检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 269-272页

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值... 详细信息

研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式CVD 碳硅比均匀性

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生长源流量对SiC外延生长的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 266-268页

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

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生长源流量对SiC外延生长的影响

生长源流量对SiC外延生长的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%... 详细信息

研究了水平热壁式CVD（hot-wall CVD）4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H的流量获得低于1%（最好值为0.09%）的外延厚度均匀性（σ/mean）,碳硅比（C/Si）的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%（最好值为4.37%）的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式CVD 碳硅比均匀性

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应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术

引用

电子工业专用设备 2017年第4期46卷 20-23页

作者：黄旼朱健石归雄微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传... 详细信息

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。

关键词：集成无源器件硅通孔互补金属氧化物半导体转接板射频

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