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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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机构

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49 篇 信息功能材料国家...

作者

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227 篇 刘卫丽
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216 篇 王永良
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一种无磁屏蔽环境下低温超导约瑟夫森结电流测试方法

一种无磁屏蔽环境下低温超导约瑟夫森结电流测试方法

引用

作者：周健王娟王永良彭炜 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种无磁屏蔽环境下低温超导约瑟夫森结电流测试方法，包括以下步骤：将待测样品放置于样品架上，并将样品架置于所述测试杆底部；将测试杆插入灌满液氦的杜瓦中，测量所述待测样品温度；当所述待测样品的温度低于预设温度时... 详细信息

标准号: CN117388044A

本发明涉及一种无磁屏蔽环境下低温超导约瑟夫森结电流测试方法，包括以下步骤：将待测样品放置于样品架上，并将样品架置于所述测试杆底部；将测试杆插入灌满液氦的杜瓦中，测量所述待测样品温度；当所述待测样品的温度低于预设温度时开始测量所述待测样品的I_cij，测量m次，根据测量的m次结果求取平均值I_ci‑av和不确定度U_i，并对所述待测样品进行加热去磁通操作；判断当前测试的轮次是否到达设置轮数n，当未到达时进行下一轮测试，当到达时根据得到的多对平均值I_ci‑av和不确定度U_i构建关系模型；基于关系模型求取U_i＝0时的平均值I_ci‑av，将得到平均值I_ci‑av作为无屏蔽环境下的临界电流I_c的经验值。本发明解决现有无并联电阻低温超导约瑟夫森结临界电流测量成本高，精度偏低的问题。

关键词：待测样品测量约瑟夫森结不确定度低温超导关系模型屏蔽环境测试杆样品架测试临界电流Ic 并联电阻测量成本电流测试临界电流设置轮杜瓦构建灌满无磁液氦预设加热

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基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法

基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层中插入有介质牺牲层；2)在器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀半导体层及介质牺牲层，以在介质... 详细信息

标准号: CN111952184B

本发明提供一种基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层中插入有介质牺牲层；2)在器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀半导体层及介质牺牲层，以在介质牺牲层上下方分别形成第一、第二线型半导体沟道；4)采用湿法腐蚀去除介质牺牲层及部分绝缘层以形成空腔；5)制备栅介质层及栅电极层；6)在第一、第二线型半导体沟道两端的半导体层中形成源区及漏区。本发明可避免介质牺牲层的侧向腐蚀，本发明具有较高的电学性能、较小的工艺难度及广泛的工艺兼容性。本发可通过一次湿法腐蚀形成上下堆叠的线型半导体沟道，大大节省工艺，并有效提高器件的驱动能力。

关键词：牺牲层线型半导体沟道制备绝缘层半导体湿法腐蚀顶层场效应晶体管刻蚀半导体层工艺兼容性半导体层侧向腐蚀衬底结构电学性能工艺难度器件区域驱动能力上下堆叠栅电极层栅介质层隔离区介质层图形化衬底环栅空腔漏区埋层去除源区外围

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一种基于语义-实例-全景关联约束的全景分割方法

一种基于语义-实例-全景关联约束的全景分割方法

引用

作者：李嘉茂黄心阳张广慧朱冬晨王磊 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于语义‑实例‑全景关联约束的全景分割方法，包括：接收待全景分割的图片；将待全景分割的图片输入至全景分割模型，得到全景分割结果；其中，全景分割模型包括：特征提取部分，用于对输入的图片进行多尺度的特征提取，... 详细信息

标准号: CN117710678A

本发明涉及一种基于语义‑实例‑全景关联约束的全景分割方法，包括：接收待全景分割的图片；将待全景分割的图片输入至全景分割模型，得到全景分割结果；其中，全景分割模型包括：特征提取部分，用于对输入的图片进行多尺度的特征提取，得到语义多尺度特征和实例多尺度特征；门控编码模块，用于通过双向信息交互增强语义多尺度特征和实例多尺度特征，得到强化语义多尺度特征和强化实例多尺度特征；语义头模块，用于对强化语义多尺度特征进行预测，得到语义预测结果；实例头模块，用于对强化实例多尺度特征进行预测，得到实例预测结果；融合模块，用于将语义预测结果和实例预测结果进行融合得到全景分割结果。本发明提高了分割精度与效率。

关键词：多尺度特征语义全景分割分割结果分割模型实例预测特征提取语义预测双向信息交互编码模块关联约束融合模块图片输入多尺度预测门控融合图片

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一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路

一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路

引用

作者：程新红周学通郑理俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路，包括低速支路和高速支路，所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连，输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连，所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被... 详细信息

标准号: CN117478111A

本发明涉及一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路，包括低速支路和高速支路，所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连，输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连，所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的快速开关；所述低速支路在即将进入稳态时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的低栅压振荡。本发明能够同时实现高速开关和低栅压振荡。

关键词：支路氮化镓功率器件被控振荡低栅快速驱动电路输出端相连高速开关开关切换快速开关驱动芯片栅极相连输出端输入端稳态主导

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一种碳化硅MOSFET器件的制备方法

一种碳化硅MOSFET器件的制备方法

引用

作者：郑理黄飞清程新红 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种碳化硅MOSFET器件的制备方法，提供一中间结构，所述中间结构包括碳化硅衬底及位于所述碳化硅衬底上表面的外延层；采用等离子体氮化处理工艺钝化所述外延层的上表面形成钝化层；采用低温沉积工艺于所述钝化层的上表面形... 详细信息

标准号: CN118116796A

本发明提供一种碳化硅MOSFET器件的制备方法，提供一中间结构，所述中间结构包括碳化硅衬底及位于所述碳化硅衬底上表面的外延层；采用等离子体氮化处理工艺钝化所述外延层的上表面形成钝化层；采用低温沉积工艺于所述钝化层的上表面形成氧化层，并采用等离子体氧化处理工艺处理所述氧化层；采用低温氧气退火工艺对所述氧化层进行氧气退火，并采用高温氮气退火工艺对所述氧化层进行氮气退火。本发明提供的碳化硅MOSFET器件的制备方法能够减少碳化硅外延层与氧化层相结合的介质界面处存在的界面态陷阱及近界面态陷阱。

关键词：氧化层退火碳化硅MOSFET 退火工艺中间结构钝化层界面态上表面碳化硅外延层制备陷阱等离子体氮化处理等离子体氧化处理碳化硅外延层氮气衬底上表面低温沉积低温氧气高温氮气工艺处理介质界面衬底钝化氧气

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磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器

磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器

引用

作者：邱隆清闫嘉熙张健荣亮亮 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器，包括：采集同一时刻下的待测磁场的第一轴方向、第二轴方向以及第三轴方向的磁场信号，以及，各轴方向上的振动信号；基于各轴方向上的磁场信号以及对应的振动信号计算得到... 详细信息

标准号: CN117930093A

本发明提供一种磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器，包括：采集同一时刻下的待测磁场的第一轴方向、第二轴方向以及第三轴方向的磁场信号，以及，各轴方向上的振动信号；基于各轴方向上的磁场信号以及对应的振动信号计算得到各轴方向上的磁场信号与对应的振动信号之间的相关函数；基于各轴方向的振动信号以及相关函数对对应轴方向上的磁场信号补偿，进而得到降噪后的磁场信号。本发明通过振动信号以及磁场信号之间的关联性，从而将磁场信号中由于振动产生的噪声做针对性的去除，提高了磁场矢量传感器的抗低频振动能力，进一步提升磁场探测器的性能。

关键词：磁场信号振动信号磁场探测器相关函数降噪磁场测量系统磁场矢量低频振动同一时刻振动产生传感器第二轴第三轴第一轴关联性去除磁场噪声采集

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一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构

一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构

引用

作者：郑理苏杭程新红张峻俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构，提供半导体器件结构，增大场限环环宽度至阻断电压随环宽度增大的速率小于等于预设速率；将场限环分为全耗尽区域和未全耗尽区域，设置未全耗尽区域场限环环间距从内向外... 详细信息

标准号: CN118153502A

本发明提供一种半导体器件终端结构的设计方法及半导体器件结构，提供半导体器件结构，增大场限环环宽度至阻断电压随环宽度增大的速率小于等于预设速率；将场限环分为全耗尽区域和未全耗尽区域，设置未全耗尽区域场限环环间距从内向外等差递增，调整递增公差至主结电场与末环结电场相等或差值最小；减小未全耗尽区域内场限环环宽度至最小。本发明调节整体场限环参数增大末结电场提高电场均匀性，再分别调节未全耗尽和全耗尽区域的场限环参数降低末结电场增大带来的曲率效应，进一步提高电场均匀性，提高阻断电压利用率。本发明受2022年国家重点研发项目资助(项目编号：2022YFB3604300，课题编号：2022YFB3604303，项目名称：GaN基纵向功率电子材料与器件研究)。

关键词：耗尽区域电场半导体器件结构电场均匀性阻断电压场限环半导体器件参数增大等差递增电子材料国家重点宽度增大器件研究曲率效应终端结构纵向功率公差整体场环结减小内场研发预设主结耗尽相等递增

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一种雾计算网络的资源调度方法

一种雾计算网络的资源调度方法

引用

作者：周明拓郁春波贺文 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种雾计算网络的资源调度方法，包括以下步骤：确定需要卸载辅助计算任务的卸载雾节点；遍历所述卸载雾节点的辅助雾节点，获取所述辅助雾节点的计算资源信息和通信效率信息；根据所述计算资源信息和通信效率信息对所述辅助... 详细信息

标准号: CN117793202A

本发明涉及一种雾计算网络的资源调度方法，包括以下步骤：确定需要卸载辅助计算任务的卸载雾节点；遍历所述卸载雾节点的辅助雾节点，获取所述辅助雾节点的计算资源信息和通信效率信息；根据所述计算资源信息和通信效率信息对所述辅助雾节点进行综合评价，并根据所述综合评价结果确定最优辅助雾节点；令所述最优辅助雾节点执行所述辅助计算任务并将任务处理结果发送给所述卸载雾节点。本发明能够优化雾计算网络在雾节点通信能力受限的使用场景下的资源调度。

关键词：卸载计算资源信息计算网络通信效率资源调度综合评价任务处理结果节点通信节点执行结果确定能力受限使用场景遍历优化

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一种SNSPD低温读出电路及装置

一种SNSPD低温读出电路及装置

引用

作者：张伟君陈志刚张兴雨王钰泽熊佳敏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种SNSPD低温读出电路及装置，包括第一电阻、第一电容和LC滤波电路；第一电容与SNSPD的输出端口连接并与后级电路的输入电阻形成RC滤波回路，RC滤波回路用来获取完整的SNSPD脉冲信号并将SNSPD脉冲信号输出至低温放大器；第... 详细信息

标准号: CN118190153A

本发明涉及一种SNSPD低温读出电路及装置，包括第一电阻、第一电容和LC滤波电路；第一电容与SNSPD的输出端口连接并与后级电路的输入电阻形成RC滤波回路，RC滤波回路用来获取完整的SNSPD脉冲信号并将SNSPD脉冲信号输出至低温放大器；第一电阻和LC滤波电路组成的串联电路分别与SNSPD的输出端口、偏置电压连接，用来为SNSPD提供直流偏置并滤除所述直流偏置的噪声。RC滤波回路能够改善SNSPD低温读出电路的带宽，减少脉冲信号反射，LC滤波回路能够改善直流分路的电噪声状态使读出电路能够有效获取SNSPD的脉冲信号，两者相结合能够有效改善器件的测量转变电流并提升器件整体探测性能。

关键词：滤波回路读出电路脉冲信号滤波电路直流偏置电容电阻脉冲信号输出输出端口连接低温放大器串联电路后级电路偏置电压输出端口输入电阻提升器件有效获取整体探测直流分路电噪声滤除反射噪声带宽测量

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一种片上两比特门系统及其实现方法

一种片上两比特门系统及其实现方法

引用

作者：林志荣刘匡高万鹏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门... 详细信息

标准号: CN113934680B

本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门，逻辑与门根据偏置电流控制SFQ子脉冲序列的输出；模计数单元包括两个模N计数器，每个模N计数器接收SFQ子脉冲序列并对SFQ子脉冲序列进行周期变换输出SFQ输出脉冲序列；两比特门的第一量子比特和第二量子比特分别基于SFQ输出脉冲序列被调控，再通过调节耦合量子比特的频率进行两比特耦合强度调控，从而实现可集成于片上的两比特门操作。本发明能够降低微波线路的硬件消耗。

关键词：子脉冲转换器输出脉冲序列计数器计数单元逻辑与门脉冲序列分路器输出量子偏置电流微波线路微波信号硬件消耗周期变换耦合量子耦合可集成门操作门系统调控两路复制转换

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