检索结果-内蒙古大学图书馆

微波学报 2025年第1期41卷 58-62页

作者：孙世昭邹建军江胜坤陈旭媛王战亮宫玉彬段兆云电子科技大学电子科学与工程学院微波电真空器件国家级重点实验室成都611731 昆山国力大功率器件工业技术研究院有限公司苏州215300 中国电子科技集团公司第十二研究所北京100015 江西理工大学电气工程与自动化学院赣州341000

G波段超构表面行波管具有天然的双电子注通道,电子注可以在超构表面两侧传输,和超构表面的局域增强电场进行注波互作用,可提高G波段行波管的输出功率和效率。本文研究了一支适用于G波段超构表面行波管的多注电子枪,其采用八个相同的圆... 详细信息

G波段超构表面行波管具有天然的双电子注通道,电子注可以在超构表面两侧传输,和超构表面的局域增强电场进行注波互作用,可提高G波段行波管的输出功率和效率。本文研究了一支适用于G波段超构表面行波管的多注电子枪,其采用八个相同的圆形阴极构成双排阵列,以产生双排多电子注,同时设计了一种三级聚焦极,使双排多电子注聚焦并与电子注通道适配。模拟结果表明,当注电压为24.6 kV、阴极半径为0.15 mm时,总注电流达到173 mA,阴极发射电流密度为30.6 A/cm^(2),射程为13 mm。静态流通模拟结果表明,在0.2 T的均匀磁场聚焦下,电子注在超构表面慢波结构中可以传输70 mm。该研究为G波段超构表面行波管的研究奠定理论基础。

关键词： G波段超构表面行波管多注电子枪三级聚焦极

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包覆型BN-AIN复合粉体研究

引用

稀有金属材料与工程 2007年第A01期36卷 4-6页

作者：张巨先梁龙冯进军中国电子科技集团公司第十二研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室北京100016 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084

利用包覆法,首先通过将AIN粉体均匀分散到硼酸(H38O3)和尿素(CO(NH2)2)的无水乙醇溶液中,制备出与硼酸和尿素均匀混合的AIN粉体。然后在氮气氛下,经过氮化处理来制备BN-AIN的复合粉体。DTA/TG分析显示,氮化反应从800℃开始,到1100℃时... 详细信息

利用包覆法,首先通过将AIN粉体均匀分散到硼酸(H38O3)和尿素(CO(NH2)2)的无水乙醇溶液中,制备出与硼酸和尿素均匀混合的AIN粉体。然后在氮气氛下,经过氮化处理来制备BN-AIN的复合粉体。DTA/TG分析显示,氮化反应从800℃开始,到1100℃时结束。XRD和TEM分析发现,复合粉体是由非晶态的BN均匀包覆AIN的复合颗粒组成。

关键词： BN-AIN复合粉体包覆型颗粒氮化处理

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速调管二维计算程序的界面设计

速调管二维计算程序的界面设计

引用

中国电子学会真空电子学分会第十五届学术年会暨军用微波管研讨会

作者：梁友焕冯进军瞿波中国电子科技集团公司第12研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室

本文在原有的二维速调管计算程序的基础上作了改进,增加了输入输出界面,使得程序的应用更加方便,数据的输入输出更加直观.

关键词：速调管计算程序界面设计

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微波管环境下场发射阵列阴极的工作稳定性分析

微波管环境下场发射阵列阴极的工作稳定性分析

引用

中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议

作者：冯进军中国电子科技集团公司第12研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室

场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性问题,也就是寿命问题。虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚的速调四极管的实... 详细信息

场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴极的工作稳定性问题,也就是寿命问题。虽然国外也有一些利用这种冷阴极的行波管和预群聚的速调四极管的实验,但都存在同样的寿命问题。本文对场致发射阵列阴极在微波管环境中的工作稳定性和失效机理进行了分析研究,主要的原因是真空度、微波管的残余气氛、电子枪区域的高压和打火影响了阵列阴极的寿命等,提出了场致发射阵列阴极在结构、发射体材料、处理工艺、整管排气封接过程等方面的改进方法和相应的分析,以使这种阴极能适应微波电真空器件的特殊环境。

关键词：微波管场发射阵列阴极寿命问题

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从真空微电子学到真空纳电子学

从真空微电子学到真空纳电子学

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中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议

作者：冯进军中国电子科技集团公司第12研究所大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议(... 详细信息

微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议(IVMC),随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议(IVNC)。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。

关键词：真空微电子学纳电子学

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