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测试技术学报 2005年第1期19卷 4-10页

作者：鲍海飞李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

　利用微加工制造的微悬臂梁/探针尖已经广泛应用在微观表面性质测试和微纳米尺度加工等领域,成为微纳米研究领域中不可缺少的重要工具.为了能够定量研究原子力显微镜中探针与表面的相互作用力,需要对微悬臂梁/探针的力学性能进行表征.... 详细信息

　利用微加工制造的微悬臂梁/探针尖已经广泛应用在微观表面性质测试和微纳米尺度加工等领域,成为微纳米研究领域中不可缺少的重要工具.为了能够定量研究原子力显微镜中探针与表面的相互作用力,需要对微悬臂梁/探针的力学性能进行表征.本文简要地论述了原子力显微镜中微悬臂梁的形变光反射原理和探针与表面的接触刚度理论,阐明了微悬臂梁横向力标定的重要性,综述了目前几种微悬臂梁/探针横向力的标定方法、简单的推倒过程和特点.

关键词：原子力显微镜微悬臂梁横向力探针相互作用力纳米尺度表面性质加工制造定量研究研究领域标定方法反射原理力学性能度理论

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基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究

基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究

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中国微米、纳米技术第七届学术会年会

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器。该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控。采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体... 详细信息

基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器。该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控。采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体硅片上;第二种方法是用胶粘剂将PI6051膜暂时粘在载俸硅片上,然后分别在两种柔性PI衬底上制作铂薄膜热敏电阻温度传感器,最后将器件从硅片载体上分离下来。采用低温(小于300℃)工艺技术减小了PI柔性村底的热循环。实验测试结果表明,PI村底上的铂薄膜热敏电阻具备良好的线性度,其电阻温度系数接近于0.0023/℃。

关键词：柔性 MEMS技术聚酰亚胺铂薄膜电阻温度传感器

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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘玉菲刘文平李四华吴亚明罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2小时,测得BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-9atmcc/sHe;剪切力在9.0(∪)13.4MPa之间,完全达到了封装工艺要求;实验中封装成品率达到100﹪.表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.文章还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.

关键词：低温键合气密性封装苯并环丁烯渗流模型气密性

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基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究

基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究

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中国微米纳米技术第七届学术年会

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

本文基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器.该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控.采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载... 详细信息

本文基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器.该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控.采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体硅片上;第二种方法是用胶粘剂将P16051膜暂时粘在载体硅片上,然后分别在两种柔性PI衬底上制作铂薄膜热敏电阻温度传感器,最后将器件从硅片载体上分离下来.采用低温(小于300℃)工艺技术减小了PI柔性衬底的热循环.实验测试结果表明,PI衬底上的铂薄膜热敏电阻具备良好的线性度,其电阻温度系数接近于0.0023/℃.

关键词：温度传感器柔性衬底 MEMS技术聚酰亚胺铂薄膜电阻

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掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

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江西科学 2005年第5期23卷 557-561页

作者：吴惠桢刘成劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧道结。接着在(100)InP衬底上生长了包含p+-A lInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1.29μm。

关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

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第九届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：李昕欣王跃林鲍敏杭焦继伟李铁杨恒罗乐车录锋传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳... 详细信息

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题.对传感器从微到纳的发展趋势进行了展望.

关键词：传感器微米尺度纳米效应

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非接触式IC卡片上天线的优化设计

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微处理机 2005年第1期26卷 40-43页

作者：高丹王元徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从... 详细信息

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从能量供给的角度来优化片上天线的设计。

关键词：片上天线非接触式IC卡 CMOS

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ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

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微纳电子技术 2005年第7期42卷 336-339页

作者：张楷亮宋志棠封松林 Chen Bomy 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化... 详细信息

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米抛光液全局平坦化

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对... 详细信息

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面:去除速率(RR)达697nm/min,粗糙度RMS降低至4.516(A),在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没... 详细信息

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜电学性能制备条件相变

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