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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7,582 篇 专利
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- 357 篇 机械工程
- 341 篇 计算机科学与技术...
- 332 篇 控制科学与工程
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- 159 篇 航空宇航科学与技...
- 153 篇 软件工程
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- 38 篇 交通运输工程
- 33 篇 生物医学工程（可授...
- 26 篇 核科学与技术
643 篇 理学
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- 125 篇 化学
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- 64 篇 生物学
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- 141 篇 管理科学与工程(可...
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47 篇 艺术学
- 44 篇 设计学（可授艺术学...
43 篇 农学
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25 篇 经济学
- 24 篇 应用经济学
16 篇 教育学
7 篇 法学
6 篇 文学
2 篇 历史学

主题

86 篇 锂离子电池
78 篇 相变存储器
78 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
60 篇 无线传感器网络
50 篇 soi
44 篇 分子束外延
43 篇 微机电系统
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
35 篇 离子注入
35 篇 毫米波
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
33 篇 石墨烯
32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,646 篇 中国科学院上海微...
685 篇 中国科学院大学
500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
178 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
119 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

语言

12,652 篇 中文
16 篇 英文
6 篇 日文

检索条件"机构=上海微系统和技术信息研究所"

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一种基于重叠连通支配集的间接信任计算与分发方法

一种基于重叠连通支配集的间接信任计算与分发方法

引用

作者：易力房卫东张武雄郜伟伟李宝清 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于重叠连通支配集的间接信任计算与分发方法，包括以下步骤：构建至少3层的重叠连通支配集；当第一节点请求获取第二节点的信誉值时，第一节点分别在每层连通支配集中发布请求信息；当某个节点发现恶意行为时，将所述... 详细信息

标准号: CN114339940B

本发明涉及一种基于重叠连通支配集的间接信任计算与分发方法，包括以下步骤：构建至少3层的重叠连通支配集；当第一节点请求获取第二节点的信誉值时，第一节点分别在每层连通支配集中发布请求信息；当某个节点发现恶意行为时，将所述恶意行为的相关信息发布到整个网络中；所述恶意行为相关的节点的邻居节点存储所述恶意行为的相关信息，并更新所述恶意行为相关的节点的信誉值。本发明能够可靠传输信任信息。

关键词：恶意行为连通相关信息发布请求信息节点发现节点请求可靠传输邻居节点信任信息整个网络信誉构建分发存储更新发布

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一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构

一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构

引用

作者：黄海阳李伟周易甘峰源 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构，包括：衬底；两条硅纳米柱子链，平行设置在所述衬底上；每条硅纳米柱子链包括高度相同的普通柱和缺陷柱，所述普通柱和缺陷柱排成一列，所述缺陷柱设置在所述硅纳米柱子链末端的第一... 详细信息

标准号: CN115951431A

本发明涉及一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构，包括：衬底；两条硅纳米柱子链，平行设置在所述衬底上；每条硅纳米柱子链包括高度相同的普通柱和缺陷柱，所述普通柱和缺陷柱排成一列，所述缺陷柱设置在所述硅纳米柱子链末端的第一根和第三根的位置；所述缺陷柱的半径大于所述普通柱的半径。本发明能够在不同的输入光相位下进行3D光链路的开关调制，并在不同波长下表现出相反的开关特性。

关键词：缺陷柱硅纳米柱子衬底波长相关开关调制开关特性平行设置微纳结构光开关光链路链末端输入光波长表现

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一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法

一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法

引用

作者：刘正新刘文柱石建华杜俊霖韩安军孟凡英张丽平 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽... 详细信息

标准号: CN116435403A

本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理；清洗。该方法使单晶硅片的侧面和边缘部分正面、背面的金字塔，菱角，突刺和凹槽的峰和谷变圆滑，而硅片其他区域的金字塔结构维持不变，不改变表面反射率，可以使得单晶硅片具有柔性的特征，从而提高力学性能。

关键词：单晶硅片金字塔菱角突刺制备清洗单晶硅片表面等离子体刻蚀柔性太阳电池表面反射率金字塔结构侧面圆滑力学性能圆滑处理减反射硅片制绒背面制作

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一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法

一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法

引用

作者：万文坚曹俊诚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，所述的量子级联激光器材料有源区为InxGa1‑xAs/InyAl1‑yAs多量子阱，其中0.53<x<1，0<y<0.52，通过生长InGaAs调试结构、InGaAs校准结构，In... 详细信息

标准号: CN116565692A

本发明涉及一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，所述的量子级联激光器材料有源区为In_xGa_1‑xAs/In_yAl_1‑yAs多量子阱，其中0.53<x<1，0<y<0.52，通过生长InGaAs调试结构、InGaAs校准结构，InAlAs调试结构、InAlAs校准结构，获得生长参数In源温度、Ga源温度、Al源温度、In_xGa_1‑xAs生长速率和In_yAl_1‑_yAs生长速率。本发明方法生长应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器材料，外延效率及准确性得到提高。

关键词：量子级联激光器生长生长参数校准结构应变补偿调试多量子阱校准速率和源区

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一种辅助转移的转移工装及其应用

一种辅助转移的转移工装及其应用

引用

作者：李铁魏擅红窦艳枝 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种辅助转移的转移工装及其应用，所述转移工装包括：转移基板、设于转移基板上表面的界面改性层，转移基板与界面改性层上设有阵列化的通孔结构。所述通孔可对所述转移工装表面溶液进行有效分流，减小了所述转移工装对溶液... 详细信息

标准号: CN116525523A

本发明涉及一种辅助转移的转移工装及其应用，所述转移工装包括：转移基板、设于转移基板上表面的界面改性层，转移基板与界面改性层上设有阵列化的通孔结构。所述通孔可对所述转移工装表面溶液进行有效分流，减小了所述转移工装对溶液升降的阻力与薄膜的滑移；所述转移工装可依据需要发生临时或永久性形变且表面可控，在溶液水位下降时便于对待转移物下方的溶液进行导流，提高待转移物贴合平整度，在溶液水位上升时待转移物又可从该表面剥离，利用所述转移工装即可在一个溶液池内辅助完成待转移物的转移，避免了待转移物在多个溶液池间转移时的破损或磨损，实现了待转移物大尺寸的转移。

关键词：工装待转移物转移基板界面改性层溶液水位溶液池永久性形变表面溶液通孔结构平整度上表面上升时阵列化转移物导流滑移减小可控贴合通孔薄膜磨损破损升降剥离分流应用

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基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端

基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端

引用

作者：李辰懋吴丽李嘉茂郭远博明伟黄乔中朱冬晨王磊付凤杰张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明的基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端，通过基于采用标定板对两个相机进行标定获得的双目标定位置关系数据，将由两个相机采集到的目标接触网的图像数据提取的二维激光点集数据转换为待拟合的三维点集数据，并... 详细信息

标准号: CN115930797A

本发明的基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端，通过基于采用标定板对两个相机进行标定获得的双目标定位置关系数据，将由两个相机采集到的目标接触网的图像数据提取的二维激光点集数据转换为待拟合的三维点集数据，并通过由所述三维点集数据拟合的目标接触网的磨耗截面计算磨耗宽度。本发明结合双目结构光系统可以针对导高拉出大范围变化区间的情况，拼接还原出完整的激光线轮廓，更精准地检测磨耗截面宽度。

关键词：接触网双目结构光系统三维点集相机图像数据提取大范围变化标定位置点集数据二维激光关系数据截面计算磨耗检测数据拟合标定板激光线标定拉出拟合拼接还原终端采集检测转换

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超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端

超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端

引用

作者：杨树澄任洁王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括：对待布局网表进行模块化处理获取分割模块，并对所有分割模块进行布局优化得到优化电路布局；其中，对分割模块进行布局优化包括：确定分割模块所需布... 详细信息

标准号: CN113627120B

本发明公开了一种超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括：对待布局网表进行模块化处理获取分割模块，并对所有分割模块进行布局优化得到优化电路布局；其中，对分割模块进行布局优化包括：确定分割模块所需布局空间大小；对分割模块中所有逻辑门单元进行位置排布优化；将结果映射到布局规划中获取分割模块的版图布局；将分割模块中的所有汇流缓冲器单元放置到版图布局中，并通过第二全局优化器对版图布局中的所有单元进行位置优化，而后对版图布局中所有包含时钟的逻辑门单元进行时钟优化；本发明实现大规模超导集成电路的自动版图布局优化，替代原有的手动设计流程，提高超导集成电路的设计规模并缩短设计迭代周期。

关键词：分割模块版图布局超导集成电路布局优化逻辑门单元优化方法和装置缓冲器单元模块化处理布局规划布局空间存储介质迭代周期全局优化位置排布位置优化优化电路汇流原有的映射网表终端替代

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基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法

基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法

引用

作者：潘银萍张登辉韩海龙曾俊文陈垒王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件... 详细信息

标准号: CN114152902B

本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件探针端的一个第二SQUID；第一反馈线圈及第二反馈线圈。SQUID探针结合深硅刻蚀技术将制备在硅基底上的器件探针端设置在硅基底的针尖形状所在端上，可精准控制第一SQUID与硅片尖端边缘的距离，从而提高SQUID与样品表面的磁耦合强度，并且在使用时可将SQUID探针结构与音叉共振结合实现精确的tip‑sample距离控制，从而大幅度提高硅基底上SQUID探针的空间分辨率；另外结合硅基底上集成的第一及第二反馈线圈可以实现探针的多功能测量。

关键词：硅基探针反馈线圈针尖形状刻蚀技术探针端多功能测量空间分辨率约瑟夫森结尖端边缘精准控制距离控制探针结构探针结合样品表面薄膜桥磁耦合硅片共振音叉制备抵消

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一种片外光发射器件

一种片外光发射器件

引用

作者：佘小娟赵瑛璇廖涵甘甫烷 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种片外光发射器件，包括：衬底；下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜；波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅；上包层，位于所述波导层的上表面；所述波导用于引导光进入所述M级同心... 详细信息

标准号: CN116609879A

本发明涉及一种片外光发射器件，包括：衬底；下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜；波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅；上包层，位于所述波导层的上表面；所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅；所述金属镜用于将泄露到所述衬底的光反射至所述M级同心半圆光栅；所述M级同心半圆光栅用于将接收到的光向垂直方向发射；所述M级同心半圆光栅的前N级的狭缝的刻蚀深度小于后K级的狭缝的刻蚀深度，其中，M＝N+K，且N≤M/2。本发明能够提高器件的发射效率。

关键词：光栅半圆同心上表面衬底波导层金属镜下包层波导刻蚀狭缝光发射器件发射效率光反射上包层泄露发射

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两段式超导时间数字转换器及超导探测器成像系统

两段式超导时间数字转换器及超导探测器成像系统

引用

作者：任洁程昆杰周后荣牛明慧王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种两段式超导时间数字转换器，包括粗量化模块和细量化模块；所述粗量化模块用于根据起始脉冲和终止脉冲进行环路振荡控制，并根据振荡环路输出的振荡脉冲的个数来产生粗量化值；所述细量化模块接收所述振荡脉冲，用于对最... 详细信息

标准号: CN114935886B

本发明提供一种两段式超导时间数字转换器，包括粗量化模块和细量化模块；所述粗量化模块用于根据起始脉冲和终止脉冲进行环路振荡控制，并根据振荡环路输出的振荡脉冲的个数来产生粗量化值；所述细量化模块接收所述振荡脉冲，用于对最后一个所述振荡脉冲与所述终止脉冲之间的时间间隔进行量化来产生细量化值。通过本发明提供的两段式超导时间数字转换器，解决了现有超导TDC难以兼顾高分辨率和高动态范围的问题。

关键词：量化模块振荡脉冲时间数字转换器两段式量化脉冲高分辨率环路振荡起始脉冲振荡环路高动态输出

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