检索结果-内蒙古大学图书馆

电子器件 2016年第3期39卷 605-610页

作者：王丽娟李锦明杜东海中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

针对高速数据存储器对光纤数据高速率、大容量的要求,设计了一种SFP(Small Form Pluggable)热插拔小封装模块高速光模块控制器。该设计采用Spartan-6 FPGA为核心控制器、高速串行技术为支撑,进行了接口电路的设计,且重点介绍了控制器的... 详细信息

针对高速数据存储器对光纤数据高速率、大容量的要求,设计了一种SFP(Small Form Pluggable)热插拔小封装模块高速光模块控制器。该设计采用Spartan-6 FPGA为核心控制器、高速串行技术为支撑,进行了接口电路的设计,且重点介绍了控制器的自定义协议的设计和仿真。通过分析集成比特误码率测试仪器(IBERT)测试和Chipscope抓取的数据,验证了光纤数据能够以不低于1 Gbit/s的速率进行数据存储。结果表明该设计具有封装小,可移植性强等优点,在某高速数据存储器中已得到了成功应用。

关键词：光纤通信高速串行 FPGA SFP光模块高速数据存储

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压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究

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仪表技术与传感器 2016年第5期 9-11页

作者：李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军中北大学电子测试技术重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气... 详细信息

在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。

关键词： SOI(绝缘体上硅) 压力敏感芯片关键工艺 kulite压力传感器背靠背测量

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基于弹载测试仪的高速旋转弹丸膛内转速测试

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探测与控制学报 2016年第3期38卷 94-97页

作者：沈大伟边玉亮范锦彪中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

针对膛内高冲击高过载的恶劣环境以及对光、磁信号的屏蔽作用,使得弹丸旋转速度难以准确获取的问题,提出了基于弹载测试仪的高速旋转弹丸膛内转速测试方法。该方法利用弹载测试仪准确获取弹丸在膛内的轴向加速度信号,同时结合炮膛缠度... 详细信息

针对膛内高冲击高过载的恶劣环境以及对光、磁信号的屏蔽作用,使得弹丸旋转速度难以准确获取的问题,提出了基于弹载测试仪的高速旋转弹丸膛内转速测试方法。该方法利用弹载测试仪准确获取弹丸在膛内的轴向加速度信号,同时结合炮膛缠度和炮管口径信息,得出高速旋转弹丸在膛内整个过程的旋转速度。通过对实际测试数据分析表明,该方法能够准确测出旋转弹丸在膛内的转速,测试数据精度能够满足测试要求。

关键词：膛内转速弹载测试仪轴向加速度缠度

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基于MRAM+Flash的多路采集存储系统

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电子器件 2016年第3期39卷 662-666页

作者：王悦凯马游春丁宁中北大学电子测试国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室

为了实现飞行数据采集中在负延时测试,设计了一种以MRAM与Flash相结合的多模式存储方式,并利用FPGA作为主控制部分的多路数据采集存储系统;并对数据编码进行了优化。实现了对飞行器负延时170 ms内的状态监测,为存储测试试验准备预留了... 详细信息

为了实现飞行数据采集中在负延时测试,设计了一种以MRAM与Flash相结合的多模式存储方式,并利用FPGA作为主控制部分的多路数据采集存储系统;并对数据编码进行了优化。实现了对飞行器负延时170 ms内的状态监测,为存储测试试验准备预留了更加充足的装配调试时间,极大的降低了系统的功耗,最终成功应用于某飞行数据记录器上。

关键词：采集存储负延时低功耗 MRAM+Flash

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Fe_3O_4/PDMS复合材料磁电容微弱信号检测电路的设计

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电子器件 2016年第3期39卷 680-685页

作者：关洋张晓明沈丹丹吕忆玲王天宇中北大学电子测试技术国防科技重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

针对Fe_3O_4/PDMS复合材料磁电容信号变化微弱,检测困难的问题,设计了一种基于充放电法的微小电容检测电路。详细论述了组成该电路的脉冲激励模块、C-V转换模块、信号调理模块及载波调解模块的原理及功能,同时搭建硬件平台对复合材料磁... 详细信息

针对Fe_3O_4/PDMS复合材料磁电容信号变化微弱,检测困难的问题,设计了一种基于充放电法的微小电容检测电路。详细论述了组成该电路的脉冲激励模块、C-V转换模块、信号调理模块及载波调解模块的原理及功能,同时搭建硬件平台对复合材料磁电容进行实验验证。通过对Fe_3O_4/PDMS纳米复合材料磁电容平行板结构进行测试实验,结果表明:在p F级范围内进行测试,检测电路的输出线性度较好,电路的标度因数与理论值相差较小。测试电路具有响应快速、外部电路简单、易于集成、稳定好、成本低等优点。

关键词： Fe3O4/PDMS复合材料充放电法脉冲激励模块 C-V转换模块信号调理模块载波调解模块

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基于氧化铝陶瓷的无线无源高温压力传感器的设计与制备

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科学技术与工程 2016年第2期16卷 203-207页

作者：关洋张晓明中北大学电子测试技术国防科技重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

设计并制备了一种基于氧化铝陶瓷的无线无源高温压力传感器。首先在常温、压力测试范围为0~0.4 MPa的设计条件下,利用ANSYS仿真软件对所设计的结构进行了力学模型的分析,得出方形氧化铝陶瓷的最大等效应力小于最大许用应力;之后从切片... 详细信息

设计并制备了一种基于氧化铝陶瓷的无线无源高温压力传感器。首先在常温、压力测试范围为0~0.4 MPa的设计条件下,利用ANSYS仿真软件对所设计的结构进行了力学模型的分析,得出方形氧化铝陶瓷的最大等效应力小于最大许用应力;之后从切片与冲孔、叠片与热压、高温烧结、丝网印刷与后烧等主要工艺步骤介绍了基于氧化铝陶瓷压力传感器的制备方法;最后对其进行了导通性测试。所制备的压力传感器可用于常温下的压力检测和高温下的性能研究。

关键词：氧化铝陶瓷压力传感器 Ansys仿真工艺制备

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CNT-SnO_2复合材料的制备及甲醛气敏性的研究

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科学技术与工程 2016年第1期16卷 53-57页

作者：房家骅谭秋林刘文怡中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

甲醛作为室内装潢最主要的污染物之一,会对人们的健康造成危害。采用旁热式气敏元件的制备工艺,利用功能化后的碳纳米管对二氧化锡进行不同比例的掺杂,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对气敏材料进行表征;并在甲醛气氛中与二氧化... 详细信息

甲醛作为室内装潢最主要的污染物之一,会对人们的健康造成危害。采用旁热式气敏元件的制备工艺,利用功能化后的碳纳米管对二氧化锡进行不同比例的掺杂,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对气敏材料进行表征;并在甲醛气氛中与二氧化锡气体传感器进行对比。分析了掺杂浓度,工作温度及气体浓度对传感器灵敏度和响应恢复时间的影响,对其气敏机理进行分析。结果表明碳纳米管的引入提高了二氧化锡传感器对甲醛气体的灵敏度缩短了其响应恢复时间;并且对低浓度的甲醛气体也有较好的响应。

关键词：碳纳米管二氧化锡甲醛气体传感器

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基于FPGA的IRIG-B(AC)时间码解码器的设计

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电子器件 2016年第2期39卷 370-373页

作者：贾磊崔永俊杨兵王晋伟中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

为了解决IRIG-B(AC)码解码精度低的问题,提高解调系统的稳定性,提出了一种利用高性能FPGA实现解调IRIG-B(AC)码的解码器。通过调用FPGA的IP核生成乘法器与FIR低通滤波器,将B(AC)码中的交流分量滤除掉,然后根据其幅值进行解调。该解码器... 详细信息

为了解决IRIG-B(AC)码解码精度低的问题,提高解调系统的稳定性,提出了一种利用高性能FPGA实现解调IRIG-B(AC)码的解码器。通过调用FPGA的IP核生成乘法器与FIR低通滤波器,将B(AC)码中的交流分量滤除掉,然后根据其幅值进行解调。该解码器能够快速准确地解调出IRIG-B(AC)码的时间信息,并输出与此时间信息对应的秒脉冲,通过输出端口将解调出的时间信息传输到上位机显示。通过大量试验证明该解码器准确度高、稳定性强,能够满足各种应用场所对IRIG-B(AC)码授时的要求。

关键词： IRIG-B码解码滤波 A/D转换秒脉冲

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谐振式光学陀螺数字陀螺信号的提取技术(本期优秀论文)

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光通信技术 2016年第12期40卷 1-4页

作者：杨婷张成飞郑永秋李博中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

针对谐振式光学陀螺模拟量式陀螺信号中叠加正弦噪声的问题,提出基于NAND FLASH的数字式陀螺信号提取方式,详细阐述了型号为MT29F64G08AFAAA的FLASH操作过程。进行了样机转动和零偏稳定性测试,并对测试结果进行了Allan方差拟合,辨识出... 详细信息

针对谐振式光学陀螺模拟量式陀螺信号中叠加正弦噪声的问题,提出基于NAND FLASH的数字式陀螺信号提取方式,详细阐述了型号为MT29F64G08AFAAA的FLASH操作过程。进行了样机转动和零偏稳定性测试,并对测试结果进行了Allan方差拟合,辨识出模拟量中的正弦噪声。

关键词：谐振式光学陀螺 NAND FLASH 正弦噪声零偏稳定性 Allan方差

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不同厚度PZT薄膜的制备及电性能特性研究

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电子器件 2016年第5期39卷 1034-1036页

作者：宋瑞佳郑俊华谭秋林中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

采用sol-gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上分别制备了厚度为400 nm、600 nm、800 nm的PZT(锆钛酸铅,Zr/Ti=52/48)薄膜,研究了厚度对薄膜介电性能与铁电性能的影响。通过对薄膜的铁电性能与介电性能进行测试,分析了不同厚度薄膜... 详细信息

采用sol-gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上分别制备了厚度为400 nm、600 nm、800 nm的PZT(锆钛酸铅,Zr/Ti=52/48)薄膜,研究了厚度对薄膜介电性能与铁电性能的影响。通过对薄膜的铁电性能与介电性能进行测试,分析了不同厚度薄膜的剩余极化强度、介电常数与介电损耗,进一步分析了薄膜的介电调谐性能。实验结果表明,薄膜的介电常数与介电损耗随薄膜厚度的增大而增加;厚度为600 nm的薄膜具有最好的介电调谐性能与铁电性能。

关键词：铁电薄膜 PZT薄膜溶胶-凝胶介电性铁电性

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