咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 833 篇 期刊文献
  • 290 篇 会议

馆藏范围

  • 1,123 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 964 篇 工学
    • 467 篇 电子科学与技术(可...
    • 321 篇 材料科学与工程(可...
    • 216 篇 仪器科学与技术
    • 195 篇 光学工程
    • 163 篇 机械工程
    • 66 篇 化学工程与技术
    • 55 篇 控制科学与工程
    • 51 篇 电气工程
    • 24 篇 动力工程及工程热...
    • 24 篇 计算机科学与技术...
    • 16 篇 信息与通信工程
    • 11 篇 生物医学工程(可授...
    • 11 篇 生物工程
    • 9 篇 航空宇航科学与技...
    • 8 篇 农业工程
    • 6 篇 力学(可授工学、理...
    • 6 篇 环境科学与工程(可...
    • 5 篇 地质资源与地质工...
    • 5 篇 软件工程
    • 3 篇 食品科学与工程(可...
  • 202 篇 理学
    • 135 篇 物理学
    • 61 篇 化学
    • 9 篇 生物学
    • 5 篇 系统科学
  • 14 篇 医学
    • 4 篇 临床医学
    • 4 篇 公共卫生与预防医...
    • 4 篇 医学技术(可授医学...
  • 11 篇 农学
    • 5 篇 作物学
    • 5 篇 农业资源与环境
  • 5 篇 管理学
  • 3 篇 军事学
    • 3 篇 军队指挥学
  • 2 篇 经济学
  • 2 篇 艺术学
  • 1 篇 教育学

主题

  • 31 篇 相变存储器
  • 29 篇 微机电系统
  • 22 篇 分子束外延
  • 20 篇 ingaas
  • 20 篇 mems
  • 17 篇 石墨烯
  • 17 篇 量子级联激光器
  • 17 篇 微机械陀螺
  • 17 篇 垂直腔面发射激光...
  • 16 篇 光电探测器
  • 16 篇 soi
  • 15 篇 气态源分子束外延
  • 15 篇 微电子机械系统
  • 14 篇 半导体激光器
  • 13 篇 红外探测器
  • 12 篇 化学机械抛光
  • 12 篇 化合物半导体
  • 12 篇 微流控芯片
  • 12 篇 传感器
  • 11 篇 太赫兹

机构

  • 373 篇 中国科学院上海微...
  • 268 篇 中国科学院上海微...
  • 185 篇 中国科学院大学
  • 146 篇 中国科学院上海微...
  • 120 篇 中国科学院上海微...
  • 108 篇 中国科学院研究生...
  • 45 篇 信息功能材料国家...
  • 43 篇 上海科技大学
  • 42 篇 中国科学院超导电...
  • 40 篇 浙江大学
  • 29 篇 上海大学
  • 20 篇 信息功能材料国家...
  • 18 篇 上海交通大学
  • 17 篇 复旦大学
  • 17 篇 曲阜师范大学
  • 16 篇 同济大学
  • 16 篇 中国科学院上海微...
  • 12 篇 中国科学院
  • 12 篇 宁波大学
  • 12 篇 中光华研电子科技...

作者

  • 126 篇 王跃林
  • 92 篇 张永刚
  • 82 篇 宋志棠
  • 74 篇 李昕欣
  • 64 篇 谢晓明
  • 63 篇 李爱珍
  • 55 篇 顾溢
  • 52 篇 金庆辉
  • 51 篇 龚谦
  • 51 篇 赵建龙
  • 50 篇 吴惠桢
  • 45 篇 熊斌
  • 45 篇 孔祥燕
  • 41 篇 王永良
  • 40 篇 车录锋
  • 40 篇 劳燕锋
  • 40 篇 吴亚明
  • 38 篇 焦继伟
  • 37 篇 尤立星
  • 36 篇 李铁

语言

  • 1,123 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所、传感技术国家重点实验室"
1123 条 记 录,以下是1031-1040 订阅
排序:
InP基HEMT材料优化生长及其特性研究
InP基HEMT材料优化生长及其特性研究
收藏 引用
第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 艾立鹍 周书星 徐安怀 李家恺 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海市长宁路865号200050
InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息
来源: 评论
GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究
GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究
收藏 引用
第十一届全国分子束外延学术会议
作者: 周书星 艾立鹍 徐安怀 王庶民 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050
稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....
来源: 评论
立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性
立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性
收藏 引用
第五届中国功能材料及其应用学术会议
作者: 吴惠桢 梁军 劳燕锋 陈乃波 徐天宁 邱东江 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)
介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息
来源: 评论
太赫兹量子级联激光器及其物理研究
太赫兹量子级联激光器及其物理研究
收藏 引用
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 曹俊诚 封松林 黎华 谭智勇 韩英军 郭旭光 朱福英 吕京涛 王长 伍滨和 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海市长宁路865号200050
太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carl... 详细信息
来源: 评论
SQUID器件标准现状分析与讨论
SQUID器件标准现状分析与讨论
收藏 引用
第十四届全国超导学术研讨会
作者: 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050
超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器,其发展历史已有50余年,但无论在器件还是应用方面,国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟,在基础研究系统应用方面的深入和扩展,对于器件和系统相关的标准...
来源: 评论
缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究
缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究
收藏 引用
第十一届全国分子束外延学术会议
作者: 艾立鹛 徐安怀 周书星 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海市长宁路865号200050
InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性...
来源: 评论
HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征
收藏 引用
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 余涛 陈静 罗杰馨 柴展 伍青青 吴雪梅 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中,Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15%、26%、33%、45%、55%。研究结果显示,Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度,并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息
来源: 评论
AlMn合金超导薄膜制备与特性研究
AlMn合金超导薄膜制备与特性研究
收藏 引用
第十四届全国超导学术研讨会
作者: 伍文涛 吕越 高波 王镇 超导电子学卓越创新中心 中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 超导电子学卓越创新中心 中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学 北京 100049
超导转变边沿(TES)探测器是一种极端灵敏的光子探测器,其突出的性能优势是兼具高能量分辨率与单光子检测能力。超导薄膜是TES 器件核心材料,基于磁性掺杂超导薄膜的软X 射线TES 探测器具有设计和制备简单的优点。
来源: 评论
化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究
化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究
收藏 引用
中国化学会第30届学术年会
作者: 王丽丽 庄新港 陈琦 吴雪原 方家熊 山东大学光学高等研究中心 山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 山东大学光学高等研究中心 山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 山东大学信息科学与工程学院 山东济南250100 国家茶叶及农产品检测重点实验室(黄山) 安徽黄山245000
基于化学计量学方法和新型探测器的快速发展,近红外光谱分析技术被广泛的应用工农业生产、环境保护及安全等领域,为物体成分的快速无损检测提供了基础。
来源: 评论
利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
收藏 引用
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者: 陈达 贾晓云 高晓强 刘肃 张苗 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所 兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050
硅锗作为新型微电子材料,近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源,利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征,研究... 详细信息
来源: 评论