检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1994年第2期43卷 315-321页

作者：毛志强季明荣田明亮朱警生张裕恒中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Ｔ，但当ｘ≥０．３时，其Ｔ迅速下降，同时伴随超导相－... 详细信息

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的Ｔ，但当ｘ≥０．３时，其Ｔ迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ￣（２＋）对Ｓｒ￣（２＋）的同价元素的替代加剧了Ｂｉ－Ｏ层与钙钛矿层间的点阵错配，从而严重地影响了Ｃｕ－Ｏ＿２面的对称特性，Ｃｕ－Ｏ＿２面中的Ｃｕ３ｄ电子态也由此而发生改变（即Ｃｕ３ｄ电子的库仑关联趋于增强）．在Ｂａ的掺杂过程中，正是由于这种Ｃｕ３ｄ电子态的改变，２２０１相才呈现出了超导相－绝缘相的转变。

关键词：铋系 2201相电子结构钡掺杂

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薄膜中缩聚型分形的计算机模拟

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物理学报 1997年第1期46卷 28-34页

作者：曾建林巴龙侯建国吴自勤中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

在计算机生成的二维多晶上，利用不均匀晶粒的熟化机理，对薄膜中的缩聚型分形进行了计算机模拟．分析了影响缩聚过程的各主要因素，引入了三个参数：晶界速率因子ｂ，弛豫范围Ｌ和周界曲率因素Ｕ．在一定的参数范围内。

关键词：薄膜缩聚型分形计算机模拟

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二维钾、钠紫青铜单晶A_0.9Mo_6O_(17)(A=K,Na)的热电势特性

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物理学报 1997年第1期46卷 123-128页

作者：田明亮毛志强王瑞萍王业斌张裕恒中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自... 详细信息

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自由电子为支配载流子；而在Ｔ＜１０５Ｋ的低温ＣＤＷ态，Ｓ为正值，可表示为Ｓ＝Ａ′Ｔ＋Ｂ′／Ｔ的形式，载流子的声子曳引热电势占支配作用．（２）对钠紫青铜，在Ｔ＞８０Ｋ范围内Ｓ与Ｔ具有很好的线性关系，没有观察到Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，电子为支配载流子．对造成两者差异的根源。

关键词：紫青铜单晶电荷密度波势电势

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聚酯/无机杂化分子间键合作用及微结构相关性的光谱研究

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光谱学与光谱分析 2005年第4期25卷 537-540页

作者：聂康明庞文民王雨松鲁非朱清仁中国科学技术大学结构分析重点实验室

采用FTIR ,UV Vis,WAXD和DSC手段,研究了分子间为非共价键化学结合的PCL/SiO2 高分子无机杂化透明材料组分间的键合型式;分子间特殊氢键相互作用行为与结晶性聚合物在杂化材料中的微结构相关性。结果表明,杂化体系中PCL高分子与SiO2 无... 详细信息

采用FTIR ,UV Vis,WAXD和DSC手段,研究了分子间为非共价键化学结合的PCL/SiO2 高分子无机杂化透明材料组分间的键合型式;分子间特殊氢键相互作用行为与结晶性聚合物在杂化材料中的微结构相关性。结果表明,杂化体系中PCL高分子与SiO2 无机组分间的键合,主要是依赖于杂化体系中较强的分子间氢键相互作用,其作用强度随无机相TEOS含量而变化。体系中氢键相互作用增加使PCL结晶高分子的相对结晶度下降,杂化材料的光学透明性提高。同时对体系中高分子无机组分的微相分离尺度产生影响。

关键词：结构相关性分子间光谱研究键合作用氢键相互作用聚酯 UV-Vis 结晶性聚合物 SiO2 杂化材料无机组分相对结晶度光学透明性高分子 PCL FTIR WAXD 材料组分化学结合非共价键 TEOS 作用强度微相分离 DSC

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Z-scan的基础理论及技术回顾(英文)

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功能材料 2006年第3期37卷 474-477页

作者：关博许小亮中国科学技术大学结构分析实验室

由Sheik-Bahae于1989年提出的Z-scan技术已经成为在非线性光学和材料科学领域里的一项非常有用的测量方法,它能简单而灵敏地测量非线性光折射率和吸收率。本文概要地讨论了Z-scan技术并介绍了它的最新进展,其中着重讨论了高斯分解法对... 详细信息

由Sheik-Bahae于1989年提出的Z-scan技术已经成为在非线性光学和材料科学领域里的一项非常有用的测量方法,它能简单而灵敏地测量非线性光折射率和吸收率。本文概要地讨论了Z-scan技术并介绍了它的最新进展,其中着重讨论了高斯分解法对此项技术的理论研究。

关键词： Z-scan 菲涅耳反射光原理非线性光折射率非线吸收率

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La_(0.3)Ca_(0.7)Mn_(1-x)W_xO_3体系电荷有序的建立与融化

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光谱学与光谱分析 2007年第2期27卷 223-227页

作者：蔡之让郭焕银刘宁张裕恒宿州学院材料研究室中国科学技术大学结构分析开放实验室安徽合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室

用标准的固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(0.00≤x≤0.15)多晶样品。通过对样品磁化强度?温度(M-T)曲线、磁化强度?磁场强度(M-H)曲线及ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3体系的磁相变的影响。结果表明,随着W掺杂... 详细信息

用标准的固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(0.00≤x≤0.15)多晶样品。通过对样品磁化强度?温度(M-T)曲线、磁化强度?磁场强度(M-H)曲线及ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3体系的磁相变的影响。结果表明,随着W掺杂量的增加,体系磁相变发生了复杂的变化过程。当掺杂量为0.00≤x≤0.08时,体系存在电荷有序(CO)相,反铁磁(AFM)/CO态共存于相变温度以下,电荷有序温度(TCO)随着W掺杂量的增加而增加。x≥0.12时,体系电荷有序态逐渐减弱并融化,在极低温度下存在顺磁—铁磁(PM-FM)相变。

关键词：凝聚态物理磁相变电荷有序建立融化稀土

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用X射线荧光光谱滤纸片法测定古代青铜器中的Cu、Pb、Sn、Fe和Zn

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光谱学与光谱分析 1997年第6期17卷 80-84页

作者：毛振伟彭骏张巽彭子成中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

本文用Ｘ射线荧光光谱滤纸片法测定了先秦时代１２个古青铜器样中Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｆｅ和Ｚｎ的含量，结果满意。样品用（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２）溶解，点滴在滤纸片上，自然凉干后在真空干燥器中预抽真空３０分钟，然后ＸＲＦ测定。此法... 详细信息

本文用Ｘ射线荧光光谱滤纸片法测定了先秦时代１２个古青铜器样中Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｆｅ和Ｚｎ的含量，结果满意。样品用（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２）溶解，点滴在滤纸片上，自然凉干后在真空干燥器中预抽真空３０分钟，然后ＸＲＦ测定。此法可以减少基体效应，标准工作曲线元素浓度与Ｘ射线强度之间的相关系数大于０．９９，回收率在９７～１０４％之间，测量精密度小于２．００％。用本法测定铜的结果与化学法一致。本法简单、快速和精确。它也适用于其他古文物中的元素测定。

关键词： X射线荧光光谱古代青铜器铜分析

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高聚物固体电解质聚氧化乙烯－溴化铜复阻抗谱及介电常数的静水压效应

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高分子学报 1996年第6期6卷 650-659页

作者：苏肪谢斌王文楼中国科学技术大学结构分析开放实验室

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电... 详细信息

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系．进一步解谱准确地求出Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２（ｎ＝１２、１６）薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应，并结合Ｘ－光物相分析，根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论．添加２０％的增塑剂碳酸丙烯酯，较大改进了压力下的导电性．

关键词：高聚物固体电解质离子电导率介电常数压力

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α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

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物理学报 2002年第12期51卷 2804-2811页

作者：谢长坤徐彭寿徐法强潘海斌中国科学技术大学结构分析开放实验室中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室

用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表... 详细信息

用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 ,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移 .表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2 杂化 ,与其三配位异种原子近似以平面构型成键 .另外。

关键词：表面结构第一性原理计算碳化硅 FPLAPW方法电子结构全势缀加平面波方法半导体材料

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Ca掺杂Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4-δ)体系的输运性质研究

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物理学报 1997年第4期46卷 756-761页

作者：阮可青陈仙辉冯宇汪成友曹烈兆贾云波中国科学技术大学结构分析开放研究实验室中国科学技术大学物理系

为了研究Ｎｄ１８５Ｃｅ０１５ＣｕＯ４－δ体系中载流子的电荷性质，分别在Ｎｄ１８５Ｃｅ０１５ＣｕＯ４－δ中用Ｃａ２＋取代Ｎｄ３＋制备了Ｎｄ１８５－ｘＣｅ０１５ＣａｘＣｕＯ４－δ样品，在Ｎｄ２ＣｕＯ４－δ中用... 详细信息

为了研究Ｎｄ１８５Ｃｅ０１５ＣｕＯ４－δ体系中载流子的电荷性质，分别在Ｎｄ１８５Ｃｅ０１５ＣｕＯ４－δ中用Ｃａ２＋取代Ｎｄ３＋制备了Ｎｄ１８５－ｘＣｅ０１５ＣａｘＣｕＯ４－δ样品，在Ｎｄ２ＣｕＯ４－δ中用Ｃａ掺杂制备了Ｎｄ２－ｘＣａｘＣｕＯ４－δ样品，并对上述样品进行了详细的输运性质研究．随着Ｃａ含量的增加，样品的霍耳系数ＲＨ发生了由负向正的转变，Ｃａ掺杂引起晶格畸变。

关键词：电子型超导体钙掺杂输运性质

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