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检索条件"机构=上海微系统和信息技术研究所"
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一种声波谐振器及其制备方法
一种声波谐振器及其制备方法
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作者: 欧欣 张丽萍 张师斌 郑鹏程 周鸿燕 200050 上海市长宁区长宁路865号
本申请涉及微电子器件技术领域,特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法,方法包括:提供单晶压电层;对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层;在缓冲层的目标注入区域注入离子,以自单晶压电层的上表面至单晶压电... 详细信息
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一种波导天线阵及通信模块
一种波导天线阵及通信模块
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作者: 孙芸 杨明辉 孙晓玮 钱蓉 朱晖 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种波导天线阵及通信模块,承载体上的波导辐射腔体平行H面对称两侧均设置波束调节结构,波束调节结构与波导辐射腔体之间存在最小距离;馈电电路板位于承载体的固定隙结构内,承载体有从波导辐射腔体底部贯穿至固定隙结构... 详细信息
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一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法
一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法
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作者: 武爱民 李昂 仇超 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明涉及一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法,其中,可重构片上任意波形生成器包括:n个延时单元和波形合成器;述n个延时单元依次连接;述延时单元包括光开关、延时结构和可调光衰减器;述光开关与述延时结构依次连... 详细信息
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一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法
一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法
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作者: 吴杨 吴亮 李根 马灵美 林昊锋 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法,该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试,考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应,最终与红外热成像结果进行... 详细信息
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二维阻性阵列读出方法、读出电路及传感器
二维阻性阵列读出方法、读出电路及传感器
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作者: 张洹千 李凌云 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种二维阻性阵列读出方法、读出电路及传感器,包括:基于输出电压的范围设定多个档位,并设定待测阻性单元在各档位的阻值变化范围;通过各档位的输出电压范围以及对应的待测阻性单元的阻值范围计算得到各档位对应的偏移值... 详细信息
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一种声学谐振器及其制备方法和应用
一种声学谐振器及其制备方法和应用
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作者: 欧欣 田雪娣 张师斌 郑鹏程 姚虎林 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用,述声学谐振器的结构包括:提供一支撑衬底(1);位于述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2);位于述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3);位于述压电薄膜(3)上方的金属电极;述金属电极... 详细信息
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一种异质薄膜结构及其制备方法
一种异质薄膜结构及其制备方法
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作者: 欧欣 孙嘉良 林家杰 游天桂 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明公开了一种异质薄膜结构及其制备方法,述方法包括:提供一III‑V族化合物衬底,于III‑V族化合物衬底的注入面沉积保护层;于III‑V族化合物衬底的背面沉积辅助剥离层,背面与注入面相对,辅助剥离层的热膨胀系数小于III‑V族化合... 详细信息
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一种超导电路基板结构及其制备方法
一种超导电路基板结构及其制备方法
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作者: 徐高卫 樊涛 黄阳 肖克来提 谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法,包括以下步骤:提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板,形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔,自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔;... 详细信息
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一种互补型场效应晶体管器件及其制备方法
一种互补型场效应晶体管器件及其制备方法
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作者: 母志强 陈锦 俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明涉及一种互补型场效应晶体管(CFET)器件及其制备方法,其特点在于在同一器件沟道阵列中同时制备全包围栅结构n、p型晶体管,并通过对不同沟道区域设置不同材料、厚度的功函数层,分别调控CFET器件n、p型晶体管的阈值电压,且其制... 详细信息
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全张量磁梯度探头及磁场检测系统
全张量磁梯度探头及磁场检测系统
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作者: 伍俊 李宝清 荣亮亮 张国峰 谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号
本发明提供一种全张量磁梯度探头及磁场检测系统,包括:安装支架,由上端面、下端面及六个安装平面构成;六个安装平面设置于上端面与下端面之间,且围绕探头中心轴线依次排布;第一、第三、第五安装平面构成一组,第二、第四、第六安... 详细信息
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