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检索条件"机构=东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心"
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MOSFET器件热载流子效应SPICE模型
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东南大学学报(自然科学版) 2015年 第1期45卷 12-16页
作者: 戴佼容 刘斯扬 张春伟 孙陈超 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中... 详细信息
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基于部分扫描的低功耗内建自测试
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固体电子学研究与进展 2005年 第1期25卷 72-76页
作者: 李杰 李锐 杨军 凌明 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
在分析全扫描内建自测试 (BIST)过高测试功耗原因的基础上 ,提出了一种选择部分寄存器成为扫描单元的部分扫描算法来实现低功耗 BIST。实验表明 ,提出的方法在保证测试覆盖率的条件下能同时降低 BIST的峰值功耗和平均功耗 ,降幅分别高达... 详细信息
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一种基于频率补偿的GPS位同步方法
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东南大学学报(自然科学版) 2014年 第6期44卷 1144-1148页
作者: 刘新宁 牛玉祥 戴晨 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
针对GPS接收机在跟踪过程中由频率误差引起的位同步概率下降问题,提出了一种基于频率补偿的GPS位同步方法.分析了环路中频率误差引起相干积分累加值衰减的机理,利用不同频率的复信号分别对相干积分结果进行补偿,计算出20个候选位置的值... 详细信息
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VGA增益控制特性自动测试系统设计
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固体电子学研究与进展 2008年 第1期28卷 70-74页
作者: 黄成 吴建辉 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
利用GPIB总线,设计了高频全差分VGA增益控制特性的自动测试系统。首先分析了基于巴伦的全差分VGA增益测试系统的测试误差,然后利用计算机控制被测VGA和仪器,实现了增益控制特性的自动测试,并利用VBA技术控制Excel,实现了测试数据的自动... 详细信息
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多音激励非线性互调失真特性研究
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固体电子学研究与进展 2007年 第4期27卷 535-539页
作者: 黄成 吴建辉 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
通过研究多音激励下射频通讯电路三阶无记忆非线性系统的互调失真,得到了多音互调比(IMR)、邻道功率比(ACPR)、噪声功率比(NPR)和同道功率比(CCPR)的理论计算公式,测试结果表明估算公式和实际测试结果的误差在2.56 dB之内。
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高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理
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东南大学学报(自然科学版) 2012年 第1期42卷 25-28页
作者: 万维俊 刘斯扬 孙虎 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,... 详细信息
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MIMO-OFDM系统中LDPC码的改进型译码算法
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东南大学学报(自然科学版) 2009年 第5期39卷 884-888页
作者: 高星 张萌 戴志生 汤佳健 徐勐 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
为了降低LDPC码译码算法的复杂性并提高译码性能,针对传统的最小和译码算法的性能缺陷,提出一种改进型最小和译码算法.在最小均方误差准则下,该改进型译码算法充分利用了归一化译码算法和偏移译码算法的优点,以逼近置信传播译码算法.最... 详细信息
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一种数字控制可变输出DC-DC转换器的设计
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东南大学学报(自然科学版) 2012年 第6期42卷 1058-1062页
作者: 王青 王绍权 黄秋华 陈秀玲 徐申 孙伟锋 时龙兴 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
针对SoC中的动态电压调节技术,设计了一款可变输出的数字控制Buck型DC-DC变换器.首先,采用基于系统模型的轨迹预测方法,根据当前开关周期电感电流和输出电压的采样值,并基于电感、电容的储能特性,预测出下一开关周期的电感电流和输出电... 详细信息
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基于新型启动电路的高电源抑制带隙基准源
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固体电子学研究与进展 2008年 第2期28卷 289-292,303页
作者: 翁强 张云珠 吴建辉 张萌 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
设计了一种基于新型启动电路的高电源抑制(PSR)的带隙基准电压源。启动电路可以在300ns的时间内使电路进入工作状态,同时可在10ns的时间内完全关断电路。可控的启动电路增加了电路使用的灵活性。本基准电路基于新加坡Chartered0.25μmN... 详细信息
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动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应
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东南大学学报(自然科学版) 2013年 第4期43卷 691-694页
作者: 徐申 张春伟 刘斯扬 王永平 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区... 详细信息
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