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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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- 24 篇 应用经济学
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主题

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44 篇 分子束外延
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35 篇 毫米波
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34 篇 传感器
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32 篇 储氢合金
32 篇 mems
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31 篇 绝缘体上硅
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机构

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373 篇 中国科学院上海微...
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121 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
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60 篇 NOT FOUND
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54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

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573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
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319 篇 刘波
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227 篇 刘卫丽
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216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
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193 篇 熊斌

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循环式数字PCR方法、循环系统、数字PCR芯片及其制备方法

循环式数字PCR方法、循环系统、数字PCR芯片及其制备方法

引用

作者：徐铁刚吴蕾李昕欣王雪凤 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种循环式数字PCR方法、循环系统、数字PCR芯片及其制备方法，该数字PCR方法包括以下步骤：S1.将经过进样处理的数字PCR芯片放置于循环系统的反应室中；S2.排空反应室内的空气，对循环系统进行加压处理；S3.启动循环系统进... 详细信息

标准号: CN110804650B

本发明公开了一种循环式数字PCR方法、循环系统、数字PCR芯片及其制备方法，该数字PCR方法包括以下步骤：S1.将经过进样处理的数字PCR芯片放置于循环系统的反应室中；S2.排空反应室内的空气，对循环系统进行加压处理；S3.启动循环系统进行PCR反应；S4.对PCR反应后的循环系统进行减压；S5.将反应室中的数字PCR芯片取出，对数字PCR芯片进行荧光信号分析。本发明芯片进样不依赖泵、阀等复杂设备，也不需使用高粘度热聚合分离油，进样完成后芯片不需要密封，操作简单；芯片厚度小，导热快，反应迅速；恒温储液箱体积大，热交换迅速，能够快速加热或冷却芯片，温度控制好，没有温度过冲；芯片结构简单，成本低。

关键词：数字PCR 循环系统芯片进样反应室热交换导热储液箱体复杂设备加压处理快速加热冷却芯片芯片放置芯片结构荧光信号减压分离油高粘度热聚合循环式排空制备密封取出室内分析

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实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法

实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法

引用

作者：武震宇陈浩胡宇强刘艺晨王栎皓 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法，本发明的MEMS传感器包括基于微纳加工技术制造的传感器芯片和光学组装技术形成的光学耦合模块，实现激光产生的微弱光压力的探测，本发明中的MEMS传感器采用传感镜... 详细信息

标准号: CN116989890A

本发明提供一种实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法，本发明的MEMS传感器包括基于微纳加工技术制造的传感器芯片和光学组装技术形成的光学耦合模块，实现激光产生的微弱光压力的探测，本发明中的MEMS传感器采用传感镜面和参考镜面集成的差分结构，实现对外界振动共模抑制以提高传感器信噪比；同时，为了保持测量原点的一致性，MEMS传感器采用压电材料组成的压电制动器法珀腔腔长实时闭环反馈调控，始终保持在设定的初始腔长；闭环反馈调控还可以避免镜面震荡，缩短镜面稳定时间，提高测量的响应时间。本发明利用实现闭环反馈调节的MEMS传感器可以实现连续和脉冲激光的功率在线测量，并且结构简单、响应速度快、稳定性高以及测量精度高。

关键词：镜面闭环反馈调节在线测量实时闭环反馈微纳加工技术测量精度高传感器芯片压电制动器闭环反馈测量原点差分结构共模抑制光学组装光学耦合激光产生激光功率脉冲激光压电材料初始腔法珀腔微弱光信噪比响应传感器调控传感腔长震荡探测测量参考制造

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基于U-Net的极低场磁共振图像工频伪影抑制方法

基于U-Net的极低场磁共振图像工频伪影抑制方法

引用

作者：董慧徐一力任雪陶泉 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于U‑Net的极低场磁共振图像工频伪影抑制方法，包括：获取待处理的极低场磁共振图像；将所述待处理的极低场磁共振图像输入至训练好的去噪预测模型中，得到消除工频伪影的极低场磁共振图像；其中，所述去噪预测模型基... 详细信息

标准号: CN116630178A

本发明涉及一种基于U‑Net的极低场磁共振图像工频伪影抑制方法，包括：获取待处理的极低场磁共振图像；将所述待处理的极低场磁共振图像输入至训练好的去噪预测模型中，得到消除工频伪影的极低场磁共振图像；其中，所述去噪预测模型基于改进的U‑Net网络模型构建而成，所述改进的U‑Net网络模型包括编码部分和解码部分，所述编码部分包括依次连接的若干编码块，每个编码块包括依次连接的一个卷积层、一个批归一化层和一个激活层；所述解码部分包括依次连接的若干解码块，每个解码块包括依次连接的一个反卷积层、一个批归一化层和一个激活层；所述编码块和解码块之间通过跳跃连接来实现编解码过程。本发明能够有效抑制工频伪影并保留大部分图像细节。

关键词：磁共振图像依次连接低场编码块工频网络模型预测模型归一化激活层解码块去噪伪影编解码过程图像细节伪影抑制有效抑制解码反卷积构建卷积码块改进跳跃保留

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存算一体化单元

存算一体化单元

引用

作者：陈静刘玉兰胡一波任志鹏尹伊哲 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供了一种存算一体化单元，包括6T的SRAM存储单元以及4T的运算结构，所述运算结构在位线正向信号侧包括串接的正向数据传输晶体管和正向逻辑运算晶体管，正向数据传输晶体管的源/漏连接位线正向信号，栅极连接运算使能信号，正... 详细信息

标准号: CN115831186A

本发明提供了一种存算一体化单元，包括6T的SRAM存储单元以及4T的运算结构，所述运算结构在位线正向信号侧包括串接的正向数据传输晶体管和正向逻辑运算晶体管，正向数据传输晶体管的源/漏连接位线正向信号，栅极连接运算使能信号，正向逻辑运算晶体管的漏/源级连接正向输入信号，栅极连接SRAM存储单元的正向比特数据存储点；所述运算结构在位线反向信号侧包括串接的反向数据传输晶体管和反向逻辑运算晶体管，反向数据传输晶体管的源/漏连接位线反向信号，栅极连接运算使能信号，反向逻辑运算晶体管的漏/源级连接反向输入信号，栅极连接SRAM存储单元的反向比特数据存储点。本发明能够大大改善多行单比特乘法运算结果累加的非线性现象。

关键词：晶体管正向逻辑运算栅极连接运算结构数据传输晶体管反向数据传输运算使能信号比特数据反向信号正向信号串接的存储点连接位在位线源级反向输入信号正向输入信号非线性现象一体化单元比特乘法运算结果累加多行

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一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法

一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法

引用

作者：欧欣石航宁游天桂伊艾伦覃晴程 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括... 详细信息

标准号: CN116759312A

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓电流孔径垂直型电子器件的制备方法。通过在氮化镓单晶衬底中形成缺陷层，以及在氮化镓单晶衬底的存在预设间隔距离的两个预设区域分别制备一个电流阻挡结构；电流阻挡结构的材料包括介质材料和超宽禁带材料；将氮化镓单晶衬底的顶部与支撑衬底进行键合，并依次进行退火剥离和抛光处理，再依次外延氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层和制备电极层。上述制备方法得到的器件具有能够承受较大的击穿电压，不易发生穿通漏电的特点。

关键词：衬底制备氮化镓单晶电流阻挡结构氮化镓半导体器件技术退火铝镓氮势垒层漏电电流孔径电子器件击穿电压介质材料禁带材料抛光处理预设间隔预设区域垂直型电极层沟道层缺陷层超宽穿通键合剥离支撑

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表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法

表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法

引用

作者：杜俊霖韩安军刘正新孟凡英张丽平石建华 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金... 详细信息

标准号: CN113327999B

本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。

关键词：异质结太阳电池形貌金字塔状栅线制备金字塔单晶硅片表面透明导电薄膜单晶硅片导电性能短路电流焊接拉力丝网印刷提升设备填充因子相邻台阶银浆耗量硅晶体台阶状电极硅片产能晶面提效银浆遮光背面

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绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法

绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法

引用

作者：母志强姜文铮朱宇波陈玲丽俞文杰李卫民 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上... 详细信息

标准号: CN116949564A

本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。

关键词：绝缘体上硅衬底外延生长单晶生长顶层硅空腔制备高温生长晶格失配界面处埋氧层热失配背衬内嵌

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一种实体之间关系特征信息的确定方法、装置、电子设备及存储介质

一种实体之间关系特征信息的确定方法、装置、电子设备及存储介质

引用

作者：陈南希张柔佳周道远张晓林 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请实施例所公开的一种实体之间关系特征信息的确定方法、装置、电子设备及存储介质，其中方法包括：接收任务请求，对任务请求进行解析，获取参考实体对，确定待识别对象中与参考实体对匹配的目标实体对集合，确定目标实体对集合中... 详细信息

标准号: CN110928959B

本申请实施例所公开的一种实体之间关系特征信息的确定方法、装置、电子设备及存储介质，其中方法包括：接收任务请求，对任务请求进行解析，获取参考实体对，确定待识别对象中与参考实体对匹配的目标实体对集合，确定目标实体对集合中每个目标实体对包含的两个目标实体之间的相对方向信息和距离数据，基于关系数据模型对相对方向信息和距离数据进行处理，得到每个目标实体对的关系数据，根据关系查询库对关系数据进行查询，得到每个目标实体对的关系特征信息。本申请实施例，能够明确实体时间的关系界定，能够实现对场景的有效分析、认知与表达，辅助计算机以结构化的格式获悉更加丰富的场景理解信息，为实现计算机下一步操作的推理和决策奠定基础。

关键词：目标实体方向信息关系数据关系特征距离数据任务请求集合关系数据模型辅助计算机场景理解存储介质电子设备关系查询有效分析参考结构化界定推理申请解析匹配认知场景查询计算机决策

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持续退化过程在线预测方法

持续退化过程在线预测方法

引用

作者：陈静步然然任志鹏胡一波尹伊哲 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供了一种持续退化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及通过数据驱动方法建立退化模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤进一步包括：将原始退化数据集划分为前后两部分，前一部分作为训练集，后... 详细信息

标准号: CN115935804A

本发明提供了一种持续退化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及通过数据驱动方法建立退化模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤进一步包括：将原始退化数据集划分为前后两部分，前一部分作为训练集，后一部分作为测试集，两者不交叉；据时间序列滑动时间窗口方法对训练集和测试集进行划分；将划分好的训练集输入神经网络进行训练、调参；将预测结果对比原始测试数据计算误差。本发明基于机器学习数据驱动方法，针对PDSOI器件的特点，在受持续NBTI应力情况进行在线预测，有效提高了预测结果精度。

关键词：在线预测训练集预测结果测试集滑动时间窗口输入神经网络原始测试数据基于机器计算误差建立模型时间序列数据驱动退化过程退化模型退化数据学习数据阈值电压不交叉测试驱动

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一种相变存储器件仿真模型

一种相变存储器件仿真模型

引用

作者：张光明雷宇陈后鹏宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流... 详细信息

标准号: CN113268860B

本发明涉及一种相变存储器件仿真模型，包括：相变电阻模块，用于计算当前的所述相变单元的阻值；相变电压电流模块，用于根据所述当前的所述相变单元的阻值、结晶率、熔融率、以及设置的参数由电路仿真器得到所述相变单元的电压和电流；温度计算模块，用于根据所述相变单元的电压和电阻，结合设置的所述相变单元的参数计算所述相变单元的温度；结晶熔融控制模块，用于对所述相变单元的温度进行判断，得到控制指令；结晶率计算模块，用于根据所述控制指令计算结晶率；熔融率计算模块，用于根据所述控制指令计算熔融率；所述结晶率熔融率存储模块用于保存计算得到的结晶率和熔融率。本发明能够更为准确地仿真模拟出相变存储器件在电路中的工作状态。

关键词：相变单元熔融结晶率控制指令相变存储器件结晶率计算模块温度计算模块相变电阻模块电路仿真器参数计算存储模块电压电流仿真模拟仿真模型计算模块控制模块电阻电路保存

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