检索结果-内蒙古大学图书馆

基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。

关键词：半导体激光器热场分析热阻有限元

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隧道结在多结太阳电池中的应用

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稀有金属 2004年第3期28卷 526-529页

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息

主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度的提高 ,峰值电流密度逐渐增大 ;对于GaInP/GaAs太阳电池 ,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多。

关键词：隧道结隧穿电流串接太阳电池 I-V特性

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InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 516-518页

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。

关键词：分子束外延异质结双极晶体管 InGaAs InP

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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 588-589页

作者：张同意曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。

关键词：光电导天线太赫兹脉冲时间特性解析表达式

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四阱耦合InGa As/InAl As/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 572-573页

作者：李华李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失... 详细信息

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。

关键词：量子级联激光器 X射线衍射

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纳机电探针阵列与压阻式传感器集成技术研究

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传感器技术 2004年第1期23卷 73-76页

作者：杨尊先程保罗李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027

给出了纳机电探针阵列与压阻式传感器集成一维阵列器件结构及工作原理;通过理论计算得到该结构的一些主要的特性参数,计算结果与ANSYS模拟结果相符合;并运用微纳机械加工技术制造出该器件。该器件将加热电阻器、压阻式传感器和硅基针尖... 详细信息

给出了纳机电探针阵列与压阻式传感器集成一维阵列器件结构及工作原理;通过理论计算得到该结构的一些主要的特性参数,计算结果与ANSYS模拟结果相符合;并运用微纳机械加工技术制造出该器件。该器件将加热电阻器、压阻式传感器和硅基针尖集成于在同一超薄微细悬臂梁,通过楔形开孔的机械切断,避免了加热电阻器高温处的PN结在高温下失去电隔离作用。室温下测得该器件加热电阻器的阻值为500～600Ω,压阻式传感器的力敏电阻器的阻值为6～8kΩ。

关键词：压阻式传感器纳机电探针集成纳米探针硅纳机电系统

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