检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2008年第9期21卷 1536-1540页

作者：王楷群张文栋毛海央中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 北京大学微电子研究所北京100871

以压阻式微加速度计为研究对象,定量研究了环境温度对其灵敏度的影响。理论研究结果表明,压阻式微加速度计灵敏度的相对误差随着温度偏差绝对值的增大而增大;其中灵敏度误差在温度偏差为+20℃时达到-4.943%,在温度偏差为-20℃时达到4.9... 详细信息

以压阻式微加速度计为研究对象,定量研究了环境温度对其灵敏度的影响。理论研究结果表明,压阻式微加速度计灵敏度的相对误差随着温度偏差绝对值的增大而增大;其中灵敏度误差在温度偏差为+20℃时达到-4.943%,在温度偏差为-20℃时达到4.982%。设计了压阻式微加速度计压敏电阻的温度特性测试系统,测试结果表明,在温度偏差为+20℃时,灵敏度误差为-4.303%,温度偏差为-20℃时,实验值为4.251%。理论计算值与实验测试值相吻合。

关键词：相对误差温度偏差迁移率灵敏度压阻式微加速度计

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AVR单片机与串行A/D的SPI接口设计

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电测与仪表 2008年第9期45卷 46-48页

作者：王红亮杨晓中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

为了解决信号采集系统的同步串行通讯问题,在理解AVR单片机SPI接口的通讯原理和方法的基础上,分析了AVR单片机SPI接口的工作过程,设计了AVR单片机和串行A/D转换器的同步串行通讯接口,并用程序描述了SPI接口通讯的过程,实现了AVR单片机通... 详细信息

为了解决信号采集系统的同步串行通讯问题,在理解AVR单片机SPI接口的通讯原理和方法的基础上,分析了AVR单片机SPI接口的工作过程,设计了AVR单片机和串行A/D转换器的同步串行通讯接口,并用程序描述了SPI接口通讯的过程,实现了AVR单片机通过SPI接口与串行A/D转换器之间的数据通讯。最后,用实验和数据分析验证了设计方案的可行性。

关键词： SPI接口 AVR单片机串行A/D

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信息化战场下声信号目标识别技术

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飞航导弹 2008年第6期 27-31页

作者：王洋王红亮于君中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室

介绍了信息化战场中声信号的目标特点及应用领域,并对信息化战场中的声信号的目标识别关键步骤和国外发展现状做出了详细阐述,指出了信息化战场下声信号的目标识别技术的发展趋势。

关键词：信息化战场声信号目标识别技术

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基于MSP430的智能锂电池放电特性测试仪

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微计算机信息 2008年第16期24卷 139-140页

作者：李婷祖静李新娥张瑜中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国家重点实验室 030051

便携式电子类产品很多情况下需要大量与其匹配的电池,电池的特性对电器产品的正常运作有很大影响。智能型锂电池测试仪的研制很好地解决了锂电池测试的问题。它以MSP430F149单片机作为控制器,实现了自动采样电池电压,依据每个电池特性... 详细信息

便携式电子类产品很多情况下需要大量与其匹配的电池,电池的特性对电器产品的正常运作有很大影响。智能型锂电池测试仪的研制很好地解决了锂电池测试的问题。它以MSP430F149单片机作为控制器,实现了自动采样电池电压,依据每个电池特性及时断开放电电路并记录存储放电过程中的电池电压,且最终依据存储数据绘制电池特性图。实验证明:测试仪具有精度高(误差小于1%),使用方便(自动操作),安全可靠(自动关断)等优点。

关键词：锂电池 MSP430单片机放电特性

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单质量块的单轴集成惯性测量器件的设计

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传感技术学报 2008年第4期21卷 600-603页

作者：马宗敏石云波刘俊中北大学电子测试技术国家重点实验室中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 加州伯克利大学机械工程系伯克利USA CA94720

介绍了一种单质量块的单轴集成惯性测量器件的结构,提出一种可以利用一个敏感头同时测量某一方向加速度和陀螺信号的集成测量结构形式;同时建立了单轴集成测量器件的模型,并运用计算机辅助软件对其进行仿真,对惯性测量器件的加速度信号... 详细信息

介绍了一种单质量块的单轴集成惯性测量器件的结构,提出一种可以利用一个敏感头同时测量某一方向加速度和陀螺信号的集成测量结构形式;同时建立了单轴集成测量器件的模型,并运用计算机辅助软件对其进行仿真,对惯性测量器件的加速度信号和陀螺信号的产生及仿真进行了阐述;最后,为了保证器件有高的成品率,对测量器件的版图进行了优化设计和修改;为了保证高的检测精度,还就测量器件的后续处理电路进行了研究。

关键词：单轴集成建模仿真版图处理电路

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基于DSP的车辆噪声信号分析检测研究

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车用发动机 2008年第6期 73-76页

作者：王洋于君王红亮刘俊张文栋中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

从车辆噪声源入手,分析了车辆噪声信号的差异性和声传感器采集的可行性,采用TMS320F2812数字处理芯片辅以外部电路,通过内置模数转换模块采集外部车辆噪声信号,并将其在计算机终端进行预处理、功率谱密度分析以及小波特征提取算法仿真,... 详细信息

从车辆噪声源入手,分析了车辆噪声信号的差异性和声传感器采集的可行性,采用TMS320F2812数字处理芯片辅以外部电路,通过内置模数转换模块采集外部车辆噪声信号,并将其在计算机终端进行预处理、功率谱密度分析以及小波特征提取算法仿真,最终将验证后的算法程序下载到TMS320F2812的FLASH中独立运行。将此系统用于车辆类型判断、车辆结构损坏检测、车辆超载或者超速监视等,取得了满意的监测效果。

关键词：噪声信号功率谱密度分析小波特征

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基于SiCl_4/SF_6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀

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Journal of Semiconductors 2008年第6期29卷 1194-1197页

作者：仝召民薛晨阳张斌珍王勇张文栋张雄文中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 中国电子科技集团公司第13研究所石家庄050000

报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlAs的平均刻蚀速率与二者的选择比.合适的SiCl4/SF6气体比例(15/5sccm),低的RF... 详细信息

报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlAs的平均刻蚀速率与二者的选择比.合适的SiCl4/SF6气体比例(15/5sccm),低的RF偏压电源功率和高的气室压力将加强AlF3非挥发性生成物的形成,进而提高GaAs/AlAs的选择比.在SiCl4/SF6气体比例为15/5sccm,RF偏压电源功率为10W,主电源功率为500W,气室压力为2Pa时,GaAs/Al-As的选择比达1500以上.采用喇曼光谱仪对不同RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs衬底被刻蚀面等离子体损伤进行了测试,表面形貌和被刻蚀侧壁分别采用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)进行观察.

关键词： GaAs/AlAs ICP 选择性干法刻蚀 SiCl4/SF6

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基于FPGA的内部逻辑在线测试技术研究

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电测与仪表 2008年第11期45卷 34-37页

作者：孟令军李娜中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北京100080 中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

随着FPGA集成度以及设计复杂度的增加,传统的测试方法受到局限。在高速FPGA测试中,内部信号的实时获取和分析比较困难。本文首先阐述了在线测试相关技术,详细说明了在QuartusII中使用嵌入式逻辑分析仪SignalTapII的具体方法和步骤,并给... 详细信息

随着FPGA集成度以及设计复杂度的增加,传统的测试方法受到局限。在高速FPGA测试中,内部信号的实时获取和分析比较困难。本文首先阐述了在线测试相关技术,详细说明了在QuartusII中使用嵌入式逻辑分析仪SignalTapII的具体方法和步骤,并给出一个具体的设计实例。实验结果表明,应用SignalTapII对FPGA进行测试,操作方便,实时性较高。

关键词： FPGA SignalTap Ⅱ嵌入式逻辑分析仪 Quartus Ⅱ

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芯片级平面环形微腔的品质因数

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纳米科技 2008年第5期5卷 27-30,61页

作者：严英占闫树斌王少辉熊继军中北大学电子测试技术国防重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

平面环形微腔作为光学微腔的新型腔体，在保持高品质因数的同时其加工更适合批量生产和易于与其他部件的集成，有着广泛的应用前景。文章讨论并模拟了各因素对平面环形微腔品质因数的影响，在此基础上讨论了高品质因数平面环形微腔的设... 详细信息

平面环形微腔作为光学微腔的新型腔体，在保持高品质因数的同时其加工更适合批量生产和易于与其他部件的集成，有着广泛的应用前景。文章讨论并模拟了各因素对平面环形微腔品质因数的影响，在此基础上讨论了高品质因数平面环形微腔的设计和加工。最后给出中北大学微纳中心设计加工的平面环形微腔实例。

关键词：光学微腔平面环形微腔品质因数

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芯片级平面环形微腔的表面优化处理研究

芯片级平面环形微腔的表面优化处理研究

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中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会

作者：严英占王少辉姜国庆熊继军张文栋闫树斌中北大学电子测试技术国防重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

基于MEMS工艺的平面环形微腔，由于特有的结构而拥有极高的品质因数和极低的模式体积而具有显著的量子效应，在光量子器件、光集成、光网络以及光量子计算机等信息领域有重要的应用。品质因数Q作为表征微腔质量的重要参量，主要受到微... 详细信息

基于MEMS工艺的平面环形微腔，由于特有的结构而拥有极高的品质因数和极低的模式体积而具有显著的量子效应，在光量子器件、光集成、光网络以及光量子计算机等信息领域有重要的应用。品质因数Q作为表征微腔质量的重要参量，主要受到微腔表面粗糙度的制约。本文介绍了一种环形微腔的表面处理方法：利用高功率CO2激光器进行微腔表面处理。实验结果证明：此方法不仅最终使得环形微腔成型，而且经高功率CO2激光器处理后的微腔表面光洁度明显提高。这对高Q值环形微腔的制备以及其在各个应用领域的应用有重要的意义。

关键词：平面环形微腔品质因数表面处理表面粗糙度 MEMS工艺量子效应 CO2激光器

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