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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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- 332 篇 控制科学与工程
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6 篇 文学
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主题

86 篇 锂离子电池
78 篇 相变存储器
78 篇 太赫兹
68 篇 量子级联激光器
60 篇 无线传感器网络
50 篇 soi
44 篇 微机电系统
44 篇 分子束外延
42 篇 镁合金
40 篇 微流控芯片
35 篇 离子注入
35 篇 毫米波
34 篇 石墨烯
34 篇 传感器
34 篇 电化学性能
32 篇 储氢合金
32 篇 mems
31 篇 应用
31 篇 绝缘体上硅
31 篇 无线传感网

机构

10,650 篇 中国科学院上海微...
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500 篇 中国科学院研究生...
374 篇 中国科学院上海微...
316 篇 中科院上海微系统...
278 篇 上海科技大学
231 篇 上海无线通信研究...
177 篇 上海微小卫星工程...
123 篇 上海大学
121 篇 上海交通大学
110 篇 上海新傲科技股份...
93 篇 上海微系统与信息...
93 篇 上海新安纳电子科...
60 篇 NOT FOUND
58 篇 复旦大学
56 篇 中国电子技术标准...
54 篇 浙江大学
53 篇 中国科学院超导电...
50 篇 华东师范大学
49 篇 信息功能材料国家...

作者

1,140 篇 宋志棠
573 篇 王曦
532 篇 赵建龙
440 篇 谢晓明
432 篇 王跃林
412 篇 封松林
374 篇 欧欣
321 篇 李昕欣
319 篇 刘波
299 篇 孙晓玮
261 篇 卜智勇
258 篇 张苗
241 篇 陈静
229 篇 尤立星
227 篇 刘卫丽
218 篇 张永刚
216 篇 王永良
205 篇 曹俊诚
197 篇 孔祥燕
193 篇 熊斌

语言

12,659 篇 中文
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超导量子干涉仪电流放大单元、放大器及芯片

超导量子干涉仪电流放大单元、放大器及芯片

引用

作者：王永良张国峰李凌云 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种超导量子干涉仪电流放大单元、放大器及芯片，包括：超导环串联结构，包括串联导线及至少2个SQUID超导环；各SQUID超导环串联在所述串联导线上，并依次交替分布在所述串联导线的两侧，相邻两个SQUID超导环关于两者之间串... 详细信息

标准号: CN116626561A

本发明提供一种超导量子干涉仪电流放大单元、放大器及芯片，包括：超导环串联结构，包括串联导线及至少2个SQUID超导环；各SQUID超导环串联在所述串联导线上，并依次交替分布在所述串联导线的两侧，相邻两个SQUID超导环关于两者之间串联导线的中点中心对称分布；串联导线，为各SQUID超导环提供第一偏置电流；第一导线，位于超导环串联结构的第一侧，接收第二偏置电流；第二导线，位于超导环串联结构的第二侧，接收第三偏置电流；电流导线，位于至少两个相邻SQUID超导环之间，接收被测电流。本发明放大倍数高、信噪比高、相邻SQUID间的干扰小、适合高速电流信号的检测、更适合集成电路设计和加工。

关键词：超导环串联导线串联结构偏置电流超导量子干涉仪电流放大单元集成电路设计中心对称分布放大器电流导线高速电流交替分布信噪比串联放大芯片检测加工

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一种车辆声音信号特征提取方法

一种车辆声音信号特征提取方法

引用

作者：李成娟李宝清王国辉刘建坡童官军向浩 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种车辆声音信号特征提取方法，包括：对车辆声音信号进行预处理，同时提取基频；作快速傅里叶变换，计算出信号能量谱；将声音信号基频与梅尔三角滤波器组的中心频率进行组合，得到基频自适应三角滤波器组；将信号能量谱通... 详细信息

标准号: CN111261189B

本发明涉及一种车辆声音信号特征提取方法，包括：对车辆声音信号进行预处理，同时提取基频；作快速傅里叶变换，计算出信号能量谱；将声音信号基频与梅尔三角滤波器组的中心频率进行组合，得到基频自适应三角滤波器组；将信号能量谱通过基频自适应三角滤波器组，得到基频自适应梅尔能量谱；对基频自适应的梅尔能量谱进行倒谱分析，得到基频自适应梅尔倒谱系数；对基频自适应梅尔倒谱系数的每一维分量进行加权，得到最终的车辆声音信号特征。本发明降低了同种车型声音信号特征间的区分度，增大了不同车型声音信号特征之间的差别，从而提高声音信号特征的抗噪能力以及在野外环境下的鲁棒性。

关键词：基频自适应声音信号特征三角滤波器车辆声音梅尔梅尔倒谱系数信号能量能量谱车型快速傅里叶变换信号特征提取预处理倒谱分析抗噪能力信号特征野外环境一维分量中心频率鲁棒性区分度提取基加权

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一种HEMT器件及其制备方法

一种HEMT器件及其制备方法

引用

作者：李敏龚谦吴亮钱蓉马灵美 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区... 详细信息

标准号: CN116525658A

本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括：部分被去除的衬底层；位于所述衬底层上的外延层，外延层包括成核层，成核层与衬底层接触；源电极区和漏电极区位于外延层上方的两侧；漏电极区设置有图形化得到的空白区域，空白区域贯通外延层并延伸至衬底层被去除的部分。本发明通过衬底层的部分被去除，可以避免被去除部分的衬底层和成核层之间形成导电层，降低衬底层引入的寄生电阻，减少射频损耗；同时，利用在源漏电极区及其外延层中贯穿的空白区域，可以提高器件的散热能力，控制热效应；另外，设置衬底层为低阻硅衬底，避免高阻硅基GaN外延材料的弯曲问题，以扩展晶圆尺寸。

关键词：衬底层外延层去除空白区域成核层漏电极热效应寄生电阻散热能力弯曲问题源漏电极导电层硅衬底图形化源电极低阻高阻硅基晶圆射频制备贯通引入贯穿延伸

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一种用于可穿戴汗液贴片的疏水材料及其制备方法和应用

一种用于可穿戴汗液贴片的疏水材料及其制备方法和应用

引用

作者：毛红菊林博孙腾周麟武振华 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种用于可穿戴汗液贴片的疏水材料及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：S1：将1～2g聚四氟乙烯加入装有60～100mL无水乙醇的烧杯中，封口膜密封，超声分散5～10min，搅拌40～60min，获得均匀的聚四氟乙烯分散溶液... 详细信息

标准号: CN116218297A

本发明提供一种用于可穿戴汗液贴片的疏水材料及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：S1：将1～2g聚四氟乙烯加入装有60～100mL无水乙醇的烧杯中，封口膜密封，超声分散5～10min，搅拌40～60min，获得均匀的聚四氟乙烯分散溶液；S2：加入氨水，封口膜密封，搅拌30～50min；S3：加入1～3mL硅酸四乙酯和0.4～1.2mL含氟硅烷，封口膜密封，搅拌24～32h，即得。本发明只需在常温常压下即可实现涂层的制备，不仅不会改变可穿戴汗液贴片本身柔性的特点，还极大地改善了现有可穿戴汗液贴片汗液残留的问题，通过贴片的重复使用还避免了频繁更换贴片带来的不一致性误差的影响。

关键词：贴片汗液封口膜可穿戴密封聚四氟乙烯制备制备方法和应用氨水硅酸四乙酯不一致性常温常压超声分散分散溶液含氟硅烷疏水材料无水乙醇烧杯残留

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基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法

基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法

引用

作者：任洁杨若婷高小平王镇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法，包括以下步骤：对单元库的单元数据接口进行割分偏置圈的处理，并留出通孔的位置；按照电路逻辑原理图对逻辑单元层上的单元进行布局摆设；采用逻辑单元层的JTL和分路单元进... 详细信息

标准号: CN111682022B

本发明涉及一种基于异层JTL布局布线的超导集成电路设计方法，包括以下步骤：对单元库的单元数据接口进行割分偏置圈的处理，并留出通孔的位置；按照电路逻辑原理图对逻辑单元层上的单元进行布局摆设；采用逻辑单元层的JTL和分路单元进行每个单元的时钟线连接；使用位于与所述逻辑单元层不在同一层的横向JTL布线层和纵向JTL布线层的JTL对每个单元进行数据连接，其中，所述横向JTL布线层的JTL作为单元之间数据横向的布线单元，所述纵向JTL布线层的JTL作为单元之间数据纵向的布线单元，上层的JTL与下层的单元数据接口的位置通过调用通孔实现连接。本发明解决了JTL不利于布线的缺点。

关键词：布线层逻辑单元布线单元单元数据布线通孔超导集成电路电路逻辑分路单元数据连接位置通过单元库时钟线同一层偏置下层异层调用摆设上层

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脉冲产生电路及多量子比特控制系统

脉冲产生电路及多量子比特控制系统

引用

作者：任洁翁碧聪 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种脉冲产生电路，包括：环形振荡器模块及计数模块；其中，环形振荡器模块用于在输入信号的作用下产生脉冲序列输出，并在终止信号的作用下停止脉冲序列输出；计数模块连接环形振荡器模块的输出端，用于对脉冲序列的个数进... 详细信息

标准号: CN115694432A

本发明提供一种脉冲产生电路，包括：环形振荡器模块及计数模块；其中，环形振荡器模块用于在输入信号的作用下产生脉冲序列输出，并在终止信号的作用下停止脉冲序列输出；计数模块连接环形振荡器模块的输出端，用于对脉冲序列的个数进行计数，并在计数值达到设定值时产生终止信号。通过本发明提供的脉冲产生电路，解决了现有量子比特控制方式存在硬件消耗大的问题。

关键词：环形振荡器模块脉冲产生电路脉冲序列输出计数模块终止信号控制方式脉冲序列硬件消耗输出端量子

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一种基于多维纳米敏感材料的细胞胞吐研究芯片及其应用

一种基于多维纳米敏感材料的细胞胞吐研究芯片及其应用

引用

作者：许鹏程李昕欣王雪凤 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种基于多维纳米敏感材料的细胞胞吐研究芯片及其应用，所述细胞胞吐研究芯片包括对电极、参比电极以及工作电极，所述工作电极上涂覆有多维纳米敏感材料，所述多维纳米敏感材料由一维ZnO纳米线、二维还原氧化石墨烯纳米片... 详细信息

标准号: CN115820787A

本发明提供一种基于多维纳米敏感材料的细胞胞吐研究芯片及其应用，所述细胞胞吐研究芯片包括对电极、参比电极以及工作电极，所述工作电极上涂覆有多维纳米敏感材料，所述多维纳米敏感材料由一维ZnO纳米线、二维还原氧化石墨烯纳米片和多孔的沸石咪唑啉骨架‑8纳米壳组成，所述细胞胞吐研究芯片可用于检测多巴胺能神经元细胞的胞吐事件。本发明利用低成本的纸基电化学芯片，不依赖于精密的测量仪器以及专业的实验操作技能，成功实现了多巴胺能细胞胞吐事件的研究，以及神经细胞胞吐作用的药物调控研究；本发明通过直接、便捷地测量神经细胞的胞吐作用，在细胞生理过程研究、常用药物研究以及新药开发研究等领域具有广阔的应用前景。

关键词：胞吐纳米敏感材料多维细胞神经细胞研究胞吐作用工作电极芯片多巴胺能神经元还原氧化石墨烯多巴胺能细胞实验操作技能电化学芯片参比电极测量仪器过程研究细胞生理新药开发药物调控药物研究低成本对电极纳米片咪唑啉二维沸石可用涂覆纸基应用精密测量检测成功

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一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法

一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法

引用

作者：郑敏毛嘉辉谭冲刘洪李慧貟超杜大才 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法，其特征在于，包括以下步骤：构建边缘网络系统，所述边缘网络系统包括相互通信的单个基站和多个终端设备；搭建本地计算模块和任务卸载模块，实现对终端任务的卸载决策；根据所... 详细信息

标准号: CN117279096A

本发明涉及一种基于改进DDPG算法的边缘网络资源调度方法，其特征在于，包括以下步骤：构建边缘网络系统，所述边缘网络系统包括相互通信的单个基站和多个终端设备；搭建本地计算模块和任务卸载模块，实现对终端任务的卸载决策；根据所述本地计算模块和任务卸载模块，确定状态空间、动作空间和奖励函数，获得深度学习框架；基于所述深度学习框架，采用改进的DDPG算法构建资源调度模型，所述改进的DDPG算法在原有DDPG算法生成的动作策略中加入了噪声；利用训练好的资源调度模型获得最优卸载决策，使所述终端任务的处理时延最小。本发明的资源调度方法能够动态适应信道状态时变，并支持任务部分卸载的边缘网络资源调度。

关键词：资源调度边缘网络计算模块任务卸载卸载决策算法终端改进处理时延单个基站动态适应动作策略动作空间模型获得算法构建算法生成信道状态终端设备状态空间构建时变卸载噪声学习奖励通信

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SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件

SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件，该SOI衬底包括：基底、第二埋氧层、中间层、功能介质层及顶层半导体层，其中，基底包括支撑衬底及第一埋氧层；第二埋氧层位于基底上方，且第二埋氧层中包括至少一个自第二埋氧层... 详细信息

标准号: CN116454017A

本发明提供一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件，该SOI衬底包括：基底、第二埋氧层、中间层、功能介质层及顶层半导体层，其中，基底包括支撑衬底及第一埋氧层；第二埋氧层位于基底上方，且第二埋氧层中包括至少一个自第二埋氧层的底面开口并贯穿第二埋氧层的凹槽；中间层位于第一埋氧层与第二埋氧层之间，且位于凹槽中的中间层部分作为凸起结构；功能介质层至少覆盖凸起结构的顶面；顶层半导体层覆盖第二埋氧层及功能介质层的显露表面。本发明通过凸起结构以及位于凸起结构及顶层半导体层之间的功能介质层的设置，在利用SOI衬底形成器件时，减小了器件的寄生电容及漏电流，同时可以降低制作衬底的工艺难度。

关键词：埋氧层衬底功能介质层凸起结构顶层半导体层中间层基底底面开口工艺难度寄生电容漏电流顶面覆盖减小制备显露贯穿支撑制作

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一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法

一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法

引用

作者：张加祥秦源浩欧欣伊艾伦朱一帆 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发... 详细信息

标准号: CN117008320A

本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发明有效验证了应力场下色心哈密顿量和自旋量子态的理论模型，对碳化硅色心超高精度量子传感应用具有重大意义。

关键词：色心碳化硅双轴应力调控眼腔应力调控装置单轴应力调制幅度理论模型有效验证重大意义量子态耦合的调控微腔自旋量子制备

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