检索结果-内蒙古大学图书馆

稀有金属 2004年第3期28卷 569-571页

作者：李爱珍李华李存才胡建唐雄心齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。

关键词： InGaP 均匀性气态源分子束外延 X射线双晶衍射 InGaP/GaAs

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GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

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稀有金属 2004年第3期28卷 577-578页

作者：伍滨和曹俊诚夏冠群中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微... 详细信息

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题。

关键词：双量子阱子带跃迁光学吸收

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MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制

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稀有金属 2004年第3期28卷 530-532页

作者：唐田张永刚郑燕兰唐雄心李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。

关键词： InGaAsSb AIGaAsSb 应变

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衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

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稀有金属 2004年第3期28卷 499-501页

作者：叶好华于广辉雷本亮齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。

关键词： GaN 衬底氮化氢化物气相外延

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InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制

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稀有金属 2004年第3期28卷 522-525页

作者：张永刚刘天东朱诚洪婷胡雨生朱福英李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%～ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%～ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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半导体激光器的热场分析及热特性表征

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稀有金属 2004年第3期28卷 551-553页

作者：张永刚何友军南矿军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采... 详细信息

基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。

关键词：半导体激光器热场分析热阻有限元

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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 516-518页

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。

关键词：分子束外延异质结双极晶体管 InGaAs InP

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隧道结在多结太阳电池中的应用

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稀有金属 2004年第3期28卷 526-529页

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度的提高 ,峰值电流密度逐渐增大 ;对于GaInP/GaAs太阳电池 ,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多。

关键词：隧道结隧穿电流串接太阳电池 I-V特性

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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 588-589页

作者：张同意曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。

关键词：光电导天线太赫兹脉冲时间特性解析表达式

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四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 572-573页

作者：李华李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失... 详细信息

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。

关键词：量子级联激光器 X射线衍射

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