检索结果-内蒙古大学图书馆

太赫兹科学与电子信息学报 2025年第4期23卷 309-316页

作者：孙佳萌付浩魏家行刘斯扬孙伟锋东南大学集成电路学院江苏南京210096 东南大学国家ASIC工程中心江苏南京210096

针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO... 详细信息

针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MOS的续流压降U_(F)为1.6 V,比CON-MOS降低了50%;LBD-MOS的开关损耗E_(switch)为187.3μJ,比CON-MOS降低了6%;在工作频率为10 kHz,占空比为50%的工作条件下,LBD-MOS的总功耗比CON-MOS降低了22.6%。LBD-MOS适用于续流占比高于50%、开关频率不高于1 MHz的工作条件。

关键词： SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管导通功耗续流功耗开关功耗反向恢复功耗

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城市公园碳平衡评估框架构建及影响因素研究——以南京为例

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园林 2025年第2期42卷 4-14页

作者：袁旸洋杨明珠罗尚岑东南大学建筑学院南京210096 江苏省城乡与景观数字技术工程中心南京210096

“双碳”背景下,公园在城市减碳增汇方面展现出重要作用,在城市碳循环中被赋予了碳平衡职能。但城市公园在提供休闲游憩服务的同时,也伴随着大量的碳排放。为揭示城市公园是否为有效的碳汇体,通过构建城市公园碳平衡评估框架,评估南京1... 详细信息

“双碳”背景下,公园在城市减碳增汇方面展现出重要作用,在城市碳循环中被赋予了碳平衡职能。但城市公园在提供休闲游憩服务的同时,也伴随着大量的碳排放。为揭示城市公园是否为有效的碳汇体,通过构建城市公园碳平衡评估框架,评估南京15个城市公园的年度碳平衡情况,明确影响城市公园碳平衡的关键景观要素指标。结果显示,不同城市公园的年度碳平衡情况存在差异性,绝大多数公园是“碳源”;公园的面积越大,植被覆盖度越高,其碳吸收能力也越强,照明、绿色废弃物处理和建筑运维是主要来源;绿地率、硬质面积和建筑面积三个指标与碳平衡的实现密切相关。对城市碳平衡目标的达成具有积极的意义,不仅可为城市公园的更新与改造提供数据支持,也能够为运维管理的优化提供参考。

关键词：风景园林城市公园碳汇碳排放评估框架

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PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

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固体电子学研究与进展 2002年第1期22卷 72-77页

作者：陆生礼孙伟锋易扬波谭悦吴建辉时龙兴东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结... 详细信息

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m

关键词：等离子平板显示驱动选择驱动芯片 HV-COMS器件

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基于空闲时间分配的电压调节策略

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高技术通讯 2008年第2期18卷 156-161页

作者：许参胡晨李杰王超东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096

为了求解考虑系统能耗的实时动态电压调节(DVS)问题,提出了基于空闲时间分配算法(STDA)的 DVS 策略,该策略以时间片为单位逐步把所有空闲时间分配给各个任务,且每个时间片都被分配给产生能量减少量最大的任务。分析指出,当时间片大小设... 详细信息

为了求解考虑系统能耗的实时动态电压调节(DVS)问题,提出了基于空闲时间分配算法(STDA)的 DVS 策略,该策略以时间片为单位逐步把所有空闲时间分配给各个任务,且每个时间片都被分配给产生能量减少量最大的任务。分析指出,当时间片大小设置合适时,STDA 算法的能耗接近于 DVS 问题的最小能耗。仿真实验结果表明,对于仅考虑处理器能耗的 DVS 问题,STDA 算法的能耗和最优策略的能耗相近;而对于考虑系统能耗的 DVS 问题,STDA 算法减少能耗的效果要优于其他现有 DVS 策略。

关键词：动态电压调节任务模型空闲时间分配算法

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1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究

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电子学报 2016年第1期44卷 130-134页

作者：黄宇刘斯扬顾春德马荣晶孙伟锋东南大学国家ASIC工程中心江苏南京210096

本文首次研究了1.2k V碳化硅(Silicon Carbide,Si C)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于... 详细信息

本文首次研究了1.2k V碳化硅(Silicon Carbide,Si C)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电荷的存在使得器件的导通电阻与阈值电压出现下降,关态漏电流出现上升.

关键词：碳化硅功率MOSFET 非钳位重复应力退化

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BP机写码器的设计与实现

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计算机工程与应用 1996年第5期32卷 74-76页

作者：时龙兴孙洪军胡晨孙大有东南大学国家ASIC工程中心

ＢＰ机在投入使用前，要向机内的ＥＥＰＲＯＭ写入规定格式的地址码及其它一些参数信息。本文介绍的ＢＰ机写码器，利用微机的打印机适配器把ＥＥＰＲＯＭ和微机相连，采用ＦＯＸＰＲＯ和Ｃ语言混和编程的方法，具有线路简单，操作方便... 详细信息

ＢＰ机在投入使用前，要向机内的ＥＥＰＲＯＭ写入规定格式的地址码及其它一些参数信息。本文介绍的ＢＰ机写码器，利用微机的打印机适配器把ＥＥＰＲＯＭ和微机相连，采用ＦＯＸＰＲＯ和Ｃ语言混和编程的方法，具有线路简单，操作方便的优点，有很大的推广价值。

关键词： BP机移动通信写码器设计

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宽频带低相噪CMOS互补交叉耦合VCO设计

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无线电工程 2022年

作者：姚伟卓陈超赖星东南大学国家ASIC工程中心

相位噪声作为压控振荡器最核心的指标，反应了压控振荡器提供的本振信号的噪声水平。基于180nmCMOS工艺，通过引入互补交叉耦合对、设计可编程尾电阻、采用电阻钳位开关电容阵列，达到降低相位噪声水平的目的，实现了一种具有宽调谐范...

相位噪声作为压控振荡器最核心的指标，反应了压控振荡器提供的本振信号的噪声水平。基于180nmCMOS工艺，通过引入互补交叉耦合对、设计可编程尾电阻、采用电阻钳位开关电容阵列，达到降低相位噪声水平的目的，实现了一种具有宽调谐范围、低相位噪声的互补交叉耦合压控振荡器（VCO）。传统LC-VCO中采用的尾电流源被可编程尾电阻替代，从而抑制尾电流源闪烁噪声上变频对输出信号相位噪声的影响。流片结果显示，在1.5V电源电压下，压控振荡器谐振范围为3.04GHz-4.25GHz，工作电流为3mA，当谐振频率为3.44GHz时，相位噪声为-119.67dBc/Hz@1MHz，压控振荡器优值（FoM）为183.2dBc/Hz。

关键词：

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线性预测编码的实时语音通信系统

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东南大学学报（自然科学版） 1996年第S1期26卷 119-124页

作者：时龙兴陆生礼李素珍东南大学国家ASIC工程中心

线性预测编码的实时语音通信系统时龙兴陆生礼李素珍（东南大学国家ＡＳＩＣ工程中心，南京２１００１８）随着无线通信的快速发展，频谱资源更显宝贵．为了更有效地利用有限的频谱资源，迫切需要实时的低速率语音编解码系统．综合目前... 详细信息

线性预测编码的实时语音通信系统时龙兴陆生礼李素珍（东南大学国家ＡＳＩＣ工程中心，南京２１００１８）随着无线通信的快速发展，频谱资源更显宝贵．为了更有效地利用有限的频谱资源，迫切需要实时的低速率语音编解码系统．综合目前的语音编码技术现状，选用语音的参数...

关键词： signal processing linear prediction / speech coding speech communication

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线性预测编码的实时语音通信系统

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东南大学学报（自然科学版） 1996年第6期26卷 117-122页

作者：时龙兴陆生礼李素珍东南大学国家ASIC工程中心

关键词：线性预测编码语音参数编码语音通信编码系统

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InGaAs单光子探测器传感检测与淬灭方式

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物理学报 2014年第10期63卷 218-226页

作者：郑丽霞吴金张秀川涂君虹孙伟锋高新江东南大学无锡分校无锡214135 东南大学国家ASIC工程中心南京210096 中国电子科技集团第44研究所重庆400060

针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(... 详细信息

针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行制造,而SPAD则采用非标准CMOS工艺.利用铟柱互连混合封装工艺实现SPAD与感应接口电路的协同工作.在低温-30?C的条件下,实现了SPAD光触发雪崩电流信号的提取和快速淬灭.研究了感应电阻和临界检测电压对传感检测电性能的影响,并采用简单电路结构实现状态检测,实测得到的SPAD恢复时间、传输延时分别为575,563 ps,淬灭时间为1.88 ns,满足纳秒级精度传感检测应用的需要.

关键词：单光子雪崩二极管盖革模式门控主动淬灭

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