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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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机构

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作者

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基于矢量总场合成的振动噪声抑制方法及磁场检测系统

基于矢量总场合成的振动噪声抑制方法及磁场检测系统

引用

作者：邱隆清王硕闫嘉熙荣亮亮 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于矢量总场合成的振动噪声抑制方法及磁场检测系统，用于磁场检测，包括：分别采集待测磁场的第一方向、第二方向以及第三方向的磁场量；第一方向、第二方向以及第三方向中任两个方向之间均垂直；将各方向的磁场量分别... 详细信息

标准号: CN116165580A

本发明提供一种基于矢量总场合成的振动噪声抑制方法及磁场检测系统，用于磁场检测，包括：分别采集待测磁场的第一方向、第二方向以及第三方向的磁场量；第一方向、第二方向以及第三方向中任两个方向之间均垂直；将各方向的磁场量分别加上各方向对应的预设偏置量后计算出总磁场量，并根据谱估计法计算出总磁场量的分段功率谱；基于在关注频段的分段功率谱以及各方向的偏置量与总磁场的噪声偏置值的映射关系，求解在关注频段的噪声偏置值的最小值以及对应的各方向的偏置量，进而得到降噪后的总磁场量。本发明能有效削弱矢量探测器带来的姿态敏感性，同时合成总场的低频噪声达到更小，从而提高探测器的抗干扰能力和灵敏性。

关键词：总磁场偏置量磁场矢量功率谱频段探测器偏置分段噪声磁场检测系统抗干扰能力磁场检测低频噪声映射关系振动噪声灵敏性谱估计求解降噪预设垂直合成采集削弱

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一种环栅晶体管结构及其制备方法

一种环栅晶体管结构及其制备方法

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种环栅晶体管结构及其制备方法，结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极；绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽两侧的半导体凸台的底面部分设置预掺杂层；悬空沟道表面包裹栅介质层，栅介质层表面包... 详细信息

标准号: CN116137293A

本发明提供一种环栅晶体管结构及其制备方法，结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极；绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽两侧的半导体凸台的底面部分设置预掺杂层；悬空沟道表面包裹栅介质层，栅介质层表面包裹栅电极层，栅介质层和栅电极层构成栅极，悬空沟道上方及侧壁的栅极长度大于悬空沟道下方的栅极长度。本发明通过在悬空沟道两端的半导体凸台底部设置预掺杂层，使器件的沟道区域中的π沟道结构对器件开关的控制能力弱于全环绕沟道结构的控制能力，从而在减小源漏极与栅极之间的寄生电容和偏置电场的同时，充分发挥全环绕栅极晶体管的优异电学性能。

关键词：栅介质层悬空沟道绝缘层顶半导体层沟道结构控制能力预掺杂层栅电极层凸台半导体环绕栅极晶体管晶体管结构凹槽两侧表面包裹电学性能沟道表面沟道区域寄生电容偏置电场器件开关衬底层底面部源漏极侧壁环栅减小漏极源极制备环绕

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动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用

动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用

引用

作者：吴亚明陈栋徐巧凌必赟 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用。该光学扫描镜包括光学镜面、永磁体、双轴扭转机构、驱动电磁铁；光学镜面与永磁体的一端相连接，永磁体中间与双轴扭转机构连接，驱动电磁铁产生的驱动磁场与永磁体的磁矩... 详细信息

标准号: CN116500776A

本发明提供一种动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用。该光学扫描镜包括光学镜面、永磁体、双轴扭转机构、驱动电磁铁；光学镜面与永磁体的一端相连接，永磁体中间与双轴扭转机构连接，驱动电磁铁产生的驱动磁场与永磁体的磁矩相交，永磁体受到电磁扭矩的作用而发生扭转运动；光学镜面位于双轴扭转机构的上方，两者所在的平面相互平行，且两者的垂直距离满足光学镜面在最大扫描角度内转动时的空间要求；驱动电磁铁包括三个及三个以上气隙磁极，气隙磁极对称分布，气隙磁极中间构成电磁铁气隙，永磁体位于电磁铁气隙中间，电磁铁气隙的尺寸满足永磁体在最大扫描角度内转动所需的空间要求。本发明可以实现大镜面尺寸、大角度扫描。

关键词：永磁体光学镜面双轴电磁铁气隙驱动电磁铁扭转机构气隙磁极光学扫描镜空间要求转动扫描大角度扫描垂直距离磁极对称电磁扭矩电磁驱动扭转运动驱动磁场大镜面动磁式磁矩平行相交应用

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一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法

一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法

引用

作者：欧欣伊艾伦石航宁游天桂张加祥黄凯王曦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬... 详细信息

标准号: CN111540710B

本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。

关键词：氮化镓碳化硅单晶高导热高功率金属衬衬底薄膜氮化镓器件薄膜结构硅支撑硅基异质制备生长氮化镓单晶薄膜衬底转移器件性能高绝缘硬质

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一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法

一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法

引用

作者：李卓芸蔡艳王书晓伯扬 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减... 详细信息

标准号: CN116990906A

本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。

关键词：铌酸锂脊型波导结构电光调制器双光子吸收铌酸锂波导插入损耗硅波导层混合集成刻蚀工艺优异性能最小线宽隔离层硅波导金属层衬底刻蚀容差制备传输

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动态老化过程在线预测方法

动态老化过程在线预测方法

引用

作者：陈静步然然任志鹏胡一波尹伊哲 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供了一种动态老化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及建立模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤中，动态老化模型包括退化模型和恢复模型，通过选定的基准数据第一周期作为训练集输入LSTM神经... 详细信息

标准号: CN115859790A

本发明提供了一种动态老化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及建立模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤中，动态老化模型包括退化模型和恢复模型，通过选定的基准数据第一周期作为训练集输入LSTM神经网络训练建立，预测分别使用基准数据的后续周期和其余条件下的数据，验证准确性和普遍性。本发明基于机器学习数据驱动方法，针对PDSOI器件的特点，对动态老化过程进行在线预测，补充了NBTI恢复情况的预测，改进了已积累历史退化量器件的退化预测，结果具有准确性和普遍性。

关键词：在线预测基准数据建立模型老化过程预测神经网络训练后续周期基于机器老化模型退化模型学习数据阈值电压退化量训练集恢复退化验证测试驱动补充积累改进

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一种基于安全凭证管理系统的蝴蝶密钥扩展优化方法

一种基于安全凭证管理系统的蝴蝶密钥扩展优化方法

引用

作者：田宇涵王浩文王勇刘韡烨谢建国 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于安全凭证管理系统的蝴蝶密钥扩展优化方法，包括：接收车载设备发出的申请假名证书请求；根据当前收到的请求数目判断是否对假名证书请求进行混淆优化方法，若需要进行混淆优化算法，则将在假名证书请求中收到的毛虫... 详细信息

标准号: CN116886304A

本发明涉及一种基于安全凭证管理系统的蝴蝶密钥扩展优化方法，包括：接收车载设备发出的申请假名证书请求；根据当前收到的请求数目判断是否对假名证书请求进行混淆优化方法，若需要进行混淆优化算法，则将在假名证书请求中收到的毛虫公钥与提前预置的扩展点进行点相加，生成茧混淆公钥组，并与真实的茧公钥组合预链接值一起混淆后，生成单个请求，并在预设时间内生成多个请求发送给假名证书注册机构。本发明能够在保证混淆安全性的前提下，缩短混淆所需时间。

关键词：混淆证书请求公钥证书注册机构安全凭证车载设备管理系统密钥扩展请求发送数目判断优化算法公钥组扩展点链接毛虫预设预置相加优化蝴蝶申请保证

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一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置

一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置

引用

作者：张加祥秦源浩欧欣伊艾伦朱一帆 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置，使用本装置可以实现一个完全单片式SiC光子电路，通过单模脊形波导将两个频率匹配的色心单光子源连接到芯片上的分束器，使得在芯片上进行双光子干涉实验成为可能。

标准号: CN117008252A

关键词：色心芯片单光子源干涉装置光子电路脊形波导频率匹配应力调控单片式分束器双光子碳化硅单模干涉

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一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器

一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器

引用

作者：宋志棠宋三年薛媛袁祯晖 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N... 详细信息

标准号: CN111463346B

本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As₃Se₄组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)_x(As₃Se₄)_yM_z，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4<x<20，7<y<14，0<z<15，以及2x+7y+z＝100。本发明所提供OTS材料在外部电场作用下，当电压达到阈值电压时，材料能够实现高阻态到低阻态的瞬时转换；当撤掉外部能量时，又能够立刻由低阻态转变为高阻态。基于所述OTS材料制备的OTS选通单元具有高热稳定性、高开关速度、大开启电流、高开关比、低阈值电压、高循环寿命等优点，可用于高密度与三维海量相变存储器的制造。

关键词：选通选通单元低阻态高阻态低阈值电压高热稳定性相变存储器存储器材料制备掺杂元素化学通式开启电流外部电场外部能量阈值电压高循环开关比纳电子可用制备三维转换制造

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一种金属互连线制备方法

一种金属互连线制备方法

引用

作者：狄增峰田子傲洪伟达刘冠宇张杰军 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种金属互连线制备方法。该方法包括：(1)提供一基底，在基底的上表面形成材料层；(2)在材料层的上表面形成金属层，在金属层的上表面形成刻蚀阻挡层；(3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀阻挡层之外的金属层，形成薄金属层；(4... 详细信息

标准号: CN116247003A

本发明涉及一种金属互连线制备方法。该方法包括：(1)提供一基底，在基底的上表面形成材料层；(2)在材料层的上表面形成金属层，在金属层的上表面形成刻蚀阻挡层；(3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀阻挡层之外的金属层，形成薄金属层；(4)用钝化工艺将所述薄金属层钝化形成钝化层；(5)用湿法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层；(6)去除所述刻蚀阻挡层，留下互连线层。该方法可以减小干法刻蚀过程对目标衬底材料的损伤，保持材料的本征特性，有利于提升所制作器件的电学特性，扩展了金属互连线在二维材料、有机半导体、钙钛矿等脆弱材料的应用范围。

关键词：刻蚀阻挡层金属层上表面金属互连线薄金属层钝化层基底刻蚀干法刻蚀工艺干法刻蚀过程有机半导体本征特性衬底材料电学特性钝化工艺二维材料互连线层湿法刻蚀形成材料材料层钙钛矿钝化减小去除制备损伤制作应用

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