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检索条件"机构=上海微系统和信息技术研究所"
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硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计
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激光技术 2017年 第3期41卷 361-366页
作者: 陈鑫 武爱民 仇超 黄海阳 赵瑛璇 盛振 李伟 甘甫烷 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049
刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅... 详细信息
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智能网联汽车V2X系统预警应用功能测试与评价方法
智能网联汽车V2X系统预警应用功能测试与评价方法
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面向安卓模拟器的自动化交互的设计与实现
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电子设计工程 2017年 第19期25卷 71-74页
作者: 蔡方达 上海微系统与信息技术研究所 上海200050 上海科技大学信息学院 上海201210
安卓移动操作系统目前是普及范围最广的移动手机平台之一。其独特的通过手势动作来进行人机交互的方式很大程度上降低了人们使用应用软件的难度。但于此同时,由于界面的变化需要由使用者的手势动作来控制,人机交互实施的时间效率并不高... 详细信息
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0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证
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半导体技术 2017年 第6期42卷 469-474页
作者: 卢仕龙 刘汝萍 林敏 俞跃辉 董业民 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院 上海201210
基于上海微系统信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的... 详细信息
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融合音频和视频的室内智能监控系统
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计算机工程与应用 2017年 第1期53卷 220-226,231页
作者: 桂雅骏 吴小培 张超 吕钊 万梦时 王营冠 安徽大学计算智能与信号处理教育部重点实验室 合肥230601 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
近年来,随着经济的迅猛发展,室内智能监控系统越来越受到人们的关注。针对当今智能监控的现状,提出了一种融合音频和视频的室内智能监控系统,系统首先对麦克风阵列采集的信号进行预处理和声源定位,在估计出声源位置后,实现球机的实时转... 详细信息
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基于超材料的毫米波汽车雷达喇叭天线设计与优化
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现代雷达 2017年 第10期39卷 67-71页
作者: 黄彬 李凌云 孙浩 太赫兹固态技术重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 中国科学院大学 北京100049
应用于汽车雷达上的喇叭天线或透镜天线,为了获得高增益和高方向性,其长度或口面一般较大。为了保持口面大小不变,并且能有效缩短喇叭天线长度来减小体积、节约成本,文中设计了超材料平面透镜喇叭天线。采用此超材料的天线增益相比同尺... 详细信息
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(在研)有源红外气体传感材料与器件及应用
(在研)有源红外气体传感材料与器件及应用
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作者: 潘教青 中国科学院半导体研究所 吉林大学 西南技术物理研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 山东大学 北京航星网讯技术股份有限公司
随着环保及气体测量技术的发展,很多领域对气体测量仪器的要求越来越高,特别是在痕量气体检测方面,需要更高的测量精度。因此,如何对空间环境中多种成分气体进行在线传感监测越来越成为气象环境、工业控制领域需要亟待解决的问题。... 详细信息
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一种基于比例公平的启发式D2D资源分配方案
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计算机工程 2017年 第12期43卷 78-82页
作者: 王俊涛 李慧 卜智勇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所宽带无线技术实验室 上海200050 上海科技大学 上海201210 上海瀚讯无线技术有限公司 上海200335
在蜂窝网络中引入设备与设备(D2D)通信可解决频谱资源匮乏的问题,但移动多媒体业务的多样化使用户带宽需求日益增长。为此,在比例公平调度算法的基础上设计启发式D2D资源分配方案。根据D2D对优先级从高到低的顺序逐一调度,同时禁止已满... 详细信息
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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
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材料科学与工程学报 2017年 第3期35卷 352-357页
作者: 崔健 潘文武 吴晓燕 陈其苗 刘娟娟 张振普 王庶民 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系 瑞典哥德堡41296
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 详细信息
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硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟
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物理学报 2016年 第13期65卷 304-310页
作者: 张晓宇 张丽平 马忠权 刘正新 上海大学理学院 上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海201800
利用半导体工艺和器件仿真软件silvaco TCAD(Technology Computer Aided Design),模拟研究了采用硅/硅锗合金(silicon/silicon germanium alloy,Si/Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构作为吸收层的薄膜晶体硅异质结太阳电池各项性能.模拟结果显示... 详细信息
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