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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7,582 篇 专利
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- 404 篇 计算机科学与技术...
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58 篇 艺术学
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53 篇 农学
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26 篇 经济学
- 25 篇 应用经济学
16 篇 教育学
7 篇 法学
6 篇 文学
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主题

95 篇 锂离子电池
86 篇 无线传感器网络
78 篇 相变存储器
72 篇 微机电系统
70 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
50 篇 微流控芯片
47 篇 soi
42 篇 镁合金
42 篇 传感器
42 篇 mems
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
38 篇 储氢合金
38 篇 分子束外延
37 篇 石墨烯
37 篇 正交频分复用
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
34 篇 毫米波

机构

10,650 篇 中国科学院上海微...
748 篇 中国科学院大学
553 篇 中国科学院研究生...
370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
242 篇 上海无线通信研究...
173 篇 上海微小卫星工程...
147 篇 上海大学
139 篇 中国科学院上海微...
128 篇 上海交通大学
120 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
101 篇 中国科学院上海微...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
86 篇 中国电子技术标准...
76 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
60 篇 无锡物联网产业研...

作者

1,138 篇 宋志棠
600 篇 赵建龙
575 篇 王曦
551 篇 王跃林
440 篇 谢晓明
416 篇 封松林
394 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
319 篇 刘波
285 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
253 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
229 篇 金庆辉
228 篇 刘卫丽
226 篇 熊斌
212 篇 王永良
210 篇 张永刚
204 篇 曹俊诚

语言

13,250 篇 中文
16 篇 英文
6 篇 日文

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双面超表面结构的制备方法

双面超表面结构的制备方法

引用

作者：李伟王磊周易甘峰源杨雪雷 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬... 详细信息

标准号: CN112408316B

本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬底样品；筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记，并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构，从而提高双面超表面结构的性能。

关键词：衬底表面结构对准工艺步骤镜像关系偏移误差光刻板光刻设备正反两面放入刻蚀制备测量筛选成功

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一种基于背景过渡的长视频生成方法

一种基于背景过渡的长视频生成方法

引用

作者：王超懿宋尧哲张亚峰裴俊夏利杰刘建坡 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于背景过渡的长视频生成方法，包括以下步骤：将文本提示和动作帧作为输入生成嵌入特征，并通过去噪扩散概率模型生成m帧图像帧；对所述m帧图像帧进行背景扩散处理，得到所述m帧图像帧的前景和背景；将所述去噪扩散概... 详细信息

标准号: CN117354443A

本发明涉及一种基于背景过渡的长视频生成方法，包括以下步骤：将文本提示和动作帧作为输入生成嵌入特征，并通过去噪扩散概率模型生成m帧图像帧；对所述m帧图像帧进行背景扩散处理，得到所述m帧图像帧的前景和背景；将所述去噪扩散概率模型第k步生成的m帧图像帧与所述m帧图像帧的前景和背景进行融合，得到新的第k步的图像帧；基于新的第k步的图像帧通过所述去噪扩散概率模型生成新的m帧图像帧；基于新的m帧图像帧通过Gen‑L‑Video短视频扩散模型生成长视频。本发明使得生成的长视频的背景能够平滑过渡，具有连续性。

关键词：帧图像概率模型去噪扩散视频图像帧扩散处理平滑过渡视频生成输入生成文本提示嵌入融合

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基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法

基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法

引用

作者：程新红刘少煜郑理俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；... 详细信息

标准号: CN118136653A

本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。

关键词：上表面沟槽型MOSFET 欧姆接触层高k介质层栅电极层上表层外延层栅氧层邻接源极源极金属层电场集中反向耐压沟槽侧壁沟槽拐角沟槽内壁高k介质碳化硅延伸衬底底面覆盖制作

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一种以存代算在线学习预测芯片及方法

一种以存代算在线学习预测芯片及方法

引用

作者：钱星宇陈小刚李顺芬阿西木宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技... 详细信息

标准号: CN112668180B

本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技术方式，构建存算单元阵列和单元间互连线。单元互连线连接各个存算单元，各个单元通过互连线连通协同工作解决复杂问题，存算单元内部包括：I/O访问、数据比对、误差统计、分辨聚类、任务管理、任务分发、预测收集及管理、模型输出等系统模块。本发明能够减少数据传输和云中心计算压力。

关键词：互连线数据传输在线学习中心计算实时性数据存储方式单元阵列复杂计算复杂问题技术方式计算资源前端设备任务分发任务管理数据比对数据预测误差统计系统模块数据处理单元间物联网预测构建聚类连通分辨协同芯片输出更新管理

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一种对网络模型的剪枝方法、装置、电子设备及存储介质

一种对网络模型的剪枝方法、装置、电子设备及存储介质

引用

作者：谷宇章邱守猛袁泽强张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请实施例所公开的一种对网络模型的剪枝方法、装置、电子设备及存储介质，包括获取训练图像集和当前网络模型，将训练图像输入当前网络模型中，根据当前网络模型的输出确定多个卷积层中每个卷积层对应的参数，基于每个卷积层对应的... 详细信息

标准号: CN112101547B

本申请实施例所公开的一种对网络模型的剪枝方法、装置、电子设备及存储介质，包括获取训练图像集和当前网络模型，将训练图像输入当前网络模型中，根据当前网络模型的输出确定多个卷积层中每个卷积层对应的参数，基于每个卷积层对应的预设剪枝率，对每个卷积层对应的参数进行衰减处理，得到衰减参数，若衰减参数与预设阈值的差值在预设区间内，剔除卷积层中与衰减参数对应的参数，得到剪枝后的网络模型。基于本申请实施例，通过对卷积层对应参数进行衰减处理，迫使待剔除参数的卷积层对应的参数学习的知识转移，在减少参数量的同时，不增加训练负担，并且可以保证网络模型的识别准确率。

关键词：卷积网络模型衰减参数剪枝衰减处理预设剔除训练图像集参数学习存储介质电子设备输出确定训练图像预设区间准确率申请保证

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一种片上两比特门系统及其实现方法

一种片上两比特门系统及其实现方法

引用

作者：林志荣刘匡高万鹏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门... 详细信息

标准号: CN113934680B

本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门，逻辑与门根据偏置电流控制SFQ子脉冲序列的输出；模计数单元包括两个模N计数器，每个模N计数器接收SFQ子脉冲序列并对SFQ子脉冲序列进行周期变换输出SFQ输出脉冲序列；两比特门的第一量子比特和第二量子比特分别基于SFQ输出脉冲序列被调控，再通过调节耦合量子比特的频率进行两比特耦合强度调控，从而实现可集成于片上的两比特门操作。本发明能够降低微波线路的硬件消耗。

关键词：子脉冲转换器输出脉冲序列计数器计数单元逻辑与门脉冲序列分路器输出量子偏置电流微波线路微波信号硬件消耗周期变换耦合量子耦合可集成门操作门系统调控两路复制转换

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一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法

一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法

引用

作者：李昕欣徐铁刚高式沅 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法，所述数字PCR芯片由下至上包括基底(1)、进样流道(2)、微腔阵列(4)和透气阻水薄膜(5)；所述微腔阵列(4)垂直于所述进样流道(2)排布；所述进样流道(2)和所述微腔阵列(4)之... 详细信息

标准号: CN118109277A

本发明涉及一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法，所述数字PCR芯片由下至上包括基底(1)、进样流道(2)、微腔阵列(4)和透气阻水薄膜(5)；所述微腔阵列(4)垂直于所述进样流道(2)排布；所述进样流道(2)和所述微腔阵列(4)之间设有通孔(3)用于样品流通。本发明不仅有利于待检测样品的分散，而且对反应体系稳定性，以及荧光检测的准确性都有提升；本发明结构简单，没有设置阀门，也没有设置防挥发层，有望被应用于极高精度数字化生物检测中。

关键词：微腔阵列进样流数字PCR 芯片高精度数字化待检测样品防挥发层生物检测透气阻水荧光检测复合材料阀门基底排布通孔制备薄膜垂直流通应用

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基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法

基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法

引用

作者：冯飞杨雪蕾 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法，基于MEMS的多固定相微型填充柱结构包括：衬底，衬底的表面形成有沿衬底的表面延伸的微沟道，微沟道的一端为入口端，另一端为出口端；微阻挡柱组件，位于微沟道内，且临... 详细信息

标准号: CN111855877B

本发明提供一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法，基于MEMS的多固定相微型填充柱结构包括：衬底，衬底的表面形成有沿衬底的表面延伸的微沟道，微沟道的一端为入口端，另一端为出口端；微阻挡柱组件，位于微沟道内，且临近微沟道的出口端；至少一个微筛选柱组件，位于微沟道内，且位于微阻挡柱组件与微沟道的入口端之间。本发明的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构及其制备方法通过在微沟道内设置微阻挡柱组件及微筛选柱组件，可以实现固定相自主分段填充，最终实现多种类的混合气体的一次性分离，扩展了色谱柱的使用范围，实现了微型填充柱结构的多功能化。

关键词：微沟道微型填充柱固定相阻挡柱衬底出口端入口端制备筛选一次性分离表面形成表面延伸多功能化混合气体色谱柱填充分段

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一种图像分割模型的训练方法、图像分割方法及装置

一种图像分割模型的训练方法、图像分割方法及装置

引用

作者：李嘉茂徐越朱冬晨王磊张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请实施例涉及计算机视觉技术领域，公开了一种图像分割模型的训练方法、图像分割方法及装置，通过在图像分割模型的现有结构基础上增设对象轮廓确定模型来确定预测轮廓信息，可以引导特征提取子模型学习对象轮廓，可以提升图像分割... 详细信息

标准号: CN113888567B

本申请实施例涉及计算机视觉技术领域，公开了一种图像分割模型的训练方法、图像分割方法及装置，通过在图像分割模型的现有结构基础上增设对象轮廓确定模型来确定预测轮廓信息，可以引导特征提取子模型学习对象轮廓，可以提升图像分割模型的分割精度。

关键词：图像分割模型对象轮廓计算机视觉技术结构基础轮廓信息特征提取图像分割子模型增设分割预测申请学习

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一种有源硅光转接板芯片及其制备方法

一种有源硅光转接板芯片及其制备方法

引用

作者：王书晓蔡艳 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种有源硅光转接板芯片及其制备方法，由下至上包括：钝化保护层(1)；硅衬底(2)、边缘耦合器(3)、电光调制器(4)、光电探测器(5)、二氧化硅保护层(6)、停止层(7)、硅通孔(8)、再分布层(9)、微凸点(10)、金属电极(11)。本发... 详细信息

标准号: CN118210103A

本发明涉及一种有源硅光转接板芯片及其制备方法，由下至上包括：钝化保护层(1)；硅衬底(2)、边缘耦合器(3)、电光调制器(4)、光电探测器(5)、二氧化硅保护层(6)、停止层(7)、硅通孔(8)、再分布层(9)、微凸点(10)、金属电极(11)。本发明结构紧凑，同时可支持边缘耦合器及加热器结构的掏空，提升光模场耦合效率并提升热光调制效率。将该光芯片应用于光模块中，可以有效的降低光模块的尺寸及功耗，提高光模块的集成度和速率，具有良好的应用前景。

关键词：光模块边缘耦合二氧化硅保护层电光调制器钝化保护层光电探测器器及加热器金属电极热光调制再分布层耦合效率集成度光模场光芯片硅衬底硅通孔停止层微凸点转接板功耗硅光掏空制备应用芯片

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