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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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25 篇 经济学
- 24 篇 应用经济学
16 篇 教育学
7 篇 法学
6 篇 文学
2 篇 历史学

主题

86 篇 锂离子电池
78 篇 相变存储器
78 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
60 篇 无线传感器网络
50 篇 soi
44 篇 分子束外延
43 篇 微机电系统
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
35 篇 离子注入
35 篇 毫米波
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
33 篇 石墨烯
32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,646 篇 中国科学院上海微...
685 篇 中国科学院大学
500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
178 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
119 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

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12,652 篇 中文
16 篇 英文
6 篇 日文

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一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法

一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法

引用

作者：李昕欣徐铁刚高式沅 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法，所述数字PCR芯片由下至上包括基底(1)、进样流道(2)、微腔阵列(4)和透气阻水薄膜(5)；所述微腔阵列(4)垂直于所述进样流道(2)排布；所述进样流道(2)和所述微腔阵列(4)之... 详细信息

标准号: CN118109277A

本发明涉及一种高精确度3D结构复合材料数字PCR芯片及其制备方法，所述数字PCR芯片由下至上包括基底(1)、进样流道(2)、微腔阵列(4)和透气阻水薄膜(5)；所述微腔阵列(4)垂直于所述进样流道(2)排布；所述进样流道(2)和所述微腔阵列(4)之间设有通孔(3)用于样品流通。本发明不仅有利于待检测样品的分散，而且对反应体系稳定性，以及荧光检测的准确性都有提升；本发明结构简单，没有设置阀门，也没有设置防挥发层，有望被应用于极高精度数字化生物检测中。

关键词：微腔阵列进样流数字PCR 芯片高精度数字化待检测样品防挥发层生物检测透气阻水荧光检测复合材料阀门基底排布通孔制备薄膜垂直流通应用

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一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器

一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器

引用

作者：欧欣郑鹏程张师斌吴进波张丽萍 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵... 详细信息

标准号: CN115001438B

本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。

关键词：反射栅电极阵列叉指电极阵列声波谐振器压电薄膜电极衬底表面波谐振器制备技术领域滤波器叉指电极反射频率集成器件非标准泄漏声减小异质杂散申请泄漏

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一种可见光片上光谱仪及其制备方法

一种可见光片上光谱仪及其制备方法

引用

作者：武爱民李昂王茹雪刘向华 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2n个输出端，用于将所述可见光分为2n束；随机波导阵列，由2n个随机波导构成，2... 详细信息

标准号: CN117589300A

本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2ⁿ个输出端，用于将所述可见光分为2ⁿ束；随机波导阵列，由2ⁿ个随机波导构成，2ⁿ个随机波导的输入端分别与所述分光器的2ⁿ个输出端耦合，2ⁿ个随机波导的输出端均集成有一个光电探测器；控制器，用于控制所述随机波导的通断形成不同的随机波导采样矩阵，并通过算法重构所述可见光的光谱。

关键词：波导可见光输出端耦合输入耦合器光谱仪分光器输出端输入端光电探测器波导阵列采样矩阵算法重构控制器光谱通断制备

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一种基于前倾波束的功率测试装置及其测试方法

一种基于前倾波束的功率测试装置及其测试方法

引用

作者：周健孙芸钱蓉孙晓玮 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供了一种基于前倾波束的功率测试装置，包括支撑平台，安装于支撑平台上且由下至上依次连接的X向移动载台、第一升降支架、三角倾斜支架和天线支架，以及安装于支撑平台上且由下至上依次连接的固定载台、第二升降支架及可切换... 详细信息

标准号: CN111366792B

本发明提供了一种基于前倾波束的功率测试装置，包括支撑平台，安装于支撑平台上且由下至上依次连接的X向移动载台、第一升降支架、三角倾斜支架和天线支架，以及安装于支撑平台上且由下至上依次连接的固定载台、第二升降支架及可切换的激光发射单元和毫米波收发单元，第二升降支架与所述第一升降支架的结构完全相同，天线支架上安装有待测天线，待测天线设置为发射待测毫米波前倾波束。本发明还提供了相应的功率测试方法。本发明的基于前倾波束的功率测试装置采用X向移动载台、升降支架和三角倾斜支架，可以精确调节待测天线在X轴、Z轴的位置和前倾角度θ，实现毫米波的前倾波束与毫米波收发单元的精确对准，可测试毫米波前倾波束的功率。

关键词：波束前倾毫米波升降支架支撑平台功率测试装置倾斜支架收发单元天线支架依次连接载台天线激光发射单元功率测试固定载台天线设置可测试可切换对准发射

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一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法

一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法

引用

作者：姜文铮母志强赵佳李卫民俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空... 详细信息

标准号: CN117375547A

本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。

关键词：压电薄膜键合层压电层体声波谐振器第一电极开口介质层图形化衬底减薄单晶压电薄膜机电耦合系数品质因数Q 衬底键合第二电极工艺制备空腔结构性能参数引出结构生长层再生长生长单晶电性刻蚀去除制备掺杂暴露制作

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一种以存代算在线学习预测芯片及方法

一种以存代算在线学习预测芯片及方法

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作者：钱星宇陈小刚李顺芬阿西木宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技... 详细信息

标准号: CN112668180B

本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技术方式，构建存算单元阵列和单元间互连线。单元互连线连接各个存算单元，各个单元通过互连线连通协同工作解决复杂问题，存算单元内部包括：I/O访问、数据比对、误差统计、分辨聚类、任务管理、任务分发、预测收集及管理、模型输出等系统模块。本发明能够减少数据传输和云中心计算压力。

关键词：互连线数据传输在线学习中心计算实时性数据存储方式单元阵列复杂计算复杂问题技术方式计算资源前端设备任务分发任务管理数据比对数据预测误差统计系统模块数据处理单元间物联网预测构建聚类连通分辨协同芯片输出更新管理

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基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法

基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法

引用

作者：程新红刘少煜郑理俞跃辉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；... 详细信息

标准号: CN118136653A

本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。

关键词：上表面沟槽型MOSFET 欧姆接触层高k介质层栅电极层上表层外延层栅氧层邻接源极源极金属层电场集中反向耐压沟槽侧壁沟槽拐角沟槽内壁高k介质碳化硅延伸衬底底面覆盖制作

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一种星地融合网络中的资源分配方法

一种星地融合网络中的资源分配方法

引用

作者：张梦莹杨秀梅汪涵赵宇卜智勇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种星地融合网络中的资源分配方法，包括：构建星地融合网络模型；网络控制实体获取每个卫星终端的位置信息和传输需求，并获取每个地面通信系统的位置信息和传输需求；根据卫星终端的以及所述地面通信系统的位置信息和传输... 详细信息

标准号: CN115474281B

本发明涉及一种星地融合网络中的资源分配方法，包括：构建星地融合网络模型；网络控制实体获取每个卫星终端的位置信息和传输需求，并获取每个地面通信系统的位置信息和传输需求；根据卫星终端的以及所述地面通信系统的位置信息和传输需求，网络控制实体执行资源分配，确定卫星在一个资源分配窗口中的每个时隙中使用共享频谱服务的卫星终端集合，以及每个地面通信系统在一个资源分配窗口中可使用共享频谱进行传输的时隙集合；网络控制实体将资源分配结果发送给卫星通信系统和地面通信系统；卫星和地面通信系统根据资源分配结果进行传输。

关键词：地面通信系统资源分配网络控制实体传输需求卫星终端资源分配结果融合网络卫星通信系统共享频谱服务传输共享频谱时隙集合卫星构建集合

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一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构

一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构

引用

作者：欧欣周李平伊艾伦游天桂 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，... 详细信息

标准号: CN113284839B

本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键合灵活以及键合强度高的优点。

关键词：键合钻石晶体异质半导体技术领域键合介质亲水键合异质结构抛光绕过灵活引入申请

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一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件

一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件

引用

作者：游天桂覃晴程欧欣石航宁刘旭冬 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件。通过先在异质衬底中的氮化铝或者氮化镓中进行离子注入，以在氮化铝或者氮化镓中形成缺陷层，将其与支撑衬底进行键合后，再利用激光剥离的方法使氮... 详细信息

标准号: CN117373912A

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件。通过先在异质衬底中的氮化铝或者氮化镓中进行离子注入，以在氮化铝或者氮化镓中形成缺陷层，将其与支撑衬底进行键合后，再利用激光剥离的方法使氮化铝或者氮化镓转移到支撑衬底上，由于无需通过高温退火剥离阶段，避免极大热应力的产生，激光作用于损伤层，提高氮化铝或者氮化镓吸收激光的效率，实现高效率剥离。

关键词：衬底氮化铝氮化镓异质半导体技术领域半导体器件剥离阶段高温退火激光剥离激光作用高效率缺陷层热应力损伤层再利用支撑键合制备离子剥离激光吸收

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