检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第9期42卷 663-668页

作者：穆敏宏叶凡陈勇臻复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作... 详细信息

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。

关键词：模数转换器(ADC) 栅压自举采样开关互补型开关导通电阻沟道电荷注入

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高灵敏度小型化红外光声气体传感系统

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传感器与微系统 2011年第2期30卷 84-87页

作者：李俊纪新明周嘉包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位... 详细信息

研制了一种高灵敏度小型化红外光声气体传感系统。该系统检测灵敏度高,对乙烯气体体积分数的检测限达到20×10-9以下。对光声信号和检测相位之间的关系进行了详细的研究,分析了光声信号中峰值相位变化的因素。结果表明:在固定相位延迟下利用锁相放大器检测光声信号可以获得比较高的灵敏度。同时根据对光声信号和相位延迟关系的研究,提出了小型化光声腔设计思路。

关键词：光声传感器小型化谐振式相位

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一种单平面电极阵列结构的介质上电润湿数字微流控器件

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复旦学报（自然科学版） 2010年第2期49卷 185-189页

作者：赵平安周嘉刘冉复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电... 详细信息

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电压极性相关性.基于此现象,设计并制作了新型的单平面电极阵列结构的数字微流控器件,简化了器件结构和工艺流程,整个工艺步骤可以与集成电路工艺兼容.新型器件成功实现了3μL的液滴的往返运输,工作电压只需20 V.

关键词：介质上电润湿数字微流控偏氟乙烯与i氟乙烯共聚物单平面电极阵列

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高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

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传感器与微系统 2012年第10期31卷 57-60页

作者：方兴李嘉纪新明包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构... 详细信息

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。

关键词：光声传感器谐振式频率灵敏度信噪比

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基于Silicate-1型分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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传感技术学报 2011年第3期24卷 317-320页

作者：彭晶姚伟纪新明胡元元刘全包宗明黄宜平复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433 复旦大学化学系上海200433

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传... 详细信息

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器。采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测。QCM传感器随着气体浓度的增加,响应时间增加,气体吸附量增加;当DMMP浓度为50×10-6时,QCM响应频率为50 Hz。分别采用水汽,300×10-6 CO2和500×10-6 NH3作为干扰气体对该敏感膜材料选择性进行了研究,QCM的响应频率分别为178 Hz,28 Hz和15 Hz。采用交变电场作用下N2吹洗脱附,在60 s以内就可以达到85%以上的脱附率。

关键词：气敏传感器 Silicate-1分子筛 QCM DMMP

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压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究

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微纳电子技术 2012年第4期49卷 248-253页

作者：朱伦朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了7... 详细信息

利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。

关键词：能量收集压电效应有限元分析垂直式纳米线阵列(VING) 悬臂梁谐振频率

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氮化镓电致发光谱及原位温度近场同测研究

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中国激光 2024年第17期51卷 213-219页

作者：康晓雪陈娜李韶颖刘真民刘书朋商娅娜黄伟卢红亮王廷云上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室上海200444 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。... 详细信息

温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。近场收集电致发光谱和探针针尖处量子点的荧光谱,依据量子点荧光谱峰位偏移与温度的线性关系,解调出样品表面微纳米区的原位温度。不同电压激励下GaN电致发光谱及温度同测结果表明:在0~12 V的激励电压范围内,当激励电压达到9 V时,GaN开始出现电致发光现象,电致发光谱峰强随着激励电压的升高而逐渐升高,中心峰位保持不变,且电致发光导致其自身阻抗特性发生变化,从而导致9~12 V激励电压范围内的GaN表面温度梯度明显高于0~9 V激励电压范围内的温度梯度。该方法实现了近场电致发光谱和温度的原位同测,为器件可靠性研究提供了新的测量手段。

关键词：量子点光纤探针氮化镓近场测温电致发光谱原位检测

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InGaAs MOSFET的电容电压特性

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微电子学 2015年第1期45卷 140-144页

作者：陈军黄大鸣复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降... 详细信息

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： InGaAs MOSFET 电容电压特性量子效应

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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究

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半导体技术 2012年第3期37卷 184-187页

作者：杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函... 详细信息

研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势漏致势垒降低效应

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量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

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微电子学 2013年第2期43卷 292-295页

作者：姚成军黄大鸣施道航焦广泛复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体... 详细信息

基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。

关键词：隧穿场效应晶体管量子效应可靠性

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