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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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- 24 篇 应用经济学
16 篇 教育学
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主题

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78 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
60 篇 无线传感器网络
50 篇 soi
44 篇 分子束外延
43 篇 微机电系统
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
35 篇 离子注入
35 篇 毫米波
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
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32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,646 篇 中国科学院上海微...
685 篇 中国科学院大学
500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
178 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
119 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

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12,652 篇 中文
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一种基于脑功能分区的柔性可拆分头皮脑电极的制备方法及其结构

一种基于脑功能分区的柔性可拆分头皮脑电极的制备方法及其结构

引用

作者：陶虎徐飞鸿周志涛魏晓玲梁佶智 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请实施例所公开的一种基于脑功能分区的柔性可拆分头皮脑电极的制备方法及其结构，根据大脑皮层的各功能区在头皮表面的位置映射以及各功能区在大脑颅骨上对应区域的弧度，确定头皮脑电极中电极区的数量和形状以划分和设计头皮脑电... 详细信息

标准号: CN111938633B

本申请实施例所公开的一种基于脑功能分区的柔性可拆分头皮脑电极的制备方法及其结构，根据大脑皮层的各功能区在头皮表面的位置映射以及各功能区在大脑颅骨上对应区域的弧度，确定头皮脑电极中电极区的数量和形状以划分和设计头皮脑电极，进而使得头皮脑电极可以按照不同信号探测部位的需求，进行电极区的拆分和组合使用，可以优化电极制造，覆盖大范围的头皮面积。此外，使用改性后的丝蛋白水凝胶作为电极的外部衬底，可以使得电极具有高柔性和高贴附性，具有良好的操作性，使得佩戴更加舒适，能够实现高空间采样率和高精度的脑电信号无创探测。

关键词：头皮脑电极电极区功能区电极大脑皮层电极制造脑电信号头皮表面位置映射信号探测采样率高空间高柔性脑功能水凝胶丝蛋白贴附性颅骨衬底改性可拆无创制备佩戴大脑探测分区外部覆盖申请优化

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一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器

一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器

引用

作者：李铁叶智玮周宏刘延祥陆仲明 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器，所述传感器由下至上依次包括：SiCOI晶圆(10)、下绝缘层(20)、下金属层(30)、上绝缘层(40)和上金属层(50)。本发明利用无线传输特性提高了测量的精确度，避开信号读取困难... 详细信息

标准号: CN117740178A

本发明涉及一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器，所述传感器由下至上依次包括：SiCOI晶圆(10)、下绝缘层(20)、下金属层(30)、上绝缘层(40)和上金属层(50)。本发明利用无线传输特性提高了测量的精确度，避开信号读取困难的同时，降低了制作成本，保留了SiC材料耐高温的特性，可实现超高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。

关键词：高温热流传感器无线传输特性恶劣环境上金属层上绝缘层无线无源下金属层下绝缘层信号读取准确测量超高温激发式耐高温热流传感器晶圆避开测量保留制作

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一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法

一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法

引用

作者：宋尧哲刘建坡王超懿童官军 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法，包括：基于大卷积核构建骨干网络部分，并使用第一图像训练集对所述骨干网络部分进行第一次训练，得到训练好的骨干网络部分；在训练好的骨干网络部分中加入GDCFPN模块，并使用第二... 详细信息

标准号: CN117726860A

本发明涉及一种基于大卷积核的像素鲁棒精细分类方法，包括：基于大卷积核构建骨干网络部分，并使用第一图像训练集对所述骨干网络部分进行第一次训练，得到训练好的骨干网络部分；在训练好的骨干网络部分中加入GDCFPN模块，并使用第二图像训练集对加入GDCFPN模块的骨干网络部分进行第二次训练，得到分类模型；将待分类的图片和目标图片输入所述分类模型中，将所述分类模型倒数第二层的输出特征作为待分类的图片的向量表示和目标图片的向量表示，计算待分类的图片的向量表示和目标图片的向量表示之间的距离，并通过设定的阈值判断对待分类的图片和目标图片是否属于同一个身份。本发明能够提升低像素图像的识别准确率。

关键词：骨干网络目标图片向量表示分类模型分类图像训练集卷积核图片精细分类输出特征阈值判断低像素准确率构建鲁棒像素倒数图像身份

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一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法

一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法

引用

作者：郑理张峻程新红苏杭 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法，所述终端结构沿外延生长方向包括：欧姆接触阴极(101)、N+衬底(102)、N‑漂移层(103)、肖特基接触阳极(106)和钝化层(107)；N‑漂移层(103)顶部、肖特基接触阳极(106)边缘下方设置有... 详细信息

标准号: CN118335807A

本发明涉及一种基于氧化镍的异质结终端结构及制备方法，所述终端结构沿外延生长方向包括：欧姆接触阴极(101)、N⁺衬底(102)、N^‑漂移层(103)、肖特基接触阳极(106)和钝化层(107)；N^‑漂移层(103)顶部、肖特基接触阳极(106)边缘下方设置有P型掺杂主结(1051)，N^‑漂移层(103)顶部、钝化层(107)下方设置有P型掺杂场限环(1052)，N^‑漂移层(103)顶部、器件边缘设置有N⁺场终止环(104)。本发明采用的NiO材料内部自发产生的Ni空位或间隙氧原子，可以容易地获得较高的P型掺杂浓度，很好地解决了一些天然N型掺杂的宽禁带半导体材料P型掺杂难度大、工艺不成熟的问题。

关键词：漂移层肖特基接触阳极终端结构钝化层宽禁带半导体材料阴极外延生长方向材料内部欧姆接触器件边缘场限环间隙氧氧化镍异质结空位衬底主结制备成熟

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一种分子束外延中标定衬底温度的方法

一种分子束外延中标定衬底温度的方法

引用

作者：王坤龚谦刘若涛吴健初张韵雯 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种分子束外延中标定衬底温度的方法，本发明可以精确掌控分子束外延中的衬底温度，在样品架热偶失效的情况下也可以对衬底实际温度进行测量，对于分子束外延尤其是生长温度区间较窄的材料具有重要的实际应用价值。

标准号: CN117587503A

关键词：分子束外延衬底温度区间样品架标定热偶测量生长应用

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一种电极层的制备方法及半导体结构

一种电极层的制备方法及半导体结构

引用

作者：狄增峰刘冠宇薛忠营田子傲张苗 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标... 详细信息

标准号: CN113078054B

本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。

关键词：电极层衬底支撑层叠层结构石墨烯层剥离石墨烯制备半导体结构表面机械衬底材料器件性能制作过程基底去除制作损伤应用

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一种太赫兹近场成像装置、信号提取方法

一种太赫兹近场成像装置、信号提取方法

引用

作者：王长党展曹俊诚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种太赫兹近场成像装置、信号提取方法。近场成像装置包括：光源，用来产生照明光束；分束器，用来将光源发出的所述照明光束转化为第一参考光束和第一探测光束；参考光路，包括电光晶体和第一反射镜，所述参考光路通过调节... 详细信息

标准号: CN117741797A

本发明涉及一种太赫兹近场成像装置、信号提取方法。近场成像装置包括：光源，用来产生照明光束；分束器，用来将光源发出的所述照明光束转化为第一参考光束和第一探测光束；参考光路，包括电光晶体和第一反射镜，所述参考光路通过调节所述电光晶体的主轴方向和外加电场来对所述第一参考光束进行相位调制生成调制参考光束；探测光路，用来引导所述第一探测光束激发显微镜探针针尖样品偶极子系统发生近场电磁相互作用，生成带有样品物理信息的近场散射探测光束；分析成像模块，用来对所述调制参考光束与所述近场散射探测光束形成的干涉光信号进行分析，获得被测样品的电磁图像。本发明能够实现太赫兹近场散射信号的高灵敏度和高信噪比获取。

关键词：参考光束近场近场成像装置散射探测光束参考光路电光晶体探测光束照明光束调制光源电磁相互作用干涉光信号显微镜探针被测样品成像模块高灵敏度散射信号探测光路外加电场物理信息相位调制信号提取主轴方向反射镜分束器针尖高信偶极分析图像激发转化

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一种多阈值纳米片GAAFET器件阵列及其制备方法

一种多阈值纳米片GAAFET器件阵列及其制备方法

引用

作者：母志强陈锦俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种多阈值纳米片全包围栅场效应晶体管(GAAFET)器件阵列及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和第二沟道的厚度不同，得到不同厚度的纳米片。此外，对第一沟道和... 详细信息

标准号: CN118198067A

本发明涉及一种多阈值纳米片全包围栅场效应晶体管(GAAFET)器件阵列及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和第二沟道的厚度不同，得到不同厚度的纳米片。此外，对第一沟道和第二沟道设置不同厚度的功函数层，进一步控制不同沟道区域器件的阈值电压。本发明通过调控纳米片的不同厚度与沟道间距以及金属栅电极厚度以精确控制并实现GAAFET的多阈值，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。

关键词：沟道纳米片场效应晶体管金属栅电极功函数层沟道区域器件阵列全包围栅市场应用制备工艺阈值电压沟道区空腔跨设制备兼容调控

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一种顶栅结构的制备方法及半导体结构

一种顶栅结构的制备方法及半导体结构

引用

作者：狄增峰刘冠宇薛忠营田子傲张苗 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转... 详细信息

标准号: CN113078053B

本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。

关键词：顶栅结构栅介质层衬底栅电极层支撑层叠层结构石墨烯层剥离石墨烯制备半导体结构栅介质材料表面机械衬底材料器件性能制作过程基底去除制作损伤应用

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一种脑内信号采集器件及其制备方法、脑机接口

一种脑内信号采集器件及其制备方法、脑机接口

引用

作者：陶虎杨会然魏晓玲周志涛 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请涉及一种脑内信号采集器件及其制备方法、脑机接口，脑内信号采集器件包括生物丝蛋白基底；位于生物丝蛋白基底上的脑电极；脑电极用于采集脑电信号；位于脑电极上的第一生物丝蛋白绝缘层；位于第一生物丝蛋白绝缘层上的颅内信息... 详细信息

标准号: CN111938632B

本申请涉及一种脑内信号采集器件及其制备方法、脑机接口，脑内信号采集器件包括生物丝蛋白基底；位于生物丝蛋白基底上的脑电极；脑电极用于采集脑电信号；位于脑电极上的第一生物丝蛋白绝缘层；位于第一生物丝蛋白绝缘层上的颅内信息采集层；颅内信息采集层用于采集颅内温和颅内压；位于颅内信息采集层上的生物丝蛋白封装层。该脑内信号采集器件具备多功能、可植入、可体内降解、可长期在体稳定记录、高时空分辨率等优势，不仅可以采集脑电信号，还可以采集颅内信息，从而可以实时监控颅内出血、颅内感染等问题。

关键词：生物丝蛋白颅内信号采集器件信息采集层脑电极绝缘层采集脑电信号基底采集高时空分辨率颅内出血颅内感染脑机接口实时监控封装层可植入颅内压降解制备体内记录申请

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