检索结果-内蒙古大学图书馆

低温物理学报 1996年第2期18卷 116-119页

作者：许存义左健许高杰朱警生毛志强中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

本文利用激光拉曼光谱研究了Ｌａ替代Ｓｒ对Ｂｉ－２２０１相材料的微结构和氧含量的影响．实验表明，随着Ｌａ含量的增加，体系中额外氧增加，晶体的结构畸变加剧，晶格的无序程度增大．本大利用调制的晶格失配模型对这种由Ｌａ替代Ｓ... 详细信息

本文利用激光拉曼光谱研究了Ｌａ替代Ｓｒ对Ｂｉ－２２０１相材料的微结构和氧含量的影响．实验表明，随着Ｌａ含量的增加，体系中额外氧增加，晶体的结构畸变加剧，晶格的无序程度增大．本大利用调制的晶格失配模型对这种由Ｌａ替代Ｓｒ所造成的结构畸变行为进行了讨论．

关键词：微结构晶体土壤结构 La Bi Raman光谱拉曼光谱晶格失配结构畸变正常态喇曼散射光散射拉曼散射钛矿物钙钛矿振动模

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Si-W/Si/SiO_2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

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物理学报 1989年第6期38卷 981-986页

作者：卢江吴自勤中国科学技术大学结构分析开放实验室

本文用横截面电子显微镜法分析了 Si-W/Si/SiO_2/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi_2并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和... 详细信息

本文用横截面电子显微镜法分析了 Si-W/Si/SiO_2/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi_2并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和缓.退火温度高达800—1000℃时,界面、表面出现原子扩散,造成剧烈的界面起伏;表面则出现小的热沟槽,Si/siO_2界面也出现高分辨电子显微镜才能观察到的起伏.表面、界面的原子迁移的动力来源于晶界与表面、界面张力.由于SiO_2中Si—O键很稳定,不易发生Si和O在界面处的互扩散,所以Si/SiO_2界面起伏很小.

关键词： Si-W合金膜电子显微镜金相分析

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碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征

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Chinese Journal of Chemical Physics 2004年第5期17卷 633-636页

作者：宁吉强杨碚芳傅正平王震张庶元中国科学技术大学材料科学与工程系合肥230026 中国科学技术大学结构分析研究开放实验室合肥230026

采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金... 详细信息

采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金属K ,所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶 .SiC单晶丝直径为 10～2 0nm ,长度可达 1.5 μm ;SiC晶片的横向尺寸为 0 .1～ 3μm ,具有规则多面体外形 ,显示阶梯状生长侧面 .此外 ,对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论 ,研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影响 .

关键词：溶剂热合成碳化硅过饱和度

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高温超导电性与晶格失配

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低温物理学报 1994年第6期16卷 409-418页

作者：周贵恩朱警生石磊吴文彬中国科学技术大学结构分析开放实验室

本文研究了高温超导体的单晶结构特征，发现Ｂｉ系２２１２相单晶不是通常意义的三维晶体．比较了Ｂｉ系２２１２相单晶和２２０１相单晶结构特征，发现２２１２相的ＢｉｘＯｙ没有进入母结构钙钛矿晶格，而２２０１相是Ｂｉ进入母结构... 详细信息

本文研究了高温超导体的单晶结构特征，发现Ｂｉ系２２１２相单晶不是通常意义的三维晶体．比较了Ｂｉ系２２１２相单晶和２２０１相单晶结构特征，发现２２１２相的ＢｉｘＯｙ没有进入母结构钙钛矿晶格，而２２０１相是Ｂｉ进入母结构形成的成分调制的超晶格．二者有本质不同的结构特点．具有高转变温度的Ｂｉ系２２１２相和Ｙ系１２３相，其共同的结构特征是都存在晶格失配，而Ｂｉ系２２０１相Ｔｃ低的原因起源于Ｂｉ进入母结构。

关键词：单晶结构高温超导体结构特征超导材料母结构超点阵超晶格晶格失配高温超导电性

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准一维有机超导体(TMTSF)_2ClO_4的高精度温差电动势研究

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物理学报 2004年第7期53卷 2310-2315页

作者：柴一晟杨宏顺刘剑纪明白彦波曹烈兆 J.C.Lasjaunias 中国科学技术大学结构分析开放实验室物理系合肥230026 Centre de Recherches sur les Tres Basses Temperatures

测量了准一维有机超导体 (TMTSF) 2 ClO4 单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势 (6— 2 80K) .高温下的温差电动势表现出线性行为 ,不能被正常的一维电子能带理论所解释 .在 2 4 0K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变 .在 14 0... 详细信息

测量了准一维有机超导体 (TMTSF) 2 ClO4 单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势 (6— 2 80K) .高温下的温差电动势表现出线性行为 ,不能被正常的一维电子能带理论所解释 .在 2 4 0K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变 .在 14 0K左右温差电动势向下逐渐偏离线性行为 ,这与 1D— 2D的维度渡越相关 .对阴离子有序—无序相变温度Ta(Ta=2 4K)附近的温差电动势结果与比热和电阻率的数据进行了比较 .对于极慢速降温的温差电动势 ,求导后可以看到相变的痕迹 .随着通过Ta 降温速率的增大 ,在Ta 之下的温差电动势数值出现了一个逐渐增大的整体抬高 .对此进行了讨论 .

关键词：有机超导体输运性质温差电动势费米特性

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La_(0.67-x)Sm_xSr_(0.3)3MnO_3陶瓷中的相分离和输运特性

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硅酸盐学报 2005年第6期33卷 746-752页

作者：刘宁郭焕银徐素军童伟宿州学院物理系安徽宿州234000 中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥230026

测量了La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60)陶瓷的磁化强度温度曲线、电子自旋共振谱曲线和电阻率温度曲线。实验结果表明:x=0.00,0.10时,样品为长程铁磁有序;x=0.20,0.30时,样品为自旋团簇玻璃态;x=0.40,0.50,0.60时,样品在低温时表现为反铁磁状态;x=0.30和0.40的样品在Curie温度TC以上温区发生相分离。高掺杂(x=0.60)样品的输运行为发生异常,在TC附近发生绝缘体-金属相变后,又发生金属绝缘体相变,这在ABO3结构中很少出现。陶瓷的磁电行为变化取决于掺杂引起的额外磁性和晶格畸变效应。

关键词：磁结构相分离输运行为多晶

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掺Y对PbWO_4闪烁体的热释光影响

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物理学报 2000年第10期49卷 2078-2082页

作者：刘波施朝淑魏亚光吴灿李裕熊胡关钦沈定中中国科学技术大学结构分析研究实验室中国科学技术大学物理系合肥230026 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学院上海硅酸盐研究所

研究了纯PbWO4 和PbWO4 :Y晶体经γ射线辐照和可见光光照前后室温以上的热释光 .发现大剂量辐照后掺Y可以有效地抑制热释光的强度并使热释光峰移向高温 ,说明掺Y有利于提高光输出的稳定性 .可见光光照也会影响热释光并可以产生新的热释... 详细信息

研究了纯PbWO4 和PbWO4 :Y晶体经γ射线辐照和可见光光照前后室温以上的热释光 .发现大剂量辐照后掺Y可以有效地抑制热释光的强度并使热释光峰移向高温 ,说明掺Y有利于提高光输出的稳定性 .可见光光照也会影响热释光并可以产生新的热释光峰 ,这可能是由于光释电子 (或空穴 )被浅陷阱重新俘获或是光照后产生了新型色心的结果 .

关键词：热释光钨酸铅掺杂钇闪烁体

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非晶Ge/晶态Ag迭层膜中的临近效应和输运行为的反常

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低温物理学报 1997年第4期19卷 25-30页

作者：彭振生傅岚中国科学技术大学结构分析开放实验室

本文研究了不同厚度的Ａｇ膜与相应厚度的非晶Ｇｅ／晶态Ａｇ迭层膜的特殊输运性质．实验发现，随着Ａｇ膜厚度的减小，电阻温度曲线的斜率增大；在迭层膜中出现室温下的临近效应，并首次讨论了临近效应与界面晶格振动的竞争

关键词：临近效应厚度电阻电阻抗 Ge Ag 输运行为非晶晶态

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高温超导热激活模型新论

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低温物理学报 1996年第4期18卷 241-251页

作者：张裕恒牟陟许小军中国科学技术大学结构分析开放实验室

本文理论考虑了Ａｎｄｅｒｓｏｎ热激活模型中磁通涡旋线的反向跃迁，即从低势能向高势能的跃迁，解出高温超导磁通动力学的Ｍ～１ｎｔ关系，Ｅ（ｊ）～ｊ关系，不仅使经典的Ａｎｄｅｒｓｏｎ热激活理论碰到的困难全部得到解决，而且解... 详细信息

本文理论考虑了Ａｎｄｅｒｓｏｎ热激活模型中磁通涡旋线的反向跃迁，即从低势能向高势能的跃迁，解出高温超导磁通动力学的Ｍ～１ｎｔ关系，Ｅ（ｊ）～ｊ关系，不仅使经典的Ａｎｄｅｒｓｏｎ热激活理论碰到的困难全部得到解决，而且解释了以前诸理论不能解释的实验现象．理论首次得到：在给定温度下Ｅ（ｊ）～ｊ的正、负曲率，并给出正、负曲率的判据；严格地解出当ｊ→０时，Ｅ→０和ρ趋向常数．理论解释了到目前为止高温超导磁通动力学中已发现的全部实验现象．

关键词：高温超导体磁通涡旋实验现象超导材料常规超导体热激活理论钉扎势跃迁理论解释曲率

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BaBi1-xPbxO3体系的物理性质研究

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低温物理学报 2005年第S1期27卷 390-397页

作者：黄胜利阮可青吕章明曹烈兆中国科学技术大学结构分析开放实验室物理系中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥230026

采用固态反应法制备了一系列BaBi1-xPbxO3(x:0~1)多晶并测定了其晶体结构和相应的物理性质.粉末法测得的X射线衍射所得的晶体结构与粉末中子衍射结果[1~2]一致,晶体经历了从单斜晶系(0x<0.1)、到正交晶系(0.1x<0.65)、再到四方晶... 详细信息

采用固态反应法制备了一系列BaBi1-xPbxO3(x:0~1)多晶并测定了其晶体结构和相应的物理性质.粉末法测得的X射线衍射所得的晶体结构与粉末中子衍射结果[1~2]一致,晶体经历了从单斜晶系(0x<0.1)、到正交晶系(0.1x<0.65)、再到四方晶系(0.65x<0.9)、最后到正交晶系(0.9x1.0)的转变.发现随着四价阳离子铅对铋的掺杂替代导致晶胞参数在半导体区域减小,而在超导区域振动变化,这归结于Bi3+和Bi5+被Pb4+的取代和呼吸模型Bi(Bb)O6的作用,从而证明了Bi两种价态的存在.电阻率的测量结果表明样品的电性与晶体结构和生长环境紧密相关,但氧缺陷不是主要因素.最佳掺杂区在x=0.75,其超导临界温度约为9K.掺杂区0x0.3的样品既可用本征半导体解释,也可用3D变程跃迁解释.在半导体区用3D变程跳跃解释时,lnρ~T-1/4的斜率连续减小,说明掺杂改变了态密度或定域化长度.样品的金属-半导体转变可用交叠能带解释.拉曼光谱的测量结果表明改变入射激光的频率并不影响各拉曼峰的强度.随Pb的掺杂,Bi O6八面体的呼吸模数逐渐减少,同时晶体的无序程度增强.超导温度与Bi(Bb)O6模的形变势的强弱无关,但受其频移的影响.

关键词：晶体结构变程跃迁呼吸模

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