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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7,582 篇 专利
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- 25 篇 应用经济学
16 篇 教育学
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主题

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71 篇 微机电系统
70 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
50 篇 微流控芯片
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42 篇 传感器
42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
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38 篇 分子束外延
37 篇 正交频分复用
36 篇 石墨烯
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
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机构

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553 篇 中国科学院研究生...
370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
242 篇 上海无线通信研究...
174 篇 上海微小卫星工程...
147 篇 上海大学
140 篇 中国科学院上海微...
126 篇 上海交通大学
118 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
85 篇 中国电子技术标准...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

1,138 篇 宋志棠
600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
440 篇 谢晓明
416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
319 篇 刘波
285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

语言

13,239 篇 中文
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一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法

一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法

引用

作者：宋尧哲刘建坡王超懿童官军 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法，包括：基于大卷积核构建骨干网络部分，并使用第一图像训练集对所述骨干网络部分进行第一次训练，得到训练好的骨干网络部分；在训练好的骨干网络部分中加入GDCFPN模块，并使用第二... 详细信息

标准号: CN117726860A

本发明涉及一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法，包括：基于大卷积核构建骨干网络部分，并使用第一图像训练集对所述骨干网络部分进行第一次训练，得到训练好的骨干网络部分；在训练好的骨干网络部分中加入GDCFPN模块，并使用第二图像训练集对加入GDCFPN模块的骨干网络部分进行第二次训练，得到分类模型；将待分类的图片和目标图片输入所述分类模型中，将所述分类模型倒数第二层的输出特征作为待分类的图片的向量表示和目标图片的向量表示，计算待分类的图片的向量表示和目标图片的向量表示之间的距离，并通过设定的阈值判断对待分类的图片和目标图片是否属于同一个身份。本发明能够提升低像素图像的识别准确率。

关键词：骨干网络目标图片向量表示分类模型分类图像训练集卷积核图片精细分类输出特征阈值判断低像素准确率构建鲁棒像素倒数图像身份

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一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法

一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法

引用

作者：郑理张峻程新红苏杭 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法，所述终端结构沿外延生长方向包括：欧姆接触阴极(101)、N+衬底(102)、N‑漂移层(103)、肖特基接触阳极(106)和钝化层(107)；N‑漂移层(103)顶部、肖特基接触阳极(106)边缘下方设置有... 详细信息

标准号: CN118335807A

本发明涉及一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法，所述终端结构沿外延生长方向包括：欧姆接触阴极(101)、N⁺衬底(102)、N^‑漂移层(103)、肖特基接触阳极(106)和钝化层(107)；N^‑漂移层(103)顶部、肖特基接触阳极(106)边缘下方设置有P型掺杂主结(1051)，N^‑漂移层(103)顶部、钝化层(107)下方设置有P型掺杂场限环(1052)，N^‑漂移层(103)顶部、器件边缘设置有N⁺场终止环(104)。本发明采用的NiO材料内部自发产生的Ni空位或间隙氧原子，可以容易地获得较高的P型掺杂浓度，很好地解决了一些天然N型掺杂的宽禁带半导体材料P型掺杂难度大、工艺不成熟的问题。

关键词：漂移层肖特基接触阳极终端结构钝化层宽禁带半导体材料阴极外延生长方向材料内部欧姆接触器件边缘场限环间隙氧氧化镍异质结空位衬底主结制备成熟

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一种电子束曝光剂量校正方法

一种电子束曝光剂量校正方法

引用

作者：刘晓宇彭炜 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第... 详细信息

标准号: CN117492335A

本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。

关键词：剂量校正系数电子束曝光占空比拼接超导单光子探测器电子束曝光技术漂移表面波器件均匀性控制版图图形波导器件超导量子多重曝光剂量校正邻近效应图形分区图形曝光图形区域图形位置微纳器件校正计算光量子均匀性衬底高线线宽绝缘叠加芯片全局拓展加工应用

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一种硅异质结太阳电池及其制备方法

一种硅异质结太阳电池及其制备方法

引用

作者：张丽平周一诺刘文柱李振飞杜俊霖刘正新 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介... 详细信息

标准号: CN117855294A

本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介于1.8～2.6eV之间、能带的价带顶上方富含多个能级通道的p型氢化微晶硅基隧穿层以增强空穴载流子收集。本发明还涉及硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的硅异质结太阳电池及其制备方法，通过隧道传输层，在本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间搭建一个能级通道使能级中的价带顶部有连续能级供空穴载流子在电池纵向方向实现有效隧穿，获得高填充因子和高转换效率的硅异质结太阳电池。

关键词：钝化层硅异质结太阳电池本征硅基薄膜能级硅基薄膜隧道传输空穴载流子价带制备高填充因子高转换效率电池纵向连续能级疏松多孔晶体硅隧穿层微晶硅沉积衬底带隙富含氢化隧穿覆盖

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基于金属粉末填充的互连结构制造方法

基于金属粉末填充的互连结构制造方法

引用

作者：凌必赟夏彧虎吴亚明蔡敏力王潇悦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于金属粉末填充的互连结构制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底中形成有用于制造互连结构的空腔；于空腔中填充金属粉末；将金属粉末固化成导电柱而形成互连结构。采用本发明，可以极大降低TSV通孔填充的难度、缩... 详细信息

标准号: CN117374004A

本发明提供一种基于金属粉末填充的互连结构制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底中形成有用于制造互连结构的空腔；于空腔中填充金属粉末；将金属粉末固化成导电柱而形成互连结构。采用本发明，可以极大降低TSV通孔填充的难度、缩短填充时间、降低了工艺成本；并且可以有效解决基于金属粉末孔结构填充产生的空洞等问题，优化填充质量。相较于低阻硅TSV，采用本发明制备的导电柱电导率高，适用于要求TSV导通电阻低的应用场景，扩展了TSV技术的应用场景；且相比于液体合金灌注填充TSV，晶圆垂直孔填充后表面磨抛量大幅度减小，降低了工艺成本。本发明尤其易于制造可靠性较高的厚衬底TSV基板，避免了现有填充技术的限制，扩展了应用场景。

关键词：填充互连结构金属粉末应用场景工艺成本导电柱基底空腔制造填充金属粉末电导率导通电阻液体合金有效解决垂直孔后表面孔结构衬底低阻基板减小晶圆磨抛制备固化灌注空洞优化

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一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法

一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法

引用

作者：李铁李亚钊陈栋钦陆仲明王翊 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口... 详细信息

标准号: CN118191066A

本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。

关键词：硅纳米线晶体管硅纳米线栅介质层传感器双栅传感器技术领域硅纳米线结构液体环境检测传感器检测背栅电极表面电势导电通道电流调控工作结构刻蚀窗口湿法腐蚀制作工艺待测物顶硅层灵敏度批量化信噪比栅电极栅结构硅层制作连通全集兼容检测生产

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一种声表面波谐振器

一种声表面波谐振器

引用

作者：欧欣姚虎林张师斌 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电... 详细信息

标准号: CN114337583B

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电薄膜区域形成准驻波。且该叉指换能器包括叉指电极区域，叉指电极区域包括叉指电极对，后续可以通过对叉指电极的尺寸进行调节，从而使使每对叉指电极对的菲涅尔区可以包括整个谐振器，实现抑制衍射效应的效果，提高了该器件的品质因数。

关键词：叉指电极叉指换能器声表面波谐振器压电薄膜谐振器微电子器件工作模式品质因数区域形成衍射效应依次层叠反射栅菲涅尔衬底驻波支撑

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一种基于特征反馈的多模态图像融合目标检测方法

一种基于特征反馈的多模态图像融合目标检测方法

引用

作者：罗珊珊刘建坡 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于特征反馈的多模态图像融合目标检测方法，包括：接收可见光图像和红外光图像；将可见光图像和红外光图像输入至多模态图像融合目标检测模型，得到目标检测结果；其中，多模态图像融合目标检测模型包括：特征提取部分... 详细信息

标准号: CN117726795A

本发明涉及一种基于特征反馈的多模态图像融合目标检测方法，包括：接收可见光图像和红外光图像；将可见光图像和红外光图像输入至多模态图像融合目标检测模型，得到目标检测结果；其中，多模态图像融合目标检测模型包括：特征提取部分，用于对可见光图像和红外光图像分别进行特征提取；多模态融合部分，用于将提取出的可见光图像深度特征信息和红外光图像深度特征信息进行特征融合，得到多尺度融合特征；所述多尺度融合特征反馈至特征提取部分以指导特征提取部分进行特征提取；目标预测部分，用于根据得到的多尺度融合特征预测目标类别集坐标位置，得到目标检测结果。本发明能提高低照度场景下目标检测的抗干扰能力。

关键词：目标检测特征提取红外光图像可见光图像融合多尺度多模态深度特征特征反馈图像融合抗干扰能力模态图像目标预测特征融合特征预测坐标位置低照度场景

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一种实现存储单元多级存储的方法及装置

一种实现存储单元多级存储的方法及装置

引用

作者：崔紫荆蔡道林李阳李程兴宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻... 详细信息

标准号: CN113517015B

本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够提高较多位多级存储的成功率，并且降低了功耗，提高了效率。

关键词：电阻存储单元多级存储电脉冲脉冲操作阻态电脉冲变化相变存储器控制脉冲目标状态读操作多位功耗成功率统计

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基于deit附属网络知识蒸馏的小目标人脸识别方法

基于deit附属网络知识蒸馏的小目标人脸识别方法

引用

作者：宋尧哲孟方舟舒子婷吴萌萌童官军 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于deit附属网络知识蒸馏的小目标人脸识别方法，包括：构建deit网络作为学生网络，并构建教师网络并在其后增加残差连接模块，利用教师网络先在高像素人脸图像上训练学生网络；对训练好的学生网络输入小目标人脸图像，... 详细信息

标准号: CN113807214B

本发明涉及一种基于deit附属网络知识蒸馏的小目标人脸识别方法，包括：构建deit网络作为学生网络，并构建教师网络并在其后增加残差连接模块，利用教师网络先在高像素人脸图像上训练学生网络；对训练好的学生网络输入小目标人脸图像，得到第二分类特征和第二蒸馏特征；对所述教师网络输入与训练好的deit网络相同身份但未降采样的图像，得到第二教师特征；根据所述第二分类特征与真实标签构建第三损失函数，根据所述第二蒸馏特征与第二教师特征构建第四损失函数，并将所述第三损失函数和第四损失函数相加得到第二总损失；在所述第二总损失下，对训练好的deit网络进行二次训练。本发明能够对小目标人脸图像进行有效识别。

关键词：网络损失函数构建人脸图像蒸馏小目标分类特征教师特征教师附属网络连接模块人脸识别有效识别真实标签学生高像素降采样残差相加图像身份

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