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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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35 篇 毫米波
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机构

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作者

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基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法

基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法

引用

作者：李昕欣孙毅杨恒孙珂郑熙坤 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉... 详细信息

标准号: CN115919270A

本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。

关键词：脉体软度传感器阵列压力分布曲线判定结果形变特征形变判定压力传感器传感阵列检测结果判定条件施加压力一维阵列有效地构建预设指压采集中医检测

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一种SOI MOS器件及其制备方法

一种SOI MOS器件及其制备方法

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种SOI MOS器件及其制备方法，所述SOI MOS器件包括：基底、偏置电极结构、栅极结构、源区、漏区、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，其中基底包括衬底、埋氧层、有源层、空腔及设置于空腔顶部的空腔口；偏置电极结构包... 详细信息

标准号: CN116344624A

本发明提供一种SOI MOS器件及其制备方法，所述SOI MOS器件包括：基底、偏置电极结构、栅极结构、源区、漏区、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，其中基底包括衬底、埋氧层、有源层、空腔及设置于空腔顶部的空腔口；偏置电极结构包括覆盖空腔内壁的介电层、填充所述的导电层及与所述导电层电连接的偏置电极，介电层包裹导电层；栅极结构包括栅极及栅介质层；源区及漏区分别位于栅极结构的两侧的有源层中；栅极金属层、源极金属层及漏极金属层分别与栅极、源区、漏区电连接。本发明的SOI MOS器件及其制备方法通过偏置电极结构的设置减小了SOI MOS器件的寄生电容，减少了漏电流，提高了器件的性能。

关键词：偏置电极栅极结构漏区源区漏极金属层源极金属层栅极金属层导电层介电层基底源层制备导电层电寄生电容空腔顶部空腔内壁栅介质层电连接空腔口漏电流埋氧层衬底减小空腔填充覆盖

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磁探测元件、芯片、磁场旋度及磁梯度张量探测模块

磁探测元件、芯片、磁场旋度及磁梯度张量探测模块

引用

作者：张国峰王永良李华荣亮亮 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种磁探测元件、芯片、磁场旋度及磁梯度张量探测模块，包括：设置于同一平面上的第一、第二梯度线圈，均包括沿主对称轴对称分布的第一、第二超导线圈；第一、第二超导线圈绕向相反；第一超导线圈的第一端与第二超导线圈的... 详细信息

标准号: CN116577703A

本发明提供一种磁探测元件、芯片、磁场旋度及磁梯度张量探测模块，包括：设置于同一平面上的第一、第二梯度线圈，均包括沿主对称轴对称分布的第一、第二超导线圈；第一、第二超导线圈绕向相反；第一超导线圈的第一端与第二超导线圈的第一端相连，第二端在主对称轴处分别引出，作为对应梯度线圈的输入端和输出端；第一、第二梯度线圈的主对称轴相互垂直。本发明充分利用集成梯度计的高平衡性，减小测量误差，提高SQUID梯度计的环境适应性；本发明的磁场旋度探测模块构型简单，且扩展了SQUID梯度计的应用场景；本发明的超导磁梯度张量探测模块基于本身自带冗余设计抵御芯片故障或受损的风险，增加了模块的实用性。

关键词：超导线圈梯度线圈梯度计主对称轴量探测旋度磁场环境适应性轴对称分布绕向相反冗余设计探测模块芯片故障应用场景超导磁磁探测磁梯度第一端平衡性输出端输入端构型减小自带对称测量垂直芯片受损

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一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物

一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物

引用

作者：李程兴周夕淋刘卫丽宋志棠崔紫荆 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱... 详细信息

标准号: CN116103657A

本发明涉及一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物，包括0.1～3.0％氧化剂、0.01～1.0％碱金属添加剂、0.01～2.0％络合剂、0.1～2.0％第一缓蚀剂、0.2～2.0％第二缓蚀剂、0～5％磨料，其余为pH缓冲剂和去离子水。本发明通过碱金属添加剂的作用促进了化学反应进行可以获得较高的锗硒化学机械抛光速率，同时添加的组合缓腐蚀剂可以使得在静止状态下的腐蚀速率降低，降低抛光后的表面腐蚀坑情形，获得平滑表面，具有良好的综合效果。

关键词：碱金属添加剂缓蚀剂化学机械抛光组合物化学机械抛光化学反应磨料氧化剂表面腐蚀缓腐蚀剂静止状态平滑表面去离子水速率降低综合效果抛光络合剂合金掺杂腐蚀

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一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法

一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法

引用

作者：丁古巧徐安丽杨思维 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法，包括：将三聚氰胺、前驱体与溶剂混合均匀，形成反应液；其中，前驱体为邻苯二胺、间苯二胺、葡萄糖、二甲氨基甲硼烷中的一种或几种；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后... 详细信息

标准号: CN112322284B

本发明涉及一种固态光致发光石墨烯量子点的制备方法，包括：将三聚氰胺、前驱体与溶剂混合均匀，形成反应液；其中，前驱体为邻苯二胺、间苯二胺、葡萄糖、二甲氨基甲硼烷中的一种或几种；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后过滤、干燥，得到固态光致发光石墨烯量子点。本发明在室温环境下受紫外光激发时发出明亮的黄绿色荧光；在紫外光激发停止后，仍能持续发出肉眼可辨的绿色磷光或延迟荧光，其衰减寿命可达500ms以上，肉眼可分辨时间可达10s以上。

关键词：紫外光激发光致发光量子点前驱体石墨烯二甲氨基甲硼烷葡萄糖黄绿色荧光间苯二胺邻苯二胺绿色磷光溶剂混合三聚氰胺室温环境衰减寿命水热反应荧光制备加热分辨过滤延迟冷却明亮

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一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法

一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法

引用

作者：伊艾伦欧欣周民 200050 上海市长宁区长宁路865号

本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导... 详细信息

标准号: CN116705605A

本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。

关键词：绝缘处理氮化镓HEMT器件衬底复合硅碳化硅硅基基衬制备氮化镓薄膜硅衬底键合离子剥离处理表面外延表面制备复合

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多通道全隔离恒流装置及超导电路测试系统

多通道全隔离恒流装置及超导电路测试系统

引用

作者：余金鑫原蒲升王永良李凌云尤立星 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种多通道全隔离恒流装置及超导电路测试系统，包括：直流电源模块，用于提供N路第一直流电源；直流转直流模块，将各路第一直流电源转换为相应的第二直流电源，其中，各第二直流电源为独立电源；数控恒流模块，基于控制信号... 详细信息

标准号: CN116225122A

本发明提供一种多通道全隔离恒流装置及超导电路测试系统，包括：直流电源模块，用于提供N路第一直流电源；直流转直流模块，将各路第一直流电源转换为相应的第二直流电源，其中，各第二直流电源为独立电源；数控恒流模块，基于控制信号将N路第二直流电源分别转换为N路恒流源；N为大于1的自然数。本发明实现全隔离式的恒流输出，保证各个通道间的独立性；各模块设计比较灵活，各通道相对独立，易扩展；集成度高、体积小、易携带；采用电池供电，各通道噪声干扰小；采用数控控制，精度高；且采用光纤隔离，各通道之间的干扰小。

关键词：直流电源全隔离直流电源模块直流电源转换测试系统超导电路电池供电独立电源光纤隔离恒流模块恒流装置控制信号模块设计数控控制通道噪声相对独立集成度多通道恒流源体积小转直流恒流数控独立性输出携带转换灵活保证

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铌酸锂器件的制备方法及其结构

铌酸锂器件的制备方法及其结构

引用

作者：贾连希曾宪峰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一... 详细信息

标准号: CN115774302A

本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。

关键词：单元区域刻蚀铌酸锂薄膜制备晶圆边缘铌酸锂掩膜铌酸锂器件工艺优化光刻胶层厚度变化刻蚀工艺刻蚀技术刻蚀条件硬掩膜层铌酸锂晶平整度粗糙开发

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一种调频连续波激光雷达光源的非线性校准系统和方法

一种调频连续波激光雷达光源的非线性校准系统和方法

引用

作者：曾宪峰贾连希 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种调频连续波激光雷达光源的非线性校准系统和方法，其中，系统包括：驱动模块用于基于待校准信号的采样点产生方波信号，并将方波信号作用于激光器；拍频模块包括耦合部和探测部，耦合部将激光器产生的光信号转换为类似两... 详细信息

标准号: CN116826510A

本发明涉及一种调频连续波激光雷达光源的非线性校准系统和方法，其中，系统包括：驱动模块用于基于待校准信号的采样点产生方波信号，并将方波信号作用于激光器；拍频模块包括耦合部和探测部，耦合部将激光器产生的光信号转换为类似两个不同幅值的直流信号产生的光信号，并将光信号进行拍频，得到含有方波不同幅值对应的差频光信号；探测部将差频光信号转换为电信号；校准模块用于基于电信号计算差频光信号的频率差值，将频率差值与设置的理想频率差进行比较，并在不满足误差要求的情况下对方波信号的电压值进行自适应滤波，将自适应滤波后的电压值作为新的方波信号的幅值作用于激光器。本发明能够得到更准确的拍频信息，同时降低校准难度。

关键词：方波信号激光器差频拍频光信号转换自适应滤波探测电信号计算调频连续波对方波信号非线性校准激光雷达理想频率驱动模块误差要求校准模块校准信号直流信号耦合采样点耦合部校准方波光源

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氮化铝压电薄膜、制备方法及应用

氮化铝压电薄膜、制备方法及应用

引用

作者：李卫民余希陈玲丽朱雷俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用B元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了氮化铝压电... 详细信息

标准号: CN115697021A

本发明提供一种氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用B元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制B元素及X元素的掺杂浓度，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；采用MOCVD化学气相沉积方法制备氮化铝压电薄膜，可实现AlN掺杂B元素及X元素的梯度生长；从而本发明可制备出低损耗、高压电性能的氮化铝压电薄膜。

关键词：氮化铝压电薄膜制备掺杂薄膜结合能磁控溅射技术化学气相沉积第一性原理单靶溅射技术手段交叉区域压电薄膜高压电靶溅射低损耗对设备双掺杂靶材双靶改装生长应用

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