检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：冯飞田博文侯磊李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本实用新型提供一种微热导检测器：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化... 详细信息

标准号: CN206457251U

本实用新型提供一种微热导检测器：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本实用新型以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本实用新型减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。

关键词：本实用新型热敏电阻网状结构顶层硅微热检测器支撑层氧化硅/氮化硅检测器芯片三明治结构玻璃关键工艺静电键合灵活选择性能要求支撑结构衬底硅高掺杂埋氧层微沟槽微沟道微通道形变衬底减小晶格刻蚀两层制作薄膜悬浮释放

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一种石墨烯玻璃

一种石墨烯玻璃

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作者：张燕辉于广辉陈志蓥隋妍萍葛晓明邓荣轩梁逸俭胡诗珂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本实用新型提供一种石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃包括：第一玻璃；石墨烯薄膜，形成于所述第一玻璃表面；第二玻璃，覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃... 详细信息

标准号: CN206317488U

本实用新型提供一种石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃包括：第一玻璃；石墨烯薄膜，形成于所述第一玻璃表面；第二玻璃，覆盖于所述石墨烯薄膜上，使得所述石墨烯薄膜夹在所述第一玻璃及第二玻璃之间，所述石墨烯薄膜的尺寸小于所述第一玻璃及第二玻璃的尺寸；其中，所述第一玻璃及第二玻璃没被石墨烯薄膜隔开的部分粘连，将石墨烯薄膜完全密封于粘连的玻璃之间。本实用新型的石墨烯玻璃具备防辐射和加热功能，可以用于玻璃防辐射、除霜、除雾、供暖等。本实用新型制备的石墨烯玻璃由于石墨烯被玻璃密封，石墨烯的稳定性会得到提升，使用寿命也会明显延长。

关键词：玻璃石墨烯薄膜石墨烯本实用新型防辐射粘连玻璃表面玻璃密封加热功能使用寿命除霜除雾隔开供暖制备密封覆盖玻璃石墨烯薄膜石墨烯粘连玻璃表面隔开密封覆盖

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一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱

一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱

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作者：冯飞田博文侯磊李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴... 详细信息

标准号: CN206460008U

本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本实用新型将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。

关键词：椭圆微柱色谱柱本实用新型微柱阵列微沟道长轴流线型结构周期性排列短轴方向方向平行流速分布长度比均匀性流速区内固定色谱峰短轴流动涂敷垂直

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InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究

InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：李家恺艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所

InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi材料和碳掺杂InGaAsBi材料表面、结构和化... 详细信息

InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi材料和碳掺杂InGaAsBi材料表面、结构和化学特性、以及电学特性和光学特性的影响.

关键词：半导体材料铟镓砷铋分子束外延生长碳掺杂表面形貌化学特性电学特性光学特性

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基于双面键合工艺的微色谱柱

基于双面键合工艺的微色谱柱

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作者：冯飞李昕欣 200050 上海市长宁区长宁路865号

本实用新型提供一种基于双面键合工艺的微色谱柱，在一块硅片上正、反两面刻蚀微色谱柱所需的微沟道，随后分两步分别在该硅片的正反两面完成硅玻璃阳极键合，最后获得玻璃‑硅‑玻璃结构的双色谱柱芯片；或者在两块硅片上分别刻蚀出微色... 详细信息

标准号: CN206583872U

本实用新型提供一种基于双面键合工艺的微色谱柱，在一块硅片上正、反两面刻蚀微色谱柱所需的微沟道，随后分两步分别在该硅片的正反两面完成硅玻璃阳极键合，最后获得玻璃‑硅‑玻璃结构的双色谱柱芯片；或者在两块硅片上分别刻蚀出微色谱柱所需的微沟道，随后分两步分别在一块玻璃片的正反两面完成硅玻璃键合，最后获得硅‑玻璃‑硅结构的双色谱柱芯片。当采用微色谱柱和微热导检测器组成微型气相色谱仪时，只需一个本实用新型所提供的双面键合的微色谱柱芯片，具有便于安装，节省材料成本等诸多优点，在微电子机械系统领域尤其是色谱分析领域具有广泛的应用前景。

关键词：色谱柱硅片本实用新型双面键合双色谱柱正反两面芯片微沟道刻蚀微电子机械系统微型气相色谱仪检测器硅玻璃键合玻璃便于安装玻璃结构节省材料色谱分析阳极键合玻璃片硅玻璃硅结构微热应用

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偏光光谱特性对太阳电池光谱响应的影响

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激光与光电子学进展 2017年第10期54卷 73-79页

作者：时强卞洁玉刘正新中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心上海201800 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

选取单晶硅、多晶硅和模拟非晶硅封装太阳电池为研究对象,研究了偏置光的辐照度和光谱分布等偏光光谱特性对太阳电池光谱响应的影响。太阳电池的光谱响应与偏置光有关,随着偏置光辐照度增大,长波段范围内的光谱响应增大,太阳电池短路电... 详细信息

选取单晶硅、多晶硅和模拟非晶硅封装太阳电池为研究对象,研究了偏置光的辐照度和光谱分布等偏光光谱特性对太阳电池光谱响应的影响。太阳电池的光谱响应与偏置光有关,随着偏置光辐照度增大,长波段范围内的光谱响应增大,太阳电池短路电流呈线性增大。偏置光的光谱分布对太阳电池的光谱响应也有影响,光谱失配度越大,光谱响应的差异越大。为了提高太阳电池光谱响应测量的准确性,偏置光的辐照度和光谱分布应该尽量接近IEC标准。

关键词：探测器太阳电池光谱响应滤光片偏置光标准测试

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地源热泵中光纤光栅土壤温度监测系统研究

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自动化仪表 2018年第8期39卷 52-55页

作者：刘学君袁碧贤卢浩吴艳元钟少龙戴波北京石油化工学院信息工程学院北京102617 北京化工大学信息科学与技术学院北京100029 天普新能源科技有限公司北京102612 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

太阳能与地源热泵的联合供能系统急需解决土壤的热平衡问题,因此土壤温度的测量与分析尤为重要。基于光纤光栅传感技术,对土壤进行分布式测温。基于Mod Bus通信协议,进行数据收集与处理,并利用SIM900A进行GSM/GPRS无线模块远传。该系统... 详细信息

太阳能与地源热泵的联合供能系统急需解决土壤的热平衡问题,因此土壤温度的测量与分析尤为重要。基于光纤光栅传感技术,对土壤进行分布式测温。基于Mod Bus通信协议,进行数据收集与处理,并利用SIM900A进行GSM/GPRS无线模块远传。该系统实现了北京市某现场近一年的土壤温度精确采集和实时远传。试验分析表明,该地源热泵井周围地区土壤温度波动大致范围在8~25℃之间,夏季温度高于冬季温度10℃左右;随着土壤深入,两者温度相差越来越少。地表温度较地下120 m处,夏季温度降低5℃左右,冬季温度比较平稳。土壤温度随着季节和热泵的运行,存在热量不均衡的情况。该系统为进一步优化太阳能及地源热泵联合供能系统的设计提供了有力的数据支持。

关键词：光纤光栅地源热泵太阳能土壤温度 ModBus 热平衡监测

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基于连续小波变换的OPGW雷击定位研究

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 191-195页

作者：何冰靳鹏飞王宗洋裴蕴智李伟国网上海市电力公司检修公司上海200000 江苏大学机械工程学院镇江212000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

目前,离散小波变换在基于OPGW偏振态突变信息的输电线路雷击定位中已实际运用,基于小波变换的偏振态突变信号处理算法精度还可以提高。针对这个问题,提出对偏振态波形使用连续小波变换并采取小波联合去噪的的方法。该方法用阈值与小波... 详细信息

目前,离散小波变换在基于OPGW偏振态突变信息的输电线路雷击定位中已实际运用,基于小波变换的偏振态突变信号处理算法精度还可以提高。针对这个问题,提出对偏振态波形使用连续小波变换并采取小波联合去噪的的方法。该方法用阈值与小波分解重构联合去噪,并利用最小二乘法从连续小波变换后的时频信号中选取合适的尺度因子,然后在该尺度因子的时频图中得到偏振态突变信号的对应时刻信息,最后计算出雷击点位置。仿真结果证明了此方法的准确性,可将雷击定位误差控制在20m以内。

关键词： OPGW光偏振态连续小波变换小波联合去噪雷击定位

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应用于X-ray安检系统的高性能Sigma-Delta调制器的设计

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电子设计工程 2017年第10期25卷 110-113,119页

作者：贾世杰刘宏汪明亮田彤中科院上海微系统与信息技术研究所上海200000 上海科技大学上海200000

为了能处理X-ray安检系统中微弱的探测信号,需要设计一款精度高达14 bit的调制器。文中采取了三阶Sigma-Delta调制器结构,该调制器采用过采样和噪声整形技术来实现高精度,在信号带宽20 kHz,过采样率256,时钟10.24 MHz的情况下,Matlab Si... 详细信息

为了能处理X-ray安检系统中微弱的探测信号,需要设计一款精度高达14 bit的调制器。文中采取了三阶Sigma-Delta调制器结构,该调制器采用过采样和噪声整形技术来实现高精度,在信号带宽20 kHz,过采样率256,时钟10.24 MHz的情况下,Matlab Simulink建模仿真结果表明,该调制器SNR可以达到104.6 dB,精度可达17 bit。通过对调制器非理想性分析,采用TSMC0.25μm工艺实现整个调制器的管级电路,并通过Cadence Spectre后仿真,仿真结果 SNR可达到98 dB,即精度为16 bit,满足X-ray安检系统14 bit的精度要求。

关键词： X-ray 高精度 Sigma-Delta Matlab Simulink

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三维纳米超导量子干涉器的制备与表征

三维纳米超导量子干涉器的制备与表征

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：汪浩陈垒刘晓宇武龙吴晓蕾王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

纳米超导量子干涉器件(nano-SQUID)是基于超导量子干涉器件(SQUID)发展起来的一种新型器件。它利用纳米结代替传统的隧道结，使得超导环面积大幅度缩小，从而提升了器件的最小可测自旋数，同时它还具有可承受较大临界磁场，可近距离与... 详细信息

纳米超导量子干涉器件(nano-SQUID)是基于超导量子干涉器件(SQUID)发展起来的一种新型器件。它利用纳米结代替传统的隧道结，使得超导环面积大幅度缩小，从而提升了器件的最小可测自旋数，同时它还具有可承受较大临界磁场，可近距离与样品耦合等优点。

关键词： nano-SQUID 调制深度磁通噪声

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