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第十四届全国超导学术研讨会

作者：张伟君杨晓燕李浩尤立星吕超林张露刘晓宇黄佳王镇谢晓明上海微系统与信息技术研究所上海20050

高效率、低暗计数率的超导纳米线单光子探测器(SNSPD)在量子通信、量子光学计算等前沿应用中具有重要的应用需求.SNSPD的背景暗计数通常是经光纤传播的、耦合到器件的黑体辐射或杂散光导致.

关键词：超导纳米线单光子探测器背景暗计数探测效率带通滤波器

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一种MOSFET的建模方法

一种MOSFET的建模方法

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作者：陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数的拟合满足精度要... 详细信息

标准号: CN104750923B

本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数的拟合满足精度要求，建立RF模型，生成模型卡。本发明通过将源漏寄生电阻加入DC模型和射频模型中，可以提高射频模型的建模精度，并且本发明将DC模型和射频模型相结合，可以减少射频模型建模的工作周期。

关键词：拟合射频寄生电阻源漏建模精度满足要求工作周期精度要求模型建模生成模型

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基于GaN HEMT同步整流Buck变换器研究

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电力电子技术 2017年第9期51卷 20-23页

作者：羊志强徐大伟李新昌程新红中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100049

分析了基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)同步整流Buck变换器的各部分损耗,并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性,分析了死区时间形成过程,设计死区时间调节电路。设计制作基于GaN HEMT和Si MOSFET 10~... 详细信息

分析了基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)同步整流Buck变换器的各部分损耗,并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性,分析了死区时间形成过程,设计死区时间调节电路。设计制作基于GaN HEMT和Si MOSFET 10~20V输入、5 V输出、6A最大负载电流及1 MHz开关频率的变换器样机。测试结果表明,在18 V输入时GaN变换器的最高效率为93.9%,比Si变换器约高3%;GaN变换器最优死区时间为5 ns,变换器效率随着死区时间增加而下降。

关键词：变换器高电子迁移率晶体管死区时间效率

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三轴微机械磁场传感器

三轴微机械磁场传感器

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作者：熊斌刘松徐德辉梁亨茂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种三轴微机械磁场传感器，包括两个呈正交排列的第一谐振结构组件及第二谐振结构组件。本发明的三轴微机械磁场传感器不需要磁性材料，不存在磁滞和磁饱和现象，制作工艺与标准CMOS工艺兼容，可实现大批量，低成本生产；第... 详细信息

标准号: CN106556804A

本发明提供一种三轴微机械磁场传感器，包括两个呈正交排列的第一谐振结构组件及第二谐振结构组件。本发明的三轴微机械磁场传感器不需要磁性材料，不存在磁滞和磁饱和现象，制作工艺与标准CMOS工艺兼容，可实现大批量，低成本生产；第一谐振结构及第二谐振结构采用静电驱动，功耗几乎为零，且结构简单，易于实现；静电驱动结构为带有阻尼孔的平板电极或者叉指电极，能够有效的减小空气阻尼，提高大气下工作的灵敏度；基于电磁感应原理，在大范围磁场测量中都具有极佳的线性度；三个谐振结构位于同一平面内，可实现三轴测量之间的绝对正交，有效避免了交叉灵敏度的影响；可同时对恒定或交变磁场的三轴分量进行测量，稳定性和可靠性好。

关键词：谐振结构磁场传感器灵敏度微机械三轴恒定标准CMOS工艺电磁感应原理静电驱动结构低成本生产叉指电极磁场测量磁性材料交变磁场静电驱动空气阻尼平板电极三轴测量三轴分量制作工艺磁饱和线性度阻尼孔磁滞功耗减小正交兼容测量

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一种信噪比估计方法

一种信噪比估计方法

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作者：刘烨张帅赵鲁阳王金芳唐逢杰樊蓉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种信噪比估计方法，用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比，该方法包括以下步骤：步骤S1，从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k，其中，m,k表示相应所述导... 详细信息

标准号: CN103916342B

本发明提供一种信噪比估计方法，用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比，该方法包括以下步骤：步骤S1，从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值X_m,k、信道估计值H_m,k和高斯白噪声N_m,k，其中，m,k表示相应所述导频位于第m个数据符号、第k个子载波；步骤S2，根据所述导频数值X_m,k、所述信道估计值H_m,k和所述高斯白噪声N_m,k获取相应所述导频所在位置的导频位置信息Y_m,k；步骤S3，根据所述导频数值X_m,k、所述信道估计值H_m,k和所述导频位置信息Y_m,k获取所述接收信号的信噪比估计值。本发明可以在数据符号中插入的导频数量有限、不能做大量统计的情况下，消除噪声与信号之间的相关项，可以优化算法估计值的准确性和稳定性，并简化计算复杂性。

关键词：导频信道估计导频位置信息高斯白噪声信噪比估计数据符号计算复杂性导频估计消除噪声优化算法信噪比统计

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极板结构、采用该极板结构的静电驱动结构及其制作方法

极板结构、采用该极板结构的静电驱动结构及其制作方法

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作者：熊斌刘松徐德辉马颖蕾 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明一种极板结构、采用该极板结构的静电驱动结构及其制作方法，所述极板结构的一侧面设有至少一个上下贯穿所述极板结构的阻尼孔，其中，所述阻尼孔的上开口面积或下开口面积大于侧开口的面积。本发明的阻尼孔可运用现有技术水平轻... 详细信息

标准号: CN106800270A

本发明一种极板结构、采用该极板结构的静电驱动结构及其制作方法，所述极板结构的一侧面设有至少一个上下贯穿所述极板结构的阻尼孔，其中，所述阻尼孔的上开口面积或下开口面积大于侧开口的面积。本发明的阻尼孔可运用现有技术水平轻易制备，同时，采用这种阻尼孔的极板结构在用作面内的可动部件时，当可动部件发生相对运动时，位于两个可动部件之间的空气不再因受到束缚发生挤压，而是通过面积较小的进气口进入阻尼孔并通过面积较大的上开口或下开口迅速得到释放，从而减小了阻尼力。同时，由于阻尼孔的侧开口面积较小，使极板面积损失不致过大，不会明显降低静电力，使得采用所述极板结构的静电驱动结构能够获得较大的静电力/阻尼力比值。

关键词：极板结构阻尼孔可动部件静电驱动结构侧开口静电力上开口下开口阻尼力进气口面积损失上下贯穿极板减小制备挤压技术水平束缚侧面释放制作

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一种餐厅自动结算方法及系统

一种餐厅自动结算方法及系统

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作者：王康如谷宇章邱云周魏智曲磊张力王冠营 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种餐厅自动结算方法及系统，方法包括：拍摄检测区域中整体图像，并通过图像处理方法提取整体图像轮廓；利用轮廓信息，通过图像识别技术判断检测区域中是否有托盘及餐盘图像，将其整体图像及轮廓信息进行存储；然后利用图... 详细信息

标准号: CN104463167B

本发明涉及一种餐厅自动结算方法及系统，方法包括：拍摄检测区域中整体图像，并通过图像处理方法提取整体图像轮廓；利用轮廓信息，通过图像识别技术判断检测区域中是否有托盘及餐盘图像，将其整体图像及轮廓信息进行存储；然后利用图形学和图像处理方法提取餐盘的轮廓及色调信息；将餐盘轮廓和色调信息与数据库中的模板信息进行匹配，得到餐盘轮廓的形状及颜色；通过餐盘的形状、颜色和菜肴价格的关联，得出菜肴总金额；系统包括：摄像头、计算机、刷卡机和显示器。本发明无需对餐盘进行定制或改造，适用于任意形状和材料的餐盘，成本较低，高效快速，对餐盘之间的重叠、遮挡有一定的鲁棒性，无需对就餐人员摆放餐盘的方式有特别要求。

关键词：餐盘整体图像方法提取轮廓信息色调信息图像处理菜肴图像识别技术摄像头托盘高效快速检测区域模板信息拍摄检测自动结算鲁棒性刷卡机图形学显示器匹配遮挡数据库餐厅存储就餐摆放关联图像计算机改造

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圆片级封装结构及其制备方法

圆片级封装结构及其制备方法

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作者：程功罗乐徐高卫 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行... 详细信息

标准号: CN107452638A

本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。

关键词：重新布线层晶圆制备圆片级封装结构低温处理上表面晶圆级封装结构凸点下金属层半导体结构封装过程封装结构高温固化无源器件制备过程焊球内嵌翘曲预设元器件释放恢复

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双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法

双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法

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作者：朱春生宁文果李桁徐高卫罗乐 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏... 详细信息

标准号: CN104078431B

本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较高的机械稳定性。通过加速热循环等测试可以得出，具有此种封装结构的芯片，寿命得到了较大提高。

关键词：凸点第一层杨氏模量芯片玻璃化胶填充锡焊料填充电气连接特性机械稳定性垂直互连封装结构工艺过程工艺制作互连结构毛细效应倒装焊基板端热循环基板旋涂圆片封装兼容测试制作保证

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氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法

氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法

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作者：王会武刘全胜张栖瑜应利良王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约... 详细信息

标准号: CN106816525A

本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。

关键词：制备氮化铌旁路电阻沉积约瑟夫森结后处理临界电流顶电极绝缘层三层薄膜结构底电极结构器件一致性表面开孔后期处理金属薄膜绝缘薄膜器件表面超导环底电极再沉积并联衬底梳状薄膜测试金属发现

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