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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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作者

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一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法

一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法

引用

作者：吴杨吴亮李根马灵美林昊锋 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行... 详细信息

标准号: CN117807835A

本发明提供一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaN HEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaN HEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取精度。

关键词：多栅栅指红外热成像三维有限元电热耦合热仿真二维热阻红外热成像法空间分辨率热耗散功率垂直沟道对比验证获取器件物理仿真不均匀热分布热扩散热模型电热沟道测试

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一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路

一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路

引用

作者：程新红刘天天 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiC MOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，还包括：寄存器模块，用于存储所述... 详细信息

标准号: CN113067565B

本发明涉及一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiC MOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，还包括：寄存器模块，用于存储所述逻辑信号；时钟产生模块，与所述寄存器模块相连，用于产生所述寄存器模块的所需的工作时钟信号；消隐时间配置模块，与所述寄存器模块相连，用于调节所述寄存器模块的有效位数和工作时钟频率；逻辑处理模块，用于根据所述寄存器模块中存储的逻辑信号，在发生短路时输出短路保护信号。本发明能够调整消隐时间，且具有较强的抗干扰能力。

关键词：寄存器模块消隐逻辑信号源漏电压存储短路保护电路工作时钟频率工作时钟信号逻辑处理模块时钟产生模块输出短路保护输出逻辑信号抗干扰能力比较模块监测模块时间可调时间配置有效位数抗干扰短路监测

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一种声学谐振器及其制备方法和应用

一种声学谐振器及其制备方法和应用

引用

作者：欧欣田雪娣张师斌郑鹏程姚虎林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2)；位于所述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极... 详细信息

标准号: CN118249770A

本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO₂中间层(2)；位于所述SiO₂中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极由相同厚度或不同厚度的接地电极(4)和信号电极(5)组成或者由相同厚度或不同厚度的叉指电极(6)和反射栅(7)组成。本发明通过改变金属电极的厚度可实现谐振器对不同机电耦合系数、谐振频率以及声速的需求。

关键词：金属电极声学谐振器压电薄膜中间层衬底制备方法和应用机电耦合系数叉指电极接地电极谐振频率信号电极反射栅谐振器支撑

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一种介电材料的制备方法及半导体结构

一种介电材料的制备方法及半导体结构

引用

作者：狄增峰刘冠宇薛忠营田子傲张苗 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介... 详细信息

标准号: CN113078044B

本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。

关键词：介电材料层衬底支撑层叠层结构介电材料石墨烯层剥离石墨烯制备半导体结构表面机械衬底材料电材料层器件性能制作过程基底去除制作损伤应用

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一种声表面波谐振器

一种声表面波谐振器

引用

作者：欧欣姚虎林张师斌 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电... 详细信息

标准号: CN114337583B

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；从而使得当该谐振器处于工作模式时，可以在压电薄膜区域形成准驻波。且该叉指换能器包括叉指电极区域，叉指电极区域包括叉指电极对，后续可以通过对叉指电极的尺寸进行调节，从而使使每对叉指电极对的菲涅尔区可以包括整个谐振器，实现抑制衍射效应的效果，提高了该器件的品质因数。

关键词：叉指电极叉指换能器声表面波谐振器压电薄膜谐振器微电子器件工作模式品质因数区域形成衍射效应依次层叠反射栅菲涅尔衬底驻波支撑

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高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法

高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法

引用

作者：肖克来提 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属... 详细信息

标准号: CN117613016A

本发明提供一种高散热系统集成芯片封装结构及其晶圆级封装方法，通过将冷却结构设置于封装体中，且对每个凹槽中的芯片实现立体围绕式散热，加之直接采用金属作为芯片封装体，提高芯片散热效率、降低芯片封装结构体积；芯片嵌入进金属基板中，可使芯片具有更佳的保护强度；将系统集成芯片的嵌入和芯片的散热腔一次性加工成型，降低封装复杂性及成本；还可根据不同芯片的不同散热需求进行散热腔的不同设计，实现散热性能差异化的集成散热整体封装，达到针对性散热，利于提高散热效率的同时减小封装体积；散热腔的进出液开口设置在封装体侧壁，进一步降低封装结构的厚度；以晶圆级形式进行整体封装，有效提高封装效率以及进一步降低封装成本。

关键词：散热腔散热芯片封装系统集成芯片封装结构整体封装嵌入一次性加工成型芯片封装结构封装体侧壁晶圆级封装芯片封装体封装效率金属基板开口设置冷却结构散热效率散热性能散热需求芯片散热芯片实现差异化封装体高散热晶圆级减小金属

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基于金属粉末填充的互连结构制造方法

基于金属粉末填充的互连结构制造方法

引用

作者：凌必赟夏彧虎吴亚明蔡敏力王潇悦 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于金属粉末填充的互连结构制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底中形成有用于制造互连结构的空腔；于空腔中填充金属粉末；将金属粉末固化成导电柱而形成互连结构。采用本发明，可以极大降低TSV通孔填充的难度、缩... 详细信息

标准号: CN117374004A

本发明提供一种基于金属粉末填充的互连结构制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底中形成有用于制造互连结构的空腔；于空腔中填充金属粉末；将金属粉末固化成导电柱而形成互连结构。采用本发明，可以极大降低TSV通孔填充的难度、缩短填充时间、降低了工艺成本；并且可以有效解决基于金属粉末孔结构填充产生的空洞等问题，优化填充质量。相较于低阻硅TSV，采用本发明制备的导电柱电导率高，适用于要求TSV导通电阻低的应用场景，扩展了TSV技术的应用场景；且相比于液体合金灌注填充TSV，晶圆垂直孔填充后表面磨抛量大幅度减小，降低了工艺成本。本发明尤其易于制造可靠性较高的厚衬底TSV基板，避免了现有填充技术的限制，扩展了应用场景。

关键词：填充互连结构金属粉末应用场景工艺成本导电柱基底空腔制造填充金属粉末电导率导通电阻液体合金有效解决垂直孔后表面孔结构衬底低阻基板减小晶圆磨抛制备固化灌注空洞优化

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一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法

一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法

引用

作者：李铁李亚钊陈栋钦陆仲明王翊 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口... 详细信息

标准号: CN118191066A

本发明属于传感器技术领域，包括一种双栅硅纳米线晶体管传感器及制作方法，在SOI硅片上利用各向异性湿法腐蚀技术在顶硅层中制作出凹槽以及位于凹槽底部的硅纳米线结构，然后在硅纳米线上方制作正栅介质层及正栅电极，并通过刻蚀窗口连通至SOI硅片的底硅层制作出背栅电极，形成在凹槽底部的双栅硅纳米线晶体管传感器，当待测物质改变正栅介质层表面电势时，硅纳米线导电通道的电流会随之变化，实现待测物检测。本发明采用全集成双栅结构能够有效提升电流调控能力，提高器件的灵敏度和信噪比，且器件的主要工作结构位于凹槽底部，能有效降低传感器检测时的流速干扰，便于液体环境检测；且制作工艺兼容CMOS工艺，适合大规模、批量化生产。

关键词：硅纳米线晶体管硅纳米线栅介质层传感器双栅传感器技术领域硅纳米线结构液体环境检测传感器检测背栅电极表面电势导电通道电流调控工作结构刻蚀窗口湿法腐蚀制作工艺待测物顶硅层灵敏度批量化信噪比栅电极栅结构硅层制作连通全集兼容检测生产

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一种兰姆波器件及其制备方法

一种兰姆波器件及其制备方法

引用

作者：欧欣房晓丽郑鹏程张师斌张丽萍 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结... 详细信息

标准号: CN113676150B

本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。

关键词：叉指电极总线布拉格反射层兰姆波器件阻抗层微电子器件交替层叠压电薄膜依次设置预设距离第一端衬底制备支撑

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一种二维材料的平面制样方法

一种二维材料的平面制样方法

引用

作者：董业民郎莉莉周鹏陈晓杰李晓东 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TE... 详细信息

标准号: CN117969574A

本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TEM的制备。

关键词：铜网制样机械手薄膜材料二维材料角度变换样品底座样品截面正常步骤破真空制备垂直

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