检索结果-内蒙古大学图书馆

电子设计工程 2009年第2期17卷 39-40,42页

作者：薛隆全文丰张时华中北大学仪器与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国家重点试验室山西太原030051

采用无信号调节功能的低电压差分信号LVDS(Low-Voltage Differentical Signaling)器件接入通信设备,其电缆长度一般为几米;但采用具有驱动器预加重功能和接收器均衡功能的LVDS器件,其电缆长度可达数百米。采用LVDS接口器件的系统如果需... 详细信息

采用无信号调节功能的低电压差分信号LVDS(Low-Voltage Differentical Signaling)器件接入通信设备,其电缆长度一般为几米;但采用具有驱动器预加重功能和接收器均衡功能的LVDS器件,其电缆长度可达数百米。采用LVDS接口器件的系统如果需长距离传输数据,可采用电缆驱动器[1]。该系统采用DS92LV1023和DS92LV1224型的LVDS器件与驱动器件CLC006和CLC014相配合,可实现传输300米的距离。该系统设计已投入使用,其性能可靠工作稳定。

关键词： LVDS 长距离同轴电缆 DS92LV023 DS92LV1224

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介观压阻效应及器件

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机械工程学报 2008年第11期44卷 26-33页

作者：张文栋熊继军薛晨阳张斌珍仝召民中北大学电子测试技术国防重点实验室太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

介绍GaAs/AlAs/InGaAs双势垒超晶格薄膜结构的介观压阻效应以及几种基于此效应的新型传感器件。阐述介观压阻效应的四个过程,结合空气桥结构和欧姆接触技术,在[001]晶向半绝缘GaAs衬底上加工出来了GaAs/AlAs/InGaAs共振隧穿结构(Resonan... 详细信息

介绍GaAs/AlAs/InGaAs双势垒超晶格薄膜结构的介观压阻效应以及几种基于此效应的新型传感器件。阐述介观压阻效应的四个过程,结合空气桥结构和欧姆接触技术,在[001]晶向半绝缘GaAs衬底上加工出来了GaAs/AlAs/InGaAs共振隧穿结构(Resonant tunneling structures,RTS),并对其进行了加压试验研究,发现其介观压阻灵敏度达到2.54×10^(-9)Pa^(-1),是硅压阻灵敏度的一个数量级以上。采用控制孔技术成功加工出了基于RTS的圆膜压力、四梁加速度和仿生矢量水声三种新型纳机电器件,并分别对其进行了压力罐、振动台和水下驻波测试。结果表明圆膜压力传感器具有较好的力电耦合特性:四梁加速度计的压阻灵敏度随RTS两端偏置电压可调,并在微分负阻区具有最大压阻灵敏度;矢量水听器具有良好的"8"字余弦指向性,灵敏度在1 000 Hz时达到184.6 dB,可以实现水平面内的水下声信号探测。

关键词：介观压阻效应共振隧穿结构纳机电

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基于共振隧穿二极管的应力检测方法

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Journal of Semiconductors 2008年第2期29卷 324-328页

作者：熊继军毛海央张文栋薛晨阳中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国防重点实验室太原030051

共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提... 详细信息

共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法——惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,可调范围达到三个数量级.

关键词：共振隧穿二极管应力检测振荡频率 I-V特性压阻灵敏度

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芯片级平面环形微腔的品质因数

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纳米科技 2008年第5期5卷 27-30,61页

作者：严英占闫树斌王少辉熊继军中北大学电子测试技术国防重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051

平面环形微腔作为光学微腔的新型腔体，在保持高品质因数的同时其加工更适合批量生产和易于与其他部件的集成，有着广泛的应用前景。文章讨论并模拟了各因素对平面环形微腔品质因数的影响，在此基础上讨论了高品质因数平面环形微腔的设... 详细信息

平面环形微腔作为光学微腔的新型腔体，在保持高品质因数的同时其加工更适合批量生产和易于与其他部件的集成，有着广泛的应用前景。文章讨论并模拟了各因素对平面环形微腔品质因数的影响，在此基础上讨论了高品质因数平面环形微腔的设计和加工。最后给出中北大学微纳中心设计加工的平面环形微腔实例。

关键词：光学微腔平面环形微腔品质因数

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芯片级平面环形微腔的表面优化处理研究

芯片级平面环形微腔的表面优化处理研究

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中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会

作者：严英占王少辉姜国庆熊继军张文栋闫树斌中北大学电子测试技术国防重点实验室，仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

基于MEMS工艺的平面环形微腔，由于特有的结构而拥有极高的品质因数和极低的模式体积而具有显著的量子效应，在光量子器件、光集成、光网络以及光量子计算机等信息领域有重要的应用。品质因数Q作为表征微腔质量的重要参量，主要受到微... 详细信息

基于MEMS工艺的平面环形微腔，由于特有的结构而拥有极高的品质因数和极低的模式体积而具有显著的量子效应，在光量子器件、光集成、光网络以及光量子计算机等信息领域有重要的应用。品质因数Q作为表征微腔质量的重要参量，主要受到微腔表面粗糙度的制约。本文介绍了一种环形微腔的表面处理方法：利用高功率CO2激光器进行微腔表面处理。实验结果证明：此方法不仅最终使得环形微腔成型，而且经高功率CO2激光器处理后的微腔表面光洁度明显提高。这对高Q值环形微腔的制备以及其在各个应用领域的应用有重要的意义。

关键词：平面环形微腔品质因数表面处理表面粗糙度 MEMS工艺量子效应 CO2激光器

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溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜及其材料性能研究

溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜及其材料性能研究

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中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会

作者：李珺泓薛晨阳梁庭谭秋林范秋生张文栋中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，电子测试技术国防重点实验室，山西太原030051

采用溶胶-凝胶法，成功地在Pt(111)/Ti/Si3N4/SiO2/Si(100)衬底上制备出大面积的PZT薄膜，通过增加10％的Pb来解决Pb在高温退火中挥发的问题，并采取了600℃、650℃和700℃三种退火方式。采用XRD和Raman光谱仪对制备的薄膜进行了结晶性... 详细信息

采用溶胶-凝胶法，成功地在Pt(111)/Ti/Si3N4/SiO2/Si(100)衬底上制备出大面积的PZT薄膜，通过增加10％的Pb来解决Pb在高温退火中挥发的问题，并采取了600℃、650℃和700℃三种退火方式。采用XRD和Raman光谱仪对制备的薄膜进行了结晶性能与成相结构的测试，实验结果表明在700℃退火时，薄膜不仅形成了三方、四方共存的钙钛矿相结构，而且形成了沿＜100＞方向择优取向的薄膜。

关键词：锆钛酸铅薄膜溶胶凝胶法材料性能 PZT薄膜高温退火 XRD Raman光谱仪

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共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究

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仪器仪表学报 2006年第z2期27卷 1189-1191页

作者：毛海央张文栋熊继军薛晨阳中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室太原030051

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同... 详细信息

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％。随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成。

关键词：共振隧穿二极管 Ⅰ-Ⅴ特性一致性压阻特性

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共振隧穿二极管的压阻特性测试与研究

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Journal of Semiconductors 2006年第10期27卷 1789-1793页

作者：毛海央熊继军张文栋薛晨阳桑胜波鲍爱达中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国防重点实验室太原030051

设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地定量表达其压阻特性,研究了同一RTD结构I-V特性的一致... 详细信息

设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地定量表达其压阻特性,研究了同一RTD结构I-V特性的一致性,得到相同环境条件下RTD电阻的最大相对漂移量小于3%,其中1%由测试仪器造成.

关键词：共振隧穿二极管压阻特性一致性灵敏度喇曼光谱

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共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究

共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究

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第四届全国信息获取与处理学术会议

作者：毛海央张文栋熊继军薛晨阳中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室太原030051

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性.实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间... 详细信息

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性.实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％.随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成.

关键词：共振隧穿二极管压阻特性漂移量

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