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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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一种白光石墨烯量子点荧光粉的制备方法

一种白光石墨烯量子点荧光粉的制备方法

引用

作者：丁古巧徐安丽杨思维 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种白光石墨烯量子点荧光粉的制备方法，包括：将三聚氰胺、对苯二胺与溶剂混合均匀，形成反应液；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后过滤、干燥，得到白光石墨烯量子点荧光粉。本发明在紫外光激发下发射明亮的白... 详细信息

标准号: CN112266785B

本发明涉及一种白光石墨烯量子点荧光粉的制备方法，包括：将三聚氰胺、对苯二胺与溶剂混合均匀，形成反应液；将反应液加热进行水热反应，冷却至室温，最后过滤、干燥，得到白光石墨烯量子点荧光粉。本发明在紫外光激发下发射明亮的白色荧光，紫外光激发停止后，能发射出肉眼可辨的白色磷光和延迟荧光，其衰减寿命可达450ms以上，肉眼可分辨时间达10s以上，且固态光致发光性能稳定。

关键词：荧光粉紫外光激发量子点石墨烯白光光致发光性能白色磷光白色荧光对苯二胺溶剂混合三聚氰胺衰减寿命水热反应发射荧光制备加热分辨延迟过滤冷却明亮

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一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法

一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法

引用

作者：陈后鹏解晨晨李喜沈洁宋志棠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2i‑2C，i≥2；所述... 详细信息

标准号: CN112350728B

本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2^i‑2C，i≥2；所述开关阵列包括预比较开关，电容开关阵列和电压比较器参考电压开关；所述预比较开关在所述逻辑控制模块的控制下实现在采样阶段对输入电压信号的预比较；所述电容开关阵列在所述逻辑控制模块的控制下按照逐次逼近的逻辑实现采样、保持与电荷重分配的过程；所述电压比较器参考电压开关在所述逻辑控制模块的控制下实现所述电压比较器参考电压的选择。本发明还涉及上述模数转换器的工作方法。本发明可以减少电容阵列。

关键词：逻辑控制模块电压比较器电容阵列电容参考电压电容开关阵列模数转换器开关阵列电荷重分配逐次逼近型采样阶段单位电容逻辑实现输入电压逐次逼近并联采样

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一种基于分布式天线的无线虚拟现实系统

一种基于分布式天线的无线虚拟现实系统

引用

作者：王旭陈南希 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于分布式天线的无线虚拟现实系统，包括主机和头盔，主机包括8个射频拉远单元。8个射频拉远单元分别处于两种不同的工作模式，其中1个射频拉远单元向头盔发送高清视频以及高保真音频；同时另外7个射频拉远单元轮流向头... 详细信息

标准号: CN110572196B

本发明涉及一种基于分布式天线的无线虚拟现实系统，包括主机和头盔，主机包括8个射频拉远单元。8个射频拉远单元分别处于两种不同的工作模式，其中1个射频拉远单元向头盔发送高清视频以及高保真音频；同时另外7个射频拉远单元轮流向头盔发送信道探测信号。当其中一个射频拉远单元与头盔之间出现障碍物时可以快速切换至其它的射频拉远单元，这样可以有效解决信号遮挡问题，保证主机和头盔之间高速的数据传输。此外，本发明中射频拉远单元采用模拟波束成形技术，头盔采用混合模拟/数字波束成形技术，用于接收信道探测信号的射频通道使用低精度的模数转换器，如此可以有效降低系统的硬件复杂度与功耗。

关键词：射频拉远单元头盔主机探测信号数字波束成形虚拟现实系统有效降低系统分布式天线高保真音频模数转换器硬件复杂度成形技术发送信道高清视频工作模式接收信道快速切换模拟波束射频通道数据传输信号遮挡有效解决障碍物功耗发送轮流保证

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一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器

一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器

引用

作者：武爱民李文霏吴龙生 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器。该滤波器包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移... 详细信息

标准号: CN116184693A

本发明涉及一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器。该滤波器包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移相布拉格光栅结构上方的移相区域设置第一非易失性相变材料薄膜，所述移相布拉格光栅结构上方的均匀光栅区域设置第二非易失性相变材料薄膜，所述第一非易失性相变材料薄膜设置在所述第二非易失性相变材料薄膜之间。该滤波器在保证传输损耗仅0.76dB的前提下同时实现传输功率不变中心波长偏移和传输中心波长不变功率调谐的功能。

关键词：非易失性相变材料薄膜布拉格光栅结构波导滤波器衬底传输中心波长可重构滤波器中心波长偏移调谐布拉格光栅传输功率传输损耗均匀光栅区域设置移相区域变功率保证

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一种硅基光子集成模块及其制备方法

一种硅基光子集成模块及其制备方法

引用

作者：欧欣林家杰游天桂金婷婷沈正皓 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第一限制层、有源层... 详细信息

标准号: CN111244227B

本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第一限制层、有源层和第二限制层进行刻蚀，形成光电器件的台面；在InP层上外延生长形成探测器PIN结构；对探测器PIN结构进行刻蚀，形成探测器的台面；对光电器件的台面进行H离子注入，并进行P型隔离；对InP层进行刻蚀以隔离光电器件和探测器，并将硅波导与空气接触；在InP层、光电器件和探测器的表面沉积电极。如此，可以降低硅基光子集成的难度，可以缩小光子芯片的尺寸。

关键词：探测器光电器件限制层刻蚀台面硅基光子集成外延生长硅波导衬底源层隔离表面沉积光子芯片空气接触电极顶层硅离子束薄膜制备离子剥离申请

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一种1S1R单元读控制电路

一种1S1R单元读控制电路

引用

作者：雷宇宋志棠陈后鹏 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明公开了一种1S1R单元读控制电路，至少包括：选中单元读控制电路、阵列控制电路、第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、灵敏放大器和1S1R阵列；阵列控制电路、第一低压差线性稳压器和灵敏放大器均与选中单元读控制电路连... 详细信息

标准号: CN110890122B

本发明公开了一种1S1R单元读控制电路，至少包括：选中单元读控制电路、阵列控制电路、第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、灵敏放大器和1S1R阵列；阵列控制电路、第一低压差线性稳压器和灵敏放大器均与选中单元读控制电路连接；第二低压差线性稳压器和1S1R阵列均与阵列控制电路连接。实现了对选通器件不同状态的不同电压控制，保证了1S1R单元能被正确读取；在选通器件导通时，避免了存储器件两端的高电压，避免了读干扰，降低了功耗。

关键词：低压差线性稳压器阵列控制电路读控制电路灵敏放大器选通器件选中读取存储器件电压控制高电压导通功耗保证

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一种微透镜阵列的制备方法、微透镜阵列、系统及设备

一种微透镜阵列的制备方法、微透镜阵列、系统及设备

引用

作者：陶虎维帅秦楠 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及微纳器件制备技术领域，特别涉及一种微透镜阵列的制备方法、微透镜阵列、系统及设备。所述方法包括：获取柔性衬底；对所述柔性衬底进行预处理；在预处理后的所述柔性衬底上设置微透镜打印材料；将所述微透镜材料按照预设微... 详细信息

标准号: CN114325894B

本发明涉及微纳器件制备技术领域，特别涉及一种微透镜阵列的制备方法、微透镜阵列、系统及设备。所述方法包括：获取柔性衬底；对所述柔性衬底进行预处理；在预处理后的所述柔性衬底上设置微透镜打印材料；将所述微透镜材料按照预设微透镜结构在所述柔性衬底上进行增材打印，得到柔性微透镜阵列。该微透镜阵列的制备方法，使用增材制造的方法实现了微透镜阵列在柔性基底上的大面阵制造。所得到的微透镜阵列具有低像差、高透光、结构稳定性好的特点。此外，对柔性衬底进行预处理，使柔性衬底具备良好的定型能力与贴敷性，利于实现柱面弯曲或球面弯曲，方便微透镜阵列的广角成像。

关键词：微透镜阵列衬底预处理制备制备技术领域结构稳定性微透镜材料微透镜结构系统及设备打印材料定型能力广角成像球面弯曲柔性基底微纳器件柱面弯曲大面阵高透光贴敷性微透镜像差预设制造打印

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一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器

一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器

引用

作者：王长郑永辉张真真曹俊诚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，每一排所述上金属电极(5)两两之间通过二级阶梯型微... 详细信息

标准号: CN116314395A

本发明涉及一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，每一排所述上金属电极(5)两两之间通过二级阶梯型微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极(5)具有若干条可调整角度的缺陷。本发明利用耦合机制的调控，可实现量子阱阵列探测器单模、双模两种探测模式，具有更好的市场应用前景。

关键词：上金属电极阵列探测器微腔阵列电极层量子阱单模双模源区市场应用探测模式下电极层耦合机制阶梯型可调整微带线顶层调控

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通感算一体时频资源动态优化接入冲突消除方法及装置

通感算一体时频资源动态优化接入冲突消除方法及装置

引用

作者：朱磊基赵凯伍海一姚炜熊勇 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种通感算一体时频资源动态优化接入冲突消除方法和装置，其中网关侧以频段宽度将可用通信频段划分为若干相互独立频段，在每个独立频段内，以若干个动态可变的时隙组成一段接入请求处理时间窗；同时维护独立频段编号、对应... 详细信息

标准号: CN116600390A

本发明涉及一种通感算一体时频资源动态优化接入冲突消除方法和装置，其中网关侧以频段宽度将可用通信频段划分为若干相互独立频段，在每个独立频段内，以若干个动态可变的时隙组成一段接入请求处理时间窗；同时维护独立频段编号、对应独立频段内时隙状态、对应独立频段内时隙冲突管理队列和对应独立频段内数据发送管理队列，并通过公共频段下发上述消息给节点，完成节点的接入请求与数据发送；节点侧根据节点接入网关的类型分类启动接入申请处理机制。本发明使得节点在保证收发无线数据时效性的同时，最大限度降低网络接入冲突，为节点提供稳定的无线通信接入。

关键词：频段接入请求数据发送管理队列无线通信接入方法和装置动态可变动态优化公共频段管理队列接入冲突节点接入节点提供可用通信申请处理时频资源时隙冲突时隙状态数据发送网络接入无线数据时间窗时效性网关侧网关收发分类冲突保证维护

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一种高度取向结构厚膜的制备方法

一种高度取向结构厚膜的制备方法

引用

作者：何朋丁古巧全奕玮郑豪龙 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法，其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液；将二维纳米分散液平铺于基材表面，形成片层随机取向的第一凝胶膜层；将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理，形... 详细信息

标准号: CN116253917A

本发明涉及一种高度取向结构厚膜的制备方法，其包括将二维纳米片分散在溶剂中得到二维纳米分散液；将二维纳米分散液平铺于基材表面，形成片层随机取向的第一凝胶膜层；将多根直线插入第一凝胶膜层的内部诱导切变流场进行取向处理，形成片层高度定向排布的第二凝胶膜层，该直线与第一凝胶膜层在基材平面平行的方向上发生相对运动，该相对运动为速度介于3mm/s‑16mm/s之间的平动或转速介于600rpm‑1100rpm之间的转动；干燥第二凝胶膜层，得到高度结构取向的二维纳米片基厚膜。本发明的制备方法，在厚度为80μm‑400μm范围内可制备出结构取向因子为0.91‑0.99的高定向厚膜。

关键词：凝胶膜层厚膜制备二维纳米片二维纳米分散液片层定向排布高度结构高度取向基材表面基材平面结构取向取向处理随机取向切变流溶剂平动平铺取向平行转动诱导

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