检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料 2012年第9期43卷 1212-1216页

作者：杨玉华杜妙璇关新锋丑修建张文栋中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用... 详细信息

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。

关键词： PLZT反铁电厚膜相变电流密度温度电场

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

原子源的制备与相干性检测

引用

光电子．激光 2012年第3期23卷 538-541页

作者：王晓佳冯焱颖薛洪波中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 清华大学精密仪器与机械学系精密测试技术及仪器国家重点实验室北京100084

利用不平衡三维磁光阱(3D-MOT)技术,制备了低速、高通量的连续型原子束。通过使一束冷却光沿着光传播方向形成"中空光束",在MOT中形成一对具有不平衡光辐射压力的对射光束,压力将MOT中冷却与陷俘的87 Rb原子云团从"中空... 详细信息

利用不平衡三维磁光阱(3D-MOT)技术,制备了低速、高通量的连续型原子束。通过使一束冷却光沿着光传播方向形成"中空光束",在MOT中形成一对具有不平衡光辐射压力的对射光束,压力将MOT中冷却与陷俘的87 Rb原子云团从"中空光束"通道中推出产生连续出射的原子。形成的原子束具有一定的速度和速度分布,可反映原子束的相干性。对所制备原子束的相干性进行了测量和分析,结果表明,所产生的原子束的最可几速度约为12m/s,纵向速度分布约为3m/s,对应的德布罗意波波长约为0.4nm,带宽为0.1nm。通过光电倍增管(PMT)收集的荧光强度推算得原子束通量为108～109 atoms/s。

关键词：不平衡磁光阱(MOT) 飞行时间法(TOF) 原子束相干性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

压力测试中引压管的动态特性研究

引用

中北大学学报（自然科学版） 2011年第2期32卷 222-226页

作者：叶挺梁庭张文栋中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

采用激波管实验装置对不同长度、不同直径的引压管进行了实验.利用MATLAB编写了快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)算法,通过FFT算法计算了实验结果的频率特性,分析了长度、直径对引压管动态特性的影响.结果表明:随着直径的增... 详细信息

采用激波管实验装置对不同长度、不同直径的引压管进行了实验.利用MATLAB编写了快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)算法,通过FFT算法计算了实验结果的频率特性,分析了长度、直径对引压管动态特性的影响.结果表明:随着直径的增加,引压管的工作频带变宽;长度是最主要的影响因素,直接决定引压管的工作频带,长度越短其工作频带越宽.

关键词：压力测试引压管动态特性激波管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

具有量子行为的粒子群优化算法的改进

引用

计算机工程与应用 2009年第35期45卷 41-43,55页

作者：靳雁霞韩燮周汉昌中北大学电子与计算机科学技术学院太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

为改善基本粒子群的全局、局部搜索能力和收敛速度、计算精度,基于标准PSO算法和量子理论基础之上,提出一种改进的基于量子行为的PSO算法—WbQPSO算法。新算法中,采用全同粒子系更新位置,并引入混沌思想,对每个粒子进行混沌搜索,另外通... 详细信息

为改善基本粒子群的全局、局部搜索能力和收敛速度、计算精度,基于标准PSO算法和量子理论基础之上,提出一种改进的基于量子行为的PSO算法—WbQPSO算法。新算法中,采用全同粒子系更新位置,并引入混沌思想,对每个粒子进行混沌搜索,另外通过在Mbesti中加入权重系数,试图改善粒子群的全局、局部搜索能力和收敛速度以及计算精度。对经典函数的测试计算表明:改进算法的性能优于经典的PSO算法,基于量子行为的PSO算法。

关键词：基于量子行为的粒子群优化算法QPSO算法量子行为混沌思想权重系数全同粒子系

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的影响

引用

微纳电子技术 2012年第4期49卷 263-267,279页

作者：杜妙璇耿文平丑修建张文栋中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜... 详细信息

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。

关键词：溶胶-凝胶反铁电厚膜退火工艺微观结构电学特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

透射电镜真空系统的自动应急处理方法及其实现

引用

科学技术与工程 2013年第18期21卷 5287-5293页

作者：崔永俊中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子与计算机科学技术学院太原030051

透射电镜的某些故障可能会影响真空系统的正常运行,甚至导致某些真空部件的损坏。基于实际应用需求研究了真空系统的自动应急处理方法。通过分析透射电镜及其真空系统的故障种类和模式,将故障按其危害严重程度进行分级。针对不同等级的... 详细信息

透射电镜的某些故障可能会影响真空系统的正常运行,甚至导致某些真空部件的损坏。基于实际应用需求研究了真空系统的自动应急处理方法。通过分析透射电镜及其真空系统的故障种类和模式,将故障按其危害严重程度进行分级。针对不同等级的故障采取不同的应对措施,并确定应急操作方法,以及故障处理完毕后重新启动真空系统的流程。采用自动触发方法实现真空控制系统的自动报警、自动应急处理响应,以确保透射电镜正常运行。通过实际应用表明,真空控制系统的自动应急处理措施是有效的,基于自动触发的故障处理方法能够满足系统对故障的应急处理要求。

关键词：透射电镜真空系统自动应急处理自动触发 PLC控制

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用

引用

半导体技术 2013年第5期38卷 321-327页

作者：穆继亮郭茂香刘冰陈东红丑修建熊继军中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深... 详细信息

三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。

关键词：微纳机电系统高深宽比硅微结构刻蚀技术应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高k栅介质材料制备技术研究进展

引用

传感器与微系统 2013年第12期32卷 6-9页

作者：刘冰穆继亮陈东红丑修建郭涛熊继军中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1 nm以下时会导致栅极漏电流增大、器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足CMOS技术长远发展要求。因此,寻求替代SiO2的新型栅介质材料,减少器件的隧穿电流,提升可靠性成为CMOS技... 详细信息

随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1 nm以下时会导致栅极漏电流增大、器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足CMOS技术长远发展要求。因此,寻求替代SiO2的新型栅介质材料,减少器件的隧穿电流,提升可靠性成为CMOS技术的发展方向。如何制备化学性质稳定、性能优异的栅介质薄膜成为高k栅介质材料亟待解决的问题。论述了理想高k栅介质材料的基本要求,重点介绍了高k栅介质材料制备技术的研究进展,并分析指出了高k栅介质材料制备技术的未来发展趋势。

关键词：高介电常数栅介质掺杂制备技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于USB2．0的数字摄像系统设计

引用

电测与仪表 2008年第1期45卷 55-57页

作者：王红亮赵纯中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子与计算机科学技术学院太原030051

给出了基于图像传感器OV7660和USB2.0接口的数字图像采集系统设计方案,介绍了硬件电路的设计思路及组成。在此基础上,详细分析了USB2.0单片机控制图像传感器的采集时序,描述了初始化设置图像传感器内部寄存器,读写时序配合的固件程序和... 详细信息

给出了基于图像传感器OV7660和USB2.0接口的数字图像采集系统设计方案,介绍了硬件电路的设计思路及组成。在此基础上,详细分析了USB2.0单片机控制图像传感器的采集时序,描述了初始化设置图像传感器内部寄存器,读写时序配合的固件程序和将采样数据形成图像实时显示到上位机的图像处理软件。实验表明,该系统软硬件能够很好的配合工作,完成空间图像的实时采样,并且能够实时显示图像,画质优良。

关键词： OV7660 图像采集固件程序

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于USB接口的等效器的设计与实现

引用

科学技术与工程 2013年第12期21卷 3460-3465页

作者：张雪莲崔永俊沈三民叶勇武晋波中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室电子与计算机科学技术学院太原030051

为配合测量系统对飞行设备进行试飞前各种性能参数的检测,提出了一种基于USB接口的等效器的设计与实现。该等效器是地面模拟设备,用于等效飞行器控制系统与测量系统的接口,产生适合测试的各种模拟与数字信号。系统与上位机的通信采用US... 详细信息

为配合测量系统对飞行设备进行试飞前各种性能参数的检测,提出了一种基于USB接口的等效器的设计与实现。该等效器是地面模拟设备,用于等效飞行器控制系统与测量系统的接口,产生适合测试的各种模拟与数字信号。系统与上位机的通信采用USB协议芯片FT245RL实现接口设计,同时通过FPGA控制、VHDL的灵活使用及超强的硬件设计,实现各模拟信号与RS422异步串行数字量的高可靠性传输功能。

关键词：等效器上位机 FT245RL VHDL RS422

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：