金属层，在金属薄层上开设有交替分布于介质芯的中轴线两侧的两排第... 详细信息

标准号: CN109659684B

本发明提供一种前倾双狭缝天线，其包括介质芯、套设于介质芯的外周的金属框架以及容置介质芯和金属框架的天线支架槽，所述介质芯包括介质层和覆盖于介质层的上表面的金属层，在金属薄层上开设有交替分布于介质芯的中轴线两侧的两排第一狭缝以及一位于介质芯的中轴线上且位于所述第一狭缝和所述介质芯的一端之间的第二狭缝。本发明还提供了其制作方法。本发明的前倾双狭缝天线在金属腔体上采用交替分布于中轴线两侧的两排狭缝以及一位于中轴线上的狭缝所形成的阵列，通过优化设计狭缝结构和分布，可调节主波束方向，调制天线发射波束增益、形状和方向，最终可以实现带有前倾功能的探测；同时，采用双排狭缝也简化了加工流程，降低制作成本。

关键词：狭缝介质芯中轴线前倾交替分布金属框架介质层两排天线波束增益加工流程金属薄层金属腔体天线发射天线支架狭缝结构优化设计金属层可调节上表面主波束容置双排外周制作调制探测覆盖

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一种三光梳信号生成装置及方法

一种三光梳信号生成装置及方法

引用

作者：黎华刘彬彬李子平周康马旭红 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种三光梳信号生成装置及方法。所述装置包括用来生成光梳信号的第一光频梳、第二光频梳和第三光频梳，所述第三光频梳还用来探测所述第一光频梳和所述第二光频梳生成的光梳信号，并将探测获得的光梳信号与自身生成的光梳信... 详细信息

标准号: CN117492307A

本发明涉及一种三光梳信号生成装置及方法。所述装置包括用来生成光梳信号的第一光频梳、第二光频梳和第三光频梳，所述第三光频梳还用来探测所述第一光频梳和所述第二光频梳生成的光梳信号，并将探测获得的光梳信号与自身生成的光梳信号两两拍频获得三个双光梳信号，所述双光梳信号的频率在所述第三光频梳的探测带宽之内，所述第三光频梳探测获得所述双光梳信号并将所述双光梳信号两两拍频获得三光梳信号。本发明能够生成稳定的三光梳信号，且生成的信号保留了双光梳的优点。

关键词：光频双光探测拍频信号生成装置信号保留带宽

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一种GaN衬底的制备方法

一种GaN衬底的制备方法

引用

作者：游天桂丁佳欣欧欣石航宁刘旭冬 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种GaN衬底的制备方法，使用本发明方法获得的低质量GaN上键合高质量GaN的衬底，既能保持GaN衬底的特性，又能有一层高质量的GaN层，高质量GaN层有助于后续的外延等工作。

标准号: CN117711925A

关键词：衬底键合制备

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一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法

一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法

引用

作者：王禹昊宋文雄宋三年宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法，所述OTS开关材料的化学通式为(SbxSe100‑x)100‑yMy，其中M为As、Si、Ge、Te、C、W、N、B、P、ln中的一种或多种；x、y满足10<x<50，0<y<90。本发明所提... 详细信息

标准号: CN117580442A

本发明涉及一种OTS开关材料、存储器件及其制备方法，所述OTS开关材料的化学通式为(Sb_xSe_100‑x)_100‑yM_y，其中M为As、Si、Ge、Te、C、W、N、B、P、ln中的一种或多种；x、y满足10<x<50，0<y<90。本发明所提供的OTS开关材料在外部电场作用下，当电压达到阈值电压时，材料能够实现高阻态到低阻态的瞬时转换；当撤掉外部电场时，又能够立刻由低阻态转变为高阻态，同时本发明所提供的OTS开关材料在改变外部电场极性时，阈值电压大小会有稳定变化。基于所述OTS开关材料制备的存储单元具有高开关速度、大开启电流、高开关比、低泄漏电流等优点，可用于高密度与三维海量存储器的制造。

关键词：开关材料外部电场阈值电压低阻态高阻态制备低泄漏电流海量存储器存储单元存储器件化学通式开启电流开关比可用三维转换制造

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一种OTS选通器件仿真模型

一种OTS选通器件仿真模型

引用

作者：张光明雷宇陈后鹏宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值... 详细信息

标准号: CN113515914B

本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。

关键词：选通器件两端电压状态模块电压模块仿真模拟仿真模型阻值计算电路传输

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