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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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主题

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42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
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35 篇 无线传感网
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机构

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370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
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140 篇 中国科学院上海微...
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118 篇 中国科学院上海微...
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101 篇 中国科学院上海微...
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93 篇 上海新安纳电子科...
85 篇 中国电子技术标准...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

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600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
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416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
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285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

语言

13,239 篇 中文
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具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法

具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法

引用

作者：俞文杰刘强 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基... 详细信息

标准号: CN111952238B

本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基底键合，得到具有空腔结构的SOI衬底。本发明利用侧墙掩模制备出含有内嵌纳米级空腔的SOI衬底，利用凸出的侧墙结构作为掩膜刻蚀形成凹槽结构，得到空腔结构，进一步，可以在顶层硅中制备得到纳米级空腔，从而可以防止在制备含有微米级、亚微米级空腔的SOI衬底时，由于空腔特征尺寸较大，顶层硅承受的应力容易超出极限，发生破损。

关键词：制备空腔结构衬底空腔侧墙结构基底顶层硅纳米级牺牲层刻蚀凹槽结构基底键合亚微米级凸出的微米级侧墙内嵌掩模掩膜破损

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一种图像传感器和加速度计的同步标定装置及方法

一种图像传感器和加速度计的同步标定装置及方法

引用

作者：付凤杰吴丽朱冬晨李嘉茂张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种图像传感器和加速度计的同步标定装置及方法，装置包括：托架，用于放置加速度计和图像传感器；复合弹簧机构，一端与托架刚性相连，另一端与基座上的固定端相连，与托架配合形成弹簧振子；平面刻度，水平放置使得图像传... 详细信息

标准号: CN113624228B

本发明涉及一种图像传感器和加速度计的同步标定装置及方法，装置包括：托架，用于放置加速度计和图像传感器；复合弹簧机构，一端与托架刚性相连，另一端与基座上的固定端相连，与托架配合形成弹簧振子；平面刻度，水平放置使得图像传感器在运动过程中能够获取平面刻度的图像；数据采集模块，用于记录加速度计的基准时间和图像传感器的图像时间戳，同时获取托架重心的位移数据和加速度数据，并建立位移数据与图像时间戳的对应关系以及加速度数据与加速度计基准时间的对应关系；计算模块，用于拟合位移函数和加速度函数，并基于拟合函数及相位差关系建立图像传感器与加速度计之间的时间关系。本发明能够为加速度计提供精准的时间戳信息。

关键词：加速度计图像传感器托架加速度数据位移数据时间戳图像数据采集模块同步标定装置加速度函数时间戳信息相位差关系弹簧振子复合弹簧刚性相连计算模块拟合函数时间关系位移函数运动过程固定端拟合重心记录配合

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一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法

一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法

引用

作者：徐慧慧曲志毅王江王筱翔赵雪 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法，包括以下步骤：定义SIC可行区域上限距离和SIC不可行区域下限距离，将区域划分为SIC可行区域和SIC不可行区域；选择SIC可行区域内且距离接收节点最近的链路作为SIC并发链路... 详细信息

标准号: CN114727372B

本发明涉及一种基于分布式链路调度和功率控制的节能SIC方法，包括以下步骤：定义SIC可行区域上限距离和SIC不可行区域下限距离，将区域划分为SIC可行区域和SIC不可行区域；选择SIC可行区域内且距离接收节点最近的链路作为SIC并发链路；对所述SIC并发链路进行功率控制，将所述功率控制定义为一个以最小化总传输功率为目标的线性规划问题；通过分布式访问控制方法协调调度每个时隙的SIC并发链路对。本发明能够在保证并发传输吞吐量的同时降低网络的能量损耗以及计算复杂度。

关键词：可行区域并发链路功率控制分布式访问控制线性规划问题计算复杂度总传输功率并发传输接收节点链路调度能量损耗上限距离下限距离协调调度最小化链路吞吐量节能网络保证

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一种数字集成电路的有限状态机提取方法和装置

一种数字集成电路的有限状态机提取方法和装置

引用

作者：任洁杨树澄高小平 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种数字集成电路的有限状态机提取方法和装置，方法至少包括对数字集成电路的硬件描述语言进行编译得到语法树；对所述语法树进行分析提取数字集成电路的数据流图；对所述数据流图进行处理得到与当前状态对应的状态转移表；... 详细信息

标准号: CN117473914A

本发明提供一种数字集成电路的有限状态机提取方法和装置，方法至少包括对数字集成电路的硬件描述语言进行编译得到语法树；对所述语法树进行分析提取数字集成电路的数据流图；对所述数据流图进行处理得到与当前状态对应的状态转移表；对所述与当前状态对应的状态转移表进行处理得到有限状态机的输出映射表。相较于现有技术，本发明有限状态机的使用场景应用更广泛。

关键词：数字集成电路状态机状态转移表数据流图语法树硬件描述语言方法和装置使用场景输出映射编译应用分析

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小型超导电磁测量装置、磁场补偿方法及磁场探测系统

小型超导电磁测量装置、磁场补偿方法及磁场探测系统

引用

作者：裴易峰荣亮亮邱隆清伍俊张国峰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种小型超导电磁测量装置、磁场补偿方法及磁场探测系统，包括：发射线圈、补偿线圈、尖峰补偿线圈以及超导传感器；发射线圈用于提供一次场信号并激励被测物提供二次场信号；补偿线圈与发射线圈的绕向相反，用于抵消一次场... 详细信息

标准号: CN117452299A

本发明提供一种小型超导电磁测量装置、磁场补偿方法及磁场探测系统，包括：发射线圈、补偿线圈、尖峰补偿线圈以及超导传感器；发射线圈用于提供一次场信号并激励被测物提供二次场信号；补偿线圈与发射线圈的绕向相反，用于抵消一次场信号；尖峰补偿线圈用于抵消所述发射线圈关断时刻的残余磁场信号；超导传感器用于采集发射线圈关断时刻且经补偿线圈补偿后的磁场信号并作为残余磁场信号输出至尖峰补偿线圈，以及，接收基于经尖峰补偿线圈补偿后的二次场信号。本发明用以解决发射线圈关断时刻产生的尖峰磁场脉冲信号无法通过补偿线圈完全抵消，导致超导传感器接收的磁场信号超过量程、失锁的问题。

关键词：补偿线圈发射线圈尖峰超导传感器关断时刻抵消残余磁场磁场信号二次场次场磁场脉冲信号测量装置超导电磁磁场补偿磁场探测绕向相反信号输出被测物量程失锁采集

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MEMS陀螺正交误差校正系统

MEMS陀螺正交误差校正系统

引用

作者：陈方李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种MEMS陀螺正交误差校正系统，包括：MEMS陀螺敏感模态电极，用于生成位移信号；预处理组件，与所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于将所述位移信号转换为数字电压信号；数字解调组件，与所述多位量化器和所述MEMS陀螺敏感... 详细信息

标准号: CN114152266B

本发明提供一种MEMS陀螺正交误差校正系统，包括：MEMS陀螺敏感模态电极，用于生成位移信号；预处理组件，与所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于将所述位移信号转换为数字电压信号；数字解调组件，与所述多位量化器和所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于根据所述数字电压信号生成同相1比特脉宽密度调制信号和正交相1比特脉宽密度调制信号，并反馈至所述MEMS陀螺敏感模态电极。本发明的MEMS陀螺正交误差校正系统能够在不增加特定校正电极的前提下，解决现有技术中对MEMS陀螺正交误差抑制能力和校正实时性不强的问题，有效提高了MEMS陀螺的精度。

关键词：陀螺敏感模态电极正交误差数字电压信号密度调制位移信号校正系统脉宽多位量化器预处理组件数字解调校正电极实时性正交相校正反馈转换

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一种PDMS微流控芯片宏微结构一次成型的铸造方法

一种PDMS微流控芯片宏微结构一次成型的铸造方法

引用

作者：徐铁刚李昕欣吴蕾高式沅 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种PDMS微流控芯片宏微结构一次成型的铸造方法，包括如下步骤：在所述弹性腔(1)中倒入PDMS预聚物后，盖上所述刚性板(2)，所述弹性腔(1)上的限位框(12)引导弹性锥(11)对准刚性通孔(21)，在压力和弹性体形变的引导下，弹性锥... 详细信息

标准号: CN117984490A

本发明涉及一种PDMS微流控芯片宏微结构一次成型的铸造方法，包括如下步骤：在所述弹性腔(1)中倒入PDMS预聚物后，盖上所述刚性板(2)，所述弹性腔(1)上的限位框(12)引导弹性锥(11)对准刚性通孔(21)，在压力和弹性体形变的引导下，弹性锥(11)进入刚性通孔(21)并产生形变填满刚性通孔(21)，从而隔离弹性腔(1)内外的PDMS预聚物，留在弹性腔(1)内的PDMS预聚物固化形成所需PDMS微流控芯片。本发明能够快速制造包含微观结构和宏观结构的PDMS芯片，精确控制芯片的平面形状以及厚度，并且能够一次成型制造高精度、高密度通孔结构，有望用于制造各种微流控芯片。

关键词：微流控芯片弹性腔通孔一次成型弹性体形变隔离弹性宏观结构控制芯片快速制造平面形状通孔结构微观结构形变刚性板微结构限位框填满固化制造对准铸造

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可降低对准难度的SOI器件及其制备方法

可降低对准难度的SOI器件及其制备方法

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种可降低对准难度的SOI器件及其制备方法，制备方法包括：制备SOI复合衬底，其自下而上包括底半导体层、绝缘层以及顶半导体层，绝缘层中形成有多个间隔分布的空腔，顶半导体层覆盖所述空腔，绝缘层上和/或底半导体层中形... 详细信息

标准号: CN111952185B

本发明提供一种可降低对准难度的SOI器件及其制备方法，制备方法包括：制备SOI复合衬底，其自下而上包括底半导体层、绝缘层以及顶半导体层，绝缘层中形成有多个间隔分布的空腔，顶半导体层覆盖所述空腔，绝缘层上和/或底半导体层中形成有对准标记；刻蚀顶半导体层以定义出有源区的制备区域；形成栅介质材料层及栅极材料层并进行刻蚀以形成栅极结构；对有源区进行离子注入，以形成源极区及漏极区；以及于源极区及所述漏极区分别制备形成源极电极及漏极电极；空腔与栅极结构的交叠区域大于顶半导体层厚度的1/2。本发明在SOI复合衬底的制备过程中制备对准标记，且通过预设多空腔结构，可显著降低栅极对准难度，有助于提高器件、电路的流片良率。

关键词：制备顶半导体层绝缘层空腔底半导体层栅极结构漏极区源极区衬底刻蚀源区对准复合制备对准标记多空腔结构栅极材料层栅介质材料对准标记间隔分布交叠区域漏极电极源极电极制备过程良率流片预设离子电路覆盖

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高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法

高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法

引用

作者：肖克来提 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属... 详细信息

标准号: CN117613016A

本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有更佳的保护强度；将系统集成芯片的嵌入和芯片的散热腔一次性加工成型，降低封装复杂性及成本；还可根据不同芯片的不同散热需求进行散热腔的不同设计，实现散热性能差异化的集成散热整体封装，达到针对性散热，利于提高散热效率的同时减小封装体积；散热腔的进出液开口设置在封装体侧壁，进一步降低封装结构的厚度；以晶圆级形式进行整体封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。

关键词：散热腔散热芯片封装系统集成芯片封装结构整体封装嵌入一次性加工成型芯片封装结构封装体侧壁晶圆级封装芯片封装体封装效率金属基板开口设置冷却结构散热效率散热性能散热需求芯片散热芯片实现差异化封装体高散热晶圆级减小金属

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一种分子束外延中标定衬底温度的方法

一种分子束外延中标定衬底温度的方法

引用

作者：王坤龚谦刘若涛吴健初张韵雯 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种分子束外延中标定衬底温度的方法，本发明可以精确掌控分子束外延中的衬底温度，在样品架热偶失效的情况下也可以对衬底实际温度进行测量，对于分子束外延尤其是生长温度区间较窄的材料具有重要的实际应用价值。

标准号: CN117587503A

关键词：分子束外延衬底温度区间样品架标定热偶测量生长应用

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