检索结果-内蒙古大学图书馆

高分子学报 1996年第6期6卷 650-659页

作者：苏肪谢斌王文楼中国科学技术大学结构分析开放实验室

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电... 详细信息

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系．进一步解谱准确地求出Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２（ｎ＝１２、１６）薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应，并结合Ｘ－光物相分析，根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论．添加２０％的增塑剂碳酸丙烯酯，较大改进了压力下的导电性．

关键词：高聚物固体电解质离子电导率介电常数压力

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La_(0.3)Ca_(0.7)Mn_(1-x)W_xO_3体系电荷有序的建立与融化

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光谱学与光谱分析 2007年第2期27卷 223-227页

作者：蔡之让郭焕银刘宁张裕恒宿州学院材料研究室中国科学技术大学结构分析开放实验室安徽合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室

用标准的固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(0.00≤x≤0.15)多晶样品。通过对样品磁化强度?温度(M-T)曲线、磁化强度?磁场强度(M-H)曲线及ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3体系的磁相变的影响。结果表明,随着W掺杂... 详细信息

用标准的固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(0.00≤x≤0.15)多晶样品。通过对样品磁化强度?温度(M-T)曲线、磁化强度?磁场强度(M-H)曲线及ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3体系的磁相变的影响。结果表明,随着W掺杂量的增加,体系磁相变发生了复杂的变化过程。当掺杂量为0.00≤x≤0.08时,体系存在电荷有序(CO)相,反铁磁(AFM)/CO态共存于相变温度以下,电荷有序温度(TCO)随着W掺杂量的增加而增加。x≥0.12时,体系电荷有序态逐渐减弱并融化,在极低温度下存在顺磁—铁磁(PM-FM)相变。

关键词：凝聚态物理磁相变电荷有序建立融化稀土

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La_(0.67)Sr_(0.33)Co_(1-x)Fe_xO_3体系的输运行为

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材料研究学报 2003年第3期17卷 276-280页

作者：刘宁孙勇中国科学技术大学结构分析开放实验室

研究了Co位Fe掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)Co_(1-x)Fe_xO_3体系的电输运性质和超大磁阻效应的影响。实验结果表明:在低掺杂(x<0.1)时电阻率表现出金属性输运行为,在高掺杂(x=0.2和0.3)时则为半导体行为。Fe掺杂削弱了T_c处的MR峰值,但... 详细信息

研究了Co位Fe掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)Co_(1-x)Fe_xO_3体系的电输运性质和超大磁阻效应的影响。实验结果表明:在低掺杂(x<0.1)时电阻率表现出金属性输运行为,在高掺杂(x=0.2和0.3)时则为半导体行为。Fe掺杂削弱了T_c处的MR峰值,但增加了低温下(T <

关键词：材料科学基础学科 CMR效应固相反应法输运机制

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钒氧酞菁(VOPc)与钒酞菁(VPc)分子的扫描隧道显微镜图像模拟

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物理学报 2002年第3期51卷 609-615页

作者：李群祥杨金龙袁岚峰侯建国朱清时中国科学技术大学选键化学开放实验室合肥230026 中国科学技术大学选键化学开放实验室合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥230026

利用第一性原理方法模拟了自由钒氧酞菁(VOPc)和钒酞菁(VPc)分子的扫描隧道显微镜(STM)图像,与实验观察结果相当符合. 理论STM图像都显示出亚分子内结构,外围呈四叶状. 其主要差异表现在VOPc分子中心处的钒氧离子在STM图像中为一空洞,而... 详细信息

利用第一性原理方法模拟了自由钒氧酞菁(VOPc)和钒酞菁(VPc)分子的扫描隧道显微镜(STM)图像,与实验观察结果相当符合. 理论STM图像都显示出亚分子内结构,外围呈四叶状. 其主要差异表现在VOPc分子中心处的钒氧离子在STM图像中为一空洞,而在VPc分子的STM图像中钒离子为突起的亮斑.通过分析VOPc和VPc分子的电子结构,对模拟结果给出自洽的理论解释. 造成两者图像显著不同的物理原因是VPc分子在费米能级附近有明显含dz2成分的分子轨道,导致钒离子在STM图像中央为突起的亮斑.而在VOPc分子中dz2分态密度峰位由于氧原子的加入使之远离费米能级,使STM不能'看到'VOPc分子中钒氧离子.

关键词：钒氧酞菁钒酞菁 STM图像模拟电子结构

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原位光发射谱研究横向偏压金刚石薄膜生长过程

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无机材料学报 2000年第6期15卷 1061-1066页

作者：廖源尚乃贵李灿华王冠中马玉蓉方容川中国科学技术大学结构分析开放实验室中国科学技术大学物理系合肥230026

利用热丝ＣＶＤ方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达１．１×１０８ｃｍ－２．，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发... 详细信息

利用热丝ＣＶＤ方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达１．１×１０８ｃｍ－２．，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发射谱研究发现，横向偏流的增加提高了原子氢和ＣＨ基团的浓度，导致衬底表面非晶碳层的形成，这可能是造成横向偏压促进金刚石成核却不利于金刚石薄膜生长的主要原因．

关键词：金刚石薄膜横向偏压原位光发射谱非晶碳层

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2H-Nb_(0.9)Ta_(0.1)Se_2中磁通涡旋输运的标度行为

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物理学报 2001年第11期50卷 2221-2225页

作者：张波田明亮张裕恒中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥230026

测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲... 详细信息

测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲线中 ,电流较大时 ,靠近上临界磁场Hc2 附近出现一个强峰 ,而在低电流下 ,该峰消失 .同时在临界电流峰效应区的起始处出现一小峰 .实验结果表明掺Ta后 ,涡旋体系的动力学特性发生了显著的变化 .

关键词：磁通涡旋标度定律临界电流峰效应 2H-Nb0.9Ta0.1Se2单晶第Ⅱ类超导体动力学

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K_3Ba_3C_(60)在不同温度下的Raman光谱研究

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物理学报 2001年第2期50卷 304-309页

作者：熊奕敏孙哲陈仙辉中国科学技术大学结构分析开放实验室和物理系合肥230026

研究了K3Ba3C60 在不同温度下的Raman光谱 .发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化 .随着温度的降低 ,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C60 的情况明显不同 .径向Ag(2 )模的频率在 2 0K到室温之间有一个反常大的向高频漂移 (9cm... 详细信息

研究了K3Ba3C60 在不同温度下的Raman光谱 .发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化 .随着温度的降低 ,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C60 的情况明显不同 .径向Ag(2 )模的频率在 2 0K到室温之间有一个反常大的向高频漂移 (9cm-1) ,这表明在C60 分子和掺杂离子之间存在着轨道杂化 .另外Raman光谱中Ag(1)模两个分量的相对强度随着温度的降低发生有规律的变化 .

关键词：高频漂移轨道杂化拉曼光谱温度碳60 富勒烯

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薄膜中缩聚型分形的计算机模拟

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物理学报 1997年第1期46卷 28-34页

作者：曾建林巴龙侯建国吴自勤中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

在计算机生成的二维多晶上，利用不均匀晶粒的熟化机理，对薄膜中的缩聚型分形进行了计算机模拟．分析了影响缩聚过程的各主要因素，引入了三个参数：晶界速率因子ｂ，弛豫范围Ｌ和周界曲率因素Ｕ．在一定的参数范围内。

关键词：薄膜缩聚型分形计算机模拟

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二维钾、钠紫青铜单晶A_0.9Mo_6O_(17)(A=K,Na)的热电势特性

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物理学报 1997年第1期46卷 123-128页

作者：田明亮毛志强王瑞萍王业斌张裕恒中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自... 详细信息

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自由电子为支配载流子；而在Ｔ＜１０５Ｋ的低温ＣＤＷ态，Ｓ为正值，可表示为Ｓ＝Ａ′Ｔ＋Ｂ′／Ｔ的形式，载流子的声子曳引热电势占支配作用．（２）对钠紫青铜，在Ｔ＞８０Ｋ范围内Ｓ与Ｔ具有很好的线性关系，没有观察到Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，电子为支配载流子．对造成两者差异的根源。

关键词：紫青铜单晶电荷密度波势电势

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掺Ba的2201相的结构与性能的关系

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物理学报 1994年第2期43卷 315-321页

作者：毛志强季明荣田明亮朱警生张裕恒中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Ｔ，但当ｘ≥０．３时，其Ｔ迅速下降，同时伴随超导相－... 详细信息

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Ｔ，但当ｘ≥０．３时，其Ｔ迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ￣（２＋）对Ｓｒ￣（２＋）的同价元素的替代加剧了Ｂｉ－Ｏ层与钙钛矿层间的点阵错配，从而严重地影响了Ｃｕ－Ｏ＿２面的对称特性，Ｃｕ－Ｏ＿２面中的Ｃｕ３ｄ电子态也由此而发生改变（即Ｃｕ３ｄ电子的库仑关联趋于增强）．在Ｂａ的掺杂过程中，正是由于这种Ｃｕ３ｄ电子态的改变，２２０１相才呈现出了超导相－绝缘相的转变。

关键词：铋系 2201相电子结构钡掺杂

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