检索结果-内蒙古大学图书馆

中国稀土学会2021学术年会

作者：余毅章辉刘志上海科技大学大科学中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计... 详细信息

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计下一代高活性稀土能源材料具有重要的科学价值和实践意义。本报告将围绕原位X射线能谱方法展开,基于氧化铈模型电化学器件,讨论X射线能谱方法在稀土能源材料研究中的应用,并结合多种X射线原位谱学方法,探讨稀土材料设计和研究的新范式,展望X射线原位技术在稀土材料催化和电催化研究中的应用。

关键词： X射线能谱方法原位氧化铈电催化

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对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：王海洪韬孔祥燕张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ) D-52425 Jülich Germany

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该...

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该电压信号会被变压器放大。由于电容的隔直作用,习惯上认为恒定的直流偏置电流Ib只流经SQUID,在该技术方案中SQUID工作于电流偏置模式。然而,在FMS中SQUID的工作模式既不是纯粹的电流偏置也不是电压偏置,而是混合偏置。通过分析,并定量比较了FMS与直读方案(DRS)的SQUID电流电压(I-V)特性曲线实验测量数据,我们发现：由于变压器的并联分流作用使得流经SQUID的电流Is≠Ib,且不是恒定的,,使得SQUID在FMS中的V(Φ)信号与DRS相比减小了。更重要的是,变压器的通带效应使得SQUID信号变得接近正弦波,这就降低了SQUID工作点附近的(e)V/(e)Φ。

关键词：

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基于差分脉冲溶出伏安法检测Zn2+和Cu2+的研究

基于差分脉冲溶出伏安法检测Zn2+和Cu2+的研究

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中国环境科学学会2016年学术年会

作者：宿子琪黄善洛张冀申郭慧杨红金妍金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海师范大学生命与环境科学学院中国科学院大学

本文基于差分脉冲溶出伏安法,引入Ga掩蔽剂,消除Cu对Zn的干扰,在Cu和Zn同时存在的50ppb、100ppb和500ppb的混合溶液中,Zn的检测结果分别为41.16ppb、95.15ppb和508.08ppb,说明Ga确实对Cu有掩蔽效果,从而可以消除同一溶液中Cu对Zn的干扰... 详细信息

本文基于差分脉冲溶出伏安法,引入Ga掩蔽剂,消除Cu对Zn的干扰,在Cu和Zn同时存在的50ppb、100ppb和500ppb的混合溶液中,Zn的检测结果分别为41.16ppb、95.15ppb和508.08ppb,说明Ga确实对Cu有掩蔽效果,从而可以消除同一溶液中Cu对Zn的干扰,同时进行Zn的检测。

关键词： Zn2+ Cu2+ Ga3+ 掩蔽剂重金属检测

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：杨晓燕尤立星张露陈思井吕超林李浩刘晓宇周慧王镇中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点。目前在量子密钥分发、量子纠缠、量子随机数发生器，以及星地测距、地月测距、成像等应用方面具有大量的器件需求。

关键词：

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基于HHT的输电线路雷击点定位研究

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 174-178页

作者：曾宪武李生福李伟贵州电网有限责任公司遵义供电局遵义563000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏... 详细信息

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏振态信号进行希尔伯特-黄变换和处理得到其幅值、频率随时间变化的图谱,从而得到偏振态突变信号到达偏振态解调设备的时刻来进行雷击点定位。结果表明,HHT可以准确的反映OPGW雷击点处光偏振态突变信息,具有较高的定位精度和可靠性,为实现输电线路雷击点更高精度和更快速的检测定位提供了新的方法和思路。

关键词：偏振态降噪希尔伯特-黄变换雷击点定位

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二维硅柱子光子晶体中的负折射及亚波长成像

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徐州工程学院学报（自然科学版） 2009年第1期24卷 71-75页

作者：孙建沈义峰吕海萍殷春浩中国矿业大学理学院江苏徐州221008 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具... 详细信息

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具有亚波长成像的能力.

关键词：光子晶体负折射超透镜亚波长成像

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新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：宋禹忻王庶民陈其苗张振普王朋岳丽刘娟娟芦鹏飞李耀耀龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburgSweden 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD（Electrostatic Discharge,静电放电）特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI Medici模拟硅膜厚度

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微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能

微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：宗登刚王聪和王钻开鲍海飞陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海)

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,... 详细信息

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数.分析了误差的来源及其对实验结果的影响.报道了低应力和标准LPCVD氮化硅薄膜的研究结果.

关键词：微机械微桥法 LPCVD氮化硅杨氏模量残余应力弯曲强度

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