检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子．激光 2006年第12期17卷 1427-1431页

作者：黄宇孙建薛俊明马铁华熊强赵颖耿新华中北大学电子工程系仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室河北省信息产业厅唐山无线电管理分局河北唐山063000

采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了... 详细信息

采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度为4．9×10^20cm^-3，霍尔迁移率为56cm^2／V·s，可见光范围内（400～800nm）的平均透过率大于85％。

关键词：中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜衬底温度

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衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响

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兵工学报 2006年第5期27卷 891-894页

作者：黄宇熊强薛俊明马铁华孙建赵颖耿新华中北大学电子工程系仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 河北省信息产业厅唐山无线电管理分局河北唐山063000 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右... 详细信息

ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度1．98×10^20cm^-3，霍尔迁移率61．9cm^2／（V·s），可见光范围内（波长400～800nm）的平均透过率大于85％．

关键词：凝聚态物理学中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜衬底温度载流子浓度霍尔迁移率

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FPGA集成FIFO在高过载存储测试系统中的应用

FPGA集成FIFO在高过载存储测试系统中的应用

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第四届全国信息获取与处理学术会议

作者：马游春张涛李锦明仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子科学与技术系太原030051

本文主要利用XILINX公司的FPGA芯片XC2S30内部的双口RAM来集成FIFO,并根据两种不同的三星公司FLASH存储器页编程缓冲寄存器容量,设计了两种不同的FIFO缓冲高过载存储测试解决方案,从而最大限度地利用了FPGA的内部资源,文中还给出了测试... 详细信息

本文主要利用XILINX公司的FPGA芯片XC2S30内部的双口RAM来集成FIFO,并根据两种不同的三星公司FLASH存储器页编程缓冲寄存器容量,设计了两种不同的FIFO缓冲高过载存储测试解决方案,从而最大限度地利用了FPGA的内部资源,文中还给出了测试系统总体框图及应用情况.

关键词：高过载存储测试数据缓存可编程器件闪存 FPGA集成

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微型惯性测量装置

微型惯性测量装置

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第四届全国信息获取与处理学术会议

作者：李杰刘俊张文栋教育部仪器科学与动态测试重点实验室太原030051 中北大学电子科学与技术系太原030051

在介绍微型惯性测量装置工作原理的基础上,详细阐述了系统件的软硬实现过程,并通过转台试验验证了利用其进行导航计算的正确性和有效性.

关键词：转台导航计算惯性测量

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溅射功率对ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

溅射功率对ZnO:Al透明导电薄膜性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：黄宇薛俊明马铁华熊强孙建赵颖耿新华仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西省太原市030051 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津30007 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071 仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西省太原市030051 北省信息产业厅唐山无线电管理分局河北省唐山市063000 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 &天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室南开大学天津300071

本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备... 详细信息

本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜具有较好的表面形貌.

关键词：中频磁控溅射溅射功率透明导电薄膜薄膜性能薄膜太阳电池

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衬底温度对溅射后腐蚀法制备绒面ZnO透明导电膜性能的影响

衬底温度对溅射后腐蚀法制备绒面ZnO透明导电膜性能的影响

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第九届中国太阳能光伏会议

作者：薛俊明黄宇孙建赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系山西太原

本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5﹪的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构.研究了平面ZAO薄膜的结构特性,以... 详细信息

本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5﹪的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构.研究了平面ZAO薄膜的结构特性,以及衬底温度对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响.结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,可用于硅基薄膜太阳电池.

关键词：中频磁控溅射湿法腐蚀透明导电膜衬底温度薄膜太阳电池

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