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  • 748 篇 中文
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检索条件"机构=中国科学技术大学结构分析开放研究实验室"
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化学气相沉积法制备金刚石膜截面微区Raman分析
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物理学报 1999年 第12期48卷 2382-2388页
作者: 王冠中 叶峰 常超 章应辉 方容川 中国科学技术大学结构分析开放实验室 合肥230026 中国科学技术大学物理系 合肥230026 中国科学技术大学化学物理系 合肥230026
采用微区Raman 散射分析方法研究化学气相沉积法制备的金刚石膜的横截面.金刚石膜从衬底面到生长面不同位置具有不同特征的Raman 谱,依此对膜中的金刚石、石墨和非晶碳成分进行分析.衬底面附近区域对应金刚石膜生长过程的... 详细信息
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制备类金刚石薄膜过程中的等离子体发射光谱
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物理化学学报 1992年 第3期8卷 383-388页
作者: 张慰萍 陈竞 方容川 胡克良 中国科学技术大学物理系 合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室
测定了不同反应条件下,不同空间位置的等离子体发射光谱,并与相应条件下生成的类金刚石薄膜的红外吸收谱进行对照,分析了它们之间的关系。
来源: 评论
用射频磁控溅射法制备的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜光致发光特性(英文)
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功能材料 2006年 第2期37卷 319-321页
作者: 许小亮 王燎原 王烨 杨智超 施朝淑 中国科学院中国科学技术大学结构分析实验室
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其... 详细信息
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Abnormality of Magnetic Behavior and Resistivity of La_(0.7-x)Dy_x Sr_(0.3)MnO_3 (0.00≤x≤0.30)System at Low Temperature
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Chinese Journal of Chemical Physics 2006年 第2期19卷 173-177页
作者: 刘宁 徐素军 童伟 严国清 宿州学院物理系 宿州234000 中国科学技术大学结构分析开放实验室 合肥230026
By measuring M-T curves, ρ-T curves and MR-T curves of the samples under different temperatures, the influence of Dy doping (0.00 ≤ x ≤0.30) on the magnetic and electric properties of La0.7-xDyxSr0.3MnO3 has been... 详细信息
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Si_3N_4Si量子点电子结构的理论研究
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物理学报 1994年 第3期43卷 424-432页
作者: 左都罗 李道火 中国科学院安徽光学精密机械研究所 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室
采用经表面优化的对称球形团簇作Si_3N_4,Si晶态量子点的模型,利用紧束缚近似和recursion方法研究了它们的电子结构,给出了导带底和价带顶位置随量子点尺寸的变化。得到了328原子Si_3N_4量子点、323... 详细信息
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Bi2Sr2CaCu2Oy单畴晶体的生长与结构表征
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低温物理学报 1996年 第5期18卷 362-367页
作者: 孙学峰 吴文彬 朱警生 赵小如 汪良斌 周贵恩 李晓光 张裕恒 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室
用定向凝固法生长出单畴、大尺寸的Bi2Sr2CaCu2Oy晶体.利用X射线衍射对一单晶样品进行了全面的结构表征.实验结果表明,我们的单晶不含有交生、孪晶等结构缺陷,而且更重要的是具有极小的镶嵌效应.但在这些高质量的单... 详细信息
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Bi系氧化物超导体的微结构与超导电性的关系
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低温物理学报 1994年 第3期16卷 161-178页
作者: 张裕恒 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室
本文系统地研究总结了Bi系氧化物超导体的微结构特征及其与超导电性的关系.我们的研究结果指出CuO2面的准二维特征是铜氧化物产生超导电性的必要条件,超导电性的出现与否以及Tc的高低是由CuO2面的结构畸变程度的大小所决... 详细信息
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在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象
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低温物理学报 2000年 第6期22卷 401-410页
作者: 张波,田明亮,张裕恒 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026
我们测量了纯 2H NbSe2 单晶样品在磁场下的直流电输运行为 ,得到了有重入现象的电阻随磁场变化R(H)、电阻随温度变化R(T)以及临界电流随磁场变化Ic(H)关系曲线 .我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势 ,得到了上、下表面重入... 详细信息
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非双交换作用巨磁电阻材料FeCr2-xGaxS4的输运行为
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低温物理学报 2000年 第3期22卷 161-167页
作者: 谭舜,杨昭荣,陈志文 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥230026
FeCr2 S4是不存在双交换作用和Jahn Teller畸变的巨磁电阻材料 ,本文用不变价的非磁性的Ga部分地替代Cr,发现体系的居里温度和出现巨磁电阻的峰值都向高温移动 .实验上指出Ga替代减弱了Cr离子之间的自旋耦合 ,体系的铁磁性增强 ,使极化... 详细信息
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C_(60)不同吸附取向的STM图象的理论模拟
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物理学报 1999年 第8期48卷 1477-1483页
作者: 李群祥 杨金龙 侯建国 汪克林 朱清时 中国科学技术大学选键化学开放研究实验室 合肥230026 中国科学技术大学结构分析研究开放研究实验室 合肥230026 中国科学技术大学基础物理中心 合肥230026
采用离散变分局域密度泛涵( D V L D F) 方法,基于 Tersoff Hamann 的扫描隧道显微镜( S T M) 理论,通过计算单个 C60 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 S T M 图象.计算结果表明,不... 详细信息
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