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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7,582 篇 专利
3,489 篇 期刊文献
1,070 篇 会议
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学科分类号

4,793 篇 工学
- 1,994 篇 电子科学与技术（可...
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- 658 篇 信息与通信工程
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- 404 篇 计算机科学与技术...
- 376 篇 控制科学与工程
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76 篇 军事学
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53 篇 农学
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26 篇 经济学
- 25 篇 应用经济学
16 篇 教育学
7 篇 法学
6 篇 文学
1 篇 历史学

主题

95 篇 锂离子电池
86 篇 无线传感器网络
78 篇 相变存储器
71 篇 微机电系统
71 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
50 篇 微流控芯片
43 篇 soi
42 篇 镁合金
42 篇 传感器
40 篇 微电子机械系统
40 篇 电化学性能
39 篇 分子束外延
39 篇 mems
38 篇 储氢合金
37 篇 石墨烯
37 篇 正交频分复用
35 篇 离子注入
35 篇 无线传感网
33 篇 低功耗

机构

10,650 篇 中国科学院上海微...
748 篇 中国科学院大学
553 篇 中国科学院研究生...
370 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
285 篇 上海科技大学
242 篇 上海无线通信研究...
177 篇 上海微小卫星工程...
148 篇 上海大学
138 篇 中国科学院上海微...
129 篇 上海交通大学
120 篇 中国科学院上海微...
110 篇 上海新傲科技股份...
100 篇 中国科学院上海微...
94 篇 上海微系统与信息...
94 篇 中国电子技术标准...
93 篇 上海新安纳电子科...
78 篇 浙江大学
61 篇 复旦大学
61 篇 NOT FOUND

作者

1,138 篇 宋志棠
602 篇 赵建龙
575 篇 王曦
554 篇 王跃林
441 篇 谢晓明
412 篇 封松林
391 篇 李昕欣
374 篇 欧欣
318 篇 刘波
279 篇 孙晓玮
265 篇 卜智勇
254 篇 张苗
236 篇 陈静
230 篇 尤立星
227 篇 金庆辉
226 篇 熊斌
226 篇 刘卫丽
213 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
203 篇 张永刚

语言

13,260 篇 中文
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一种基于特征预训练的深度学习分类的声音数据分类方法

一种基于特征预训练的深度学习分类的声音数据分类方法

引用

作者：王艳候丹丹龚杰李宝清袁晓兵 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于特征预训练的深度学习分类的声音数据分类方法，包括：获取P通道的声音数据，按帧长L将所述P通道的声音数据截取为若干段声音样本，每段所述声音样本包括帧长为L的P通道声音样本数据和截取数据的分类类别；对所述帧长... 详细信息

标准号: CN113823321B

本发明涉及一种基于特征预训练的深度学习分类的声音数据分类方法，包括：获取P通道的声音数据，按帧长L将所述P通道的声音数据截取为若干段声音样本，每段所述声音样本包括帧长为L的P通道声音样本数据和截取数据的分类类别；对所述帧长为L的P通道声音样本数据进行K倍降采样，得到L/K个点的P通道声音样本；按帧长L提取所述P通道的声音数据的MFCC特征；构建卷积神经网络，通过所述若干段声音样本和P通道的声音数据的MFCC特征来对所述卷积神经网络进行两次训练，得到训练好的卷积神经网络；通过训练好的卷积神经网络来识别输入声音信号的类别。本发明的卷积神经网络能够对输入的声音信号类别进行有效分类。

关键词：声音样本卷积神经网络声音数据帧长截取输入声音信号分类类别有效分类降采样分类构建学习

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一种分选单细胞的微流控芯片及检测方法

一种分选单细胞的微流控芯片及检测方法

引用

作者：贾春平周扬吴嫚余志斌赵建龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种分选单细胞的微流控芯片，包括：基底层，上表面设有第一金属电极对、第二金属电极对、阻抗识别区域，阻抗识别区域包括第一阻抗检测电极对和第二阻抗检测电极对，第一阻抗检测电极对与第一金属电极对连接，第二阻抗检测... 详细信息

标准号: CN114345428B

本发明涉及一种分选单细胞的微流控芯片，包括：基底层，上表面设有第一金属电极对、第二金属电极对、阻抗识别区域，阻抗识别区域包括第一阻抗检测电极对和第二阻抗检测电极对，第一阻抗检测电极对与第一金属电极对连接，第二阻抗检测电极对与第二金属电极对连接；微通道层，位于基底层上方，微通道层包括微流控管道和分选电极；微流控管道包括主通道，主通道的一端通过若干过滤柱与进样口连通，另一端则与分选口连通，分选口分别与废液通道、收集通道连通，且废液通道与废液出口连通，收集通道与目标出口连通；分选电极包括激励电极以及包围激励电极的地电极，激励电极的一部分和地电极的一部分均临近分选口。

关键词：阻抗检测电极连通金属电极激励电极分选口分选废液通道收集通道微通道层电极地电极基底层微流控主通道阻抗微流控芯片废液出口过滤柱进样口上表面包围出口

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二维晶体管阵列及其制备方法

二维晶体管阵列及其制备方法

引用

作者：刘冠宇狄增峰刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种二维晶体管阵列及其制备方法，方法包括：提供一导热基底；于导热基底上形成导热生长层以及位于单晶导热层上的包括多个二维材料单元的阵列；于各二维材料单元上形成源电极层、漏电极层、栅介质层及栅电极层，源电极层和... 详细信息

标准号: CN116230716A

本发明提供一种二维晶体管阵列及其制备方法，方法包括：提供一导热基底；于导热基底上形成导热生长层以及位于单晶导热层上的包括多个二维材料单元的阵列；于各二维材料单元上形成源电极层、漏电极层、栅介质层及栅电极层，源电极层和漏电极层在水平方向上相隔设置，栅介质层和栅电极层设置于源电极层与漏电极层之间。本发明以高热导率的基底和高导热率的AlN等材料作为二维材料晶体管的衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。同时，本发明可以有效降低二维晶体管的制作成本。

关键词：二维材料导热漏电极层源电极层晶体管基底栅电极层栅介质层二维二维集成电路晶体管阵列衬底材料高导热率高迁移率高热导率开态电流相隔设置导热层焦耳热门延迟生长层单晶沟道传导制备制作

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一种可拔插、通量化的多器官互连芯片

一种可拔插、通量化的多器官互连芯片

引用

作者：葛玉卿刘婷赵建龙吴蕾 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种可拔插、通量化的多器官互连芯片，包括盖板、多种器官培养小室、多器官互连芯片基体以及贴合于多器官互连芯片基体底部的高透光性封底膜；所述的多器官互连芯片基体上设置有若干小室插入孔，培养液灌流的进出口和连通各... 详细信息

标准号: CN116004384A

本发明涉及一种可拔插、通量化的多器官互连芯片，包括盖板、多种器官培养小室、多器官互连芯片基体以及贴合于多器官互连芯片基体底部的高透光性封底膜；所述的多器官互连芯片基体上设置有若干小室插入孔，培养液灌流的进出口和连通各器官的微管道，以及两连或者四连或者六连的腔室；所述的小室插入孔内安装有多种器官培养小室，可以嵌入多器官互连芯片基体中；所述的盖板安装在多器官互连芯片基体上部内用于防止污染。本发明可以实现多器官互连，灌流培养，具有制作简单，易批量化生产，兼容性强，可兼容多种器官培养，可进行显微观察，与多种商用检测设备兼容，兼容自动化装置，按照一定程序进行小室拔插，满足现代药物研发工业自动化操作需求。

关键词：互连芯片器官小室器官培养兼容插入孔拔插工业自动化培养液灌流自动化装置防止污染盖板安装高透光性灌流培养检测设备显微观察现代药物封底盖板兼容性批量化微管道互连腔室商用贴合研发连通嵌入量化进出口制作生产

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一种用于超导信号转换的接口电路及装置

一种用于超导信号转换的接口电路及装置

引用

作者：李楒琪高小平任洁王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种用于超导信号转换的接口电路包括：超导时钟模块将接收到的一路单磁通量子时钟信号复制成两路相同的单磁通量子时钟信号，分别作为接口电路的基准时钟以及用于校准的输出时钟；保护模块基于时钟基准对单磁通量子进行单向... 详细信息

标准号: CN116566381A

本发明提供一种用于超导信号转换的接口电路包括：超导时钟模块将接收到的一路单磁通量子时钟信号复制成两路相同的单磁通量子时钟信号，分别作为接口电路的基准时钟以及用于校准的输出时钟；保护模块基于时钟基准对单磁通量子进行单向传输，并通过削弱回流电流对超导时钟模块进行隔离保护；超导量子干涉模块将单磁通量子与模拟信号转换成单磁通量子脉冲。本发明的用于超导信号转换的接口电路及装置，通过调节超导时钟模块、保护模块及超导量子干涉模块中的电感和约瑟夫森结的临界电流，使单磁通量子与模拟信号转换成单磁通量子脉冲，便于超导电路与室温半导体电路的互联，极大提高了信号传输的准确性与可靠性，增强了超导电路的延展性。

关键词：磁通量子接口电路时钟模块超导量子干涉模拟信号转换保护模块超导电路时钟信号信号转换脉冲电感半导体电路约瑟夫森结延展性单向传输隔离保护基准时钟临界电流时钟基准输出时钟信号传输校准两路复制互联削弱

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一种对规则物体实现实时检测定位方法和系统

一种对规则物体实现实时检测定位方法和系统

引用

作者：黄敏江焰朋张晓林李嘉茂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种对规则物体实现实时检测定位方法，包括以下步骤：将包含物体的感兴趣区域处理成二值化图像；对所述二值化图像进行积分处理，并通过聚类算法获取聚类中心点；根据所述聚类中心点估计出物体的距离和姿态关系。本发明还涉... 详细信息

标准号: CN111932617B

本发明涉及一种对规则物体实现实时检测定位方法，包括以下步骤：将包含物体的感兴趣区域处理成二值化图像；对所述二值化图像进行积分处理，并通过聚类算法获取聚类中心点；根据所述聚类中心点估计出物体的距离和姿态关系。本发明还涉及一种对规则物体实现实时检测定位系统。本发明能够提高检测的精确度和鲁棒性。

关键词：二值化图像规则物体聚类中心实时检测感兴趣区域定位系统积分处理聚类算法鲁棒性检测

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一种光电集成生物传感器及生物分子检测设备

一种光电集成生物传感器及生物分子检测设备

引用

作者：周麟毛红菊赵建龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及生物传感器技术领域，特别涉及一种光电集成生物传感器及生物分子检测设备。包括：生物传感模块，用于检测目标生物分子的浓度；流体控制模块，用于控制样品进出生物传感模块；光电场效应管阵列，用于根据光强度变化产生检测... 详细信息

标准号: CN114324537B

本发明涉及生物传感器技术领域，特别涉及一种光电集成生物传感器及生物分子检测设备。包括：生物传感模块，用于检测目标生物分子的浓度；流体控制模块，用于控制样品进出生物传感模块；光电场效应管阵列，用于根据光强度变化产生检测电流；其中，生物传感模块的第一侧面与流体控制模块连接形成样品检测腔；第二侧面与光电场效应管阵列连接，第二侧面与光电场效应管阵列之间设置有物理隔离区。该光电集成生物传感器通过光电流信号的变化来实现目标生物分子的检测。通过引入生物可调制纳米光学生物传感模块，将生物分子的检测区域独立于电学器件之外，解决了生物溶液与电学器件的直接接触的问题，提高了器件响应的稳定性。

关键词：生物传感光电场效应管流体控制模块目标生物分子生物传感器电学器件光电集成侧面检测生物传感器技术生物分子检测光电流信号光强度变化检测区域纳米光学器件响应生物分子生物溶液样品检测阵列连接隔离区调制引入

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一种磁源定位装置及磁源定位方法

一种磁源定位装置及磁源定位方法

引用

作者：伍俊荣亮亮宋正威代海宾张国锋邱隆清张树林裴易峰谢晓明 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种磁源定位装置及磁源定位方法，所述磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于安装支架上，用于测量待定位磁源在全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于全张... 详细信息

标准号: CN109633541B

本发明提供一种磁源定位装置及磁源定位方法，所述磁源定位装置包括：安装支架，用于提供安装平台；全张量磁梯度测量组件，设于安装支架上，用于测量待定位磁源在全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；位置定位器，刚性连接于全张量磁梯度测量组件，用于测量全张量磁梯度测量组件在地理坐标系下的位置信息；测控组件，电连接于全张量磁梯度测量组件及位置定位器，用于采集磁场梯度值及位置信息，并根据采集的数据对待定位磁源进行定位；运动载体，设于安装支架下方，用于载运安装支架进行位置移动，以实现全张量磁梯度测量组件的位置移动。通过本发明解决了现有定位方法中存在虚解或受基线长度限制而无法实现长距离高精度定位的问题。

关键词：测量组件磁梯度安装支架磁源磁源定位装置位置定位器磁场梯度测量采集地理坐标系高精度定位安装平台测控组件长度限制刚性连接运动载体电连接基线

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一种层状结构、制备方法及传感器件

一种层状结构、制备方法及传感器件

引用

作者：涂敏唐振元 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请公开了一种层状结构、制备方法及传感器件，包括提供基底；在基底的表面施加惰性材料，形成惰性薄膜；对惰性薄膜进行图案化处理，得到图案化掩膜；在基底具有图案化掩膜的一面施加目标材料，形成目标材料层；所述惰性材料与所述... 详细信息

标准号: CN116924321A

本申请公开了一种层状结构、制备方法及传感器件，包括提供基底；在基底的表面施加惰性材料，形成惰性薄膜；对惰性薄膜进行图案化处理，得到图案化掩膜；在基底具有图案化掩膜的一面施加目标材料，形成目标材料层；所述惰性材料与所述目标材料之间存在化学惰性；机械剥离图案化掩膜，以去除图案化掩膜和目标材料层中与图案化掩膜对应的图案化区域，在基底上形成图案化功能层，得到层状结构。本申请在基底具有图案化掩膜的一面施加目标材料再机械剥离图案化掩膜，图案化掩膜采用的惰性材料与目标材料之间存在化学惰性，在机械剥离图案化掩膜过程中不会污染或腐蚀目标材料，使目标材料稳定可靠地集成于基底上，提升制备层状结构的制备精度和一致性。

关键词：图案化掩膜基底目标材料层状结构惰性材料机械剥离制备目标材料层惰性薄膜化学惰性施加图案化处理图案化区域表面施加传感器件腐蚀目标功能层图案化去除申请污染

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一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器

一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器

引用

作者：欧欣石航宁张师斌游天桂伊艾伦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄... 详细信息

标准号: CN113904645B

本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。

关键词：碳化硅单晶薄膜层氮化铝薄膜衬底压电器件支撑声波谐振器制备复合声波谐振器碳化硅复合电极设置器件性能氮化铝离子束谐振器电极减薄键合制备制作匹配剥离

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