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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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- 24 篇 计算机科学与技术...
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- 11 篇 生物医学工程（可授...
- 11 篇 生物工程
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- 6 篇 环境科学与工程（可...
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主题

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20 篇 ingaas
20 篇 mems
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17 篇 量子级联激光器
17 篇 微机械陀螺
17 篇 垂直腔面发射激光...
16 篇 光电探测器
16 篇 soi
15 篇 气态源分子束外延
15 篇 微电子机械系统
14 篇 半导体激光器
13 篇 红外探测器
12 篇 化学机械抛光
12 篇 化合物半导体
12 篇 微流控芯片
12 篇 传感器
11 篇 太赫兹

机构

373 篇 中国科学院上海微...
268 篇 中国科学院上海微...
185 篇 中国科学院大学
146 篇 中国科学院上海微...
120 篇 中国科学院上海微...
108 篇 中国科学院研究生...
45 篇 信息功能材料国家...
43 篇 上海科技大学
42 篇 中国科学院超导电...
40 篇 浙江大学
29 篇 上海大学
20 篇 信息功能材料国家...
18 篇 上海交通大学
17 篇 复旦大学
17 篇 曲阜师范大学
16 篇 同济大学
16 篇 中国科学院上海微...
12 篇 中国科学院
12 篇 宁波大学
12 篇 中光华研电子科技...

作者

126 篇 王跃林
92 篇 张永刚
82 篇 宋志棠
74 篇 李昕欣
64 篇 谢晓明
63 篇 李爱珍
55 篇 顾溢
52 篇 金庆辉
51 篇 龚谦
51 篇 赵建龙
50 篇 吴惠桢
45 篇 熊斌
45 篇 孔祥燕
41 篇 王永良
40 篇 车录锋
40 篇 劳燕锋
40 篇 吴亚明
38 篇 焦继伟
37 篇 尤立星
36 篇 李铁

语言

1,123 篇 中文

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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

引用

第十二届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。

关键词：高电子迁移率晶体管磷化铟基材料生长工艺热导率

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GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

引用

第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,导致价带边上升,剪裁能带.同时研究发现,在不同的生长条件下,掺碳还可分别获得超高浓度的p型或n型InGaAsBi,可用于异质结双极晶体管(HBT)等器件的基区或欧姆接触层.

关键词：

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

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太赫兹量子级联激光器及其物理研究

太赫兹量子级联激光器及其物理研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚封松林黎华谭智勇韩英军郭旭光朱福英吕京涛王长伍滨和中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carl... 详细信息

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carlo模拟、异质结构材料生长、器件工艺和器件测试等方面的研究结果。

关键词：太赫兹半导体激光器量子级朕激光器蒙特卡罗模拟固态半导半导体器件能量转换异质结构

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SQUID器件标准现状分析与讨论

SQUID器件标准现状分析与讨论

引用

第十四届全国超导学术研讨会

作者：孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准...

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需求越来越大。

关键词：

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缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

引用

第十一届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹛徐安怀周书星齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性...

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性.因此,采用较宽禁带的InP作为集电区的InP/InGaAs/InP双异质结HBT(DHBT)就受到了广泛的重视.本文设计采用了一个基区缓变的结构,基区InGaAs材料由发射极至集电极采用Ga的组份线性增加,这样在基区就形成了一个缓变能带结构而产生加速电场,利用电场作用使电子在基区加速渡过,有利于提高器件性能.

关键词：

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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：余涛陈静罗杰馨柴展伍青青吴雪梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12nm、平带电压～30mV和低的漏电流密度.

关键词：金属-氧化物-半导体器件高k栅介质薄膜微结构电学性质

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AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：伍文涛吕越高波王镇超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学北京 100049

超导转变边沿(TES)探测器是一种极端灵敏的光子探测器，其突出的性能优势是兼具高能量分辨率与单光子检测能力。超导薄膜是TES 器件核心材料，基于磁性掺杂超导薄膜的软X 射线TES 探测器具有设计和制备简单的优点。

关键词：

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化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

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中国化学会第30届学术年会

作者：王丽丽庄新港陈琦吴雪原方家熊山东大学光学高等研究中心山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 山东大学光学高等研究中心山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 国家茶叶及农产品检测重点实验室(黄山) 安徽黄山245000

基于化学计量学方法和新型探测器的快速发展，近红外光谱分析技术被广泛的应用工农业生产、环境保护及安全等领域，为物体成分的快速无损检测提供了基础。

关键词：化学计量学近红外光谱

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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈达贾晓云高晓强刘肃张苗兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究... 详细信息

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。结果表明，1)SiGe薄膜中Ge浓度随着HCl流量的增加而增加;2)薄膜生长速率和Ge浓度随着锗烷流量的增大而增大;3)随着温度升高，薄膜生长速率显著提高，Ge浓度减小;4)生长的20％硅锗薄膜内部晶格质量良好，没有产生明显缺陷，并且得到了均匀掺杂的外延薄膜。

关键词：硅锗异质材料半导体薄膜减压化学气相沉积工艺参数

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