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检索条件"机构=上海微系统和技术信息研究所"
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表面氧化层对TiMn_(1.25)Cr_(0.25)储氢合金活化性能的影响
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稀有金属材料与工程 2004年 第11期33卷 1191-1194页
作者: 余学斌 吴铸 黄太仲 陈金舟 倪君 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
通过 TiMn1.25Cr0.25 合金粉活化前在空气中暴露不同的时间,探讨了表面氧化层的形成对其活化性能的影响。活化测试结果表明:合金的活化难度随着合金在空气中暴露时间的延长而加大。俄歇电子能谱(AES)结果表明,在空气中暴露后的合金表面... 详细信息
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TiMn_(0.85)Cr_(0.35)V_(0.3)合金的活化和吸放氢性能
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稀有金属材料与工程 2004年 第9期33卷 953-956页
作者: 余学斌 吴铸 黄铁生 陈金舟 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
讨论了TiMn0.85Cr0.35V0.3合金的活化性能和吸放氢性能。活化性能的结果表明:合金表面氧化层的形成是影响合金活化的重要因素。空气中暴露30d的TiMn0.85Cr0.35V0.3合金粉,在P=1MPa,T=293K下,经几次活化循环后即可基本完全活化。PCT结果... 详细信息
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贮氢合金Mm(NiCoMnAl)_5的不同制备方法对MH/Ni电池性能的影响
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稀有金属材料与工程 2005年 第9期34卷 1473-1476页
作者: 马丽萍 娄豫皖 李晓峰 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
研究了采用悬浮熔炼(常规铸态)和不同冷却速度的单辊快淬方法制备的Mm(NiCoMnAl)5型稀土系贮氢合金负极活性材料对金属氢化物镍(MH/Ni)电池性能的影响。结果表明,采用不同方法制备的合金对整个电池活化后的容量和内阻影响很小,但是常规... 详细信息
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快淬对Ti-V基BCC相合金相结构和储氢性能的影响
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稀有金属材料与工程 2005年 第7期34卷 1047-1050页
作者: 余学斌 吴铸 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
研究了快淬作用对Ti-28V-15Mn-10Cr合金的相结构和储氢性能的影响。XRD实验结果表明,快淬处理使得合金由BCC和C14Laves两相结构转变为单一的BCC相结构,同时合金的晶格常数随着快淬冷速的增加而增大。快淬作用能显著改善Ti-28V-15Mn-10C... 详细信息
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镀铂栅极抑制电子发射性能研究
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稀有金属材料与工程 2005年 第11期34卷 1810-1813页
作者: 蒋军 江炳尧 任琮欣 张福民 冯涛 王曦 柳襄怀 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:... 详细信息
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LiMeO_2材料中锂和镍原子混排的模拟和实验研究
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无机材料学报 2010年 第1期25卷 8-12页
作者: 张熙贵 张建 杨传铮 李佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
在分析R3-m(No.166)中3a位和3b位原子对各(hkl)晶面结构因子的贡献时发现,它们有相加和相减关系.成相加关系的衍射线强度与混合占位参数X无关,而为相减关系的衍射线强度随混合占位参数X明显变化.因此,提出用相加和相减两线条的衍射积分... 详细信息
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用于被动式毫米波成像的小型化Ka波段接收机(英文)
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红外与毫米波学报 2010年 第4期29卷 241-244页
作者: 关福宏 杨明辉 许杰 钱蓉 时翔 孙晓玮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
研制了一种工作于Ka波段用于被动式毫米波成像的基于单片微波集成电路(MMIC)的小型化接收机.该接收机主要由毫米波宽带低噪声放大器模块、毫米波小信号二极管检波器和视频放大电路组成.设计、制作、测试了接收机各个组成模块,对接收机... 详细信息
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Cr含量对TiMn_(1.2-x)Cr_xV_(0.25)Fe_(0.05)合金吸/放氢性能的影响
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金属学报 2004年 第5期40卷 527-530页
作者: 余学斌 陈金舟 吴铸 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
对名义成分为TiMn_(1.2-x)Cr_xV_(0.25)Fe_(0.05)(x=0.0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金的储氢性能进行了研究。结果表明,合金的晶格常数和晶胞体积随Cr含量的增加而增大;随着Cr含量的增加,合金的吸/放氢平台压力和滞后效应减小。随着Cr含量的变... 详细信息
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集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究
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中国机械工程 2005年 第z1期16卷 365-367页
作者: 刘文平 宋达 李铁 李昕欣 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 浙江大学杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050
采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3~15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果... 详细信息
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纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究
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物理学报 2008年 第3期57卷 1951-1955页
作者: 孙萍 徐岭 赵伟明 李卫 徐骏 马忠元 吴良才 黄信凡 陈坤基 南京大学物理系 固体微结构国家重点实验室南京210093 上海微系统和技术信息研究所 上海200050
采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行... 详细信息
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