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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：王永良张国峰董慧王会武邱隆清谢晓明张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany

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添加Mn和Co对V_(80)Ti_8Cr_(12)合金储氢性能的影响

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功能材料与器件学报 2015年第5期21卷 145-149页

作者：李朵娄豫皖杜俊霖蒲朝辉黄铁生李志林吴铸李重河中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心上海200050 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海200072 上海特种铸造工程技术研究中心上海201605

研究了添加Mn和Co对V_(80)Ti_(8-x-y)Cr_(12)Mn_xCo_y(x=0,1,2,3;y=0,0.1,0.2,0.4,0.8,1.0)合金组织结构和储氢性能的影响。结果表明:所有的合金均为bcc单相结构。Mn的添加减小了合金bcc相的晶格常数,平台压升高,平台斜率因子减小,残余... 详细信息

研究了添加Mn和Co对V_(80)Ti_(8-x-y)Cr_(12)Mn_xCo_y(x=0,1,2,3;y=0,0.1,0.2,0.4,0.8,1.0)合金组织结构和储氢性能的影响。结果表明:所有的合金均为bcc单相结构。Mn的添加减小了合金bcc相的晶格常数,平台压升高,平台斜率因子减小,残余氢量减少,然而合金的吸放氢量均有所降低。在V_(80)Ti_7Cr_(12)Mn_1基础上添加Co,随着Co含量的增加,合金的平台压升高,斜率因子减小,吸氢量和有效放氢量均先增加后降低,但有效放氢量均能保持在2.2%以上。当Co含量为0.2at%时,得到合金V_(80)Ti_(6.8)Cr_(12)Mn_1Co_(0.2)在273K吸氢量达到最大为3.81%(质量分数),313K有效放氢量为2.45%,平台压为0.68Mpa。对V_(80)Ti_(6.8)Cr_(12)Mn_1Co_(0.2)合金进行短期循环性能测试得到合金具有良好的循环稳定性,随着循环次数的增加合金的吸氢量变化缓慢,15次循环后的有效放氢量为2.38%。

关键词：钒基储氢合金吸放氢性能放氢平台压,循环性能

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应变对PbSe材料晶格振动的影响

应变对PbSe材料晶格振动的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系上海200030

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,... 详细信息

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较分析了PbSe体单晶的拉曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出拉曼活性的散射峰.

关键词： PbSe外延薄膜拉曼光谱光学声子晶格失配

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分光器及其在四网融合建设中的应用

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功能材料与器件学报 2020年第1期26卷 1-6页

作者：蒋权辉廖俊华李德祥靳鹏飞俞杰广西电网有限责任公司南宁供电局南宁530000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中光华研电子科技有限公司上海201800

随着智能电网建设的快速发展,以及客户需求的不断扩大,"四网融合"已经成为当下的热门概念和重点研究对象。"四网融合"工程的建设能够改善城中村电线网线交错纵横、杂乱无序的现状,减少重复建设的成本,并能为电网建... 详细信息

随着智能电网建设的快速发展,以及客户需求的不断扩大,"四网融合"已经成为当下的热门概念和重点研究对象。"四网融合"工程的建设能够改善城中村电线网线交错纵横、杂乱无序的现状,减少重复建设的成本,并能为电网建设开拓更广的应用领域,是实现智能电网的未来发展基础。本文针对"四网融合"建设中的核心器件"分光器",从分光器原理、类型、制造工艺、国内外最新进展及其在四网融合建设中的应用进行了综合阐述,为后续"四网融合"大范围的建设提供一定的参考。

关键词：分光器平面光波导四网融合

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基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

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中国稀土学会2021学术年会

作者：吴秉骏张硕夏经铠刘志信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学大科学中心上海科技大学上海科技大学物质科学与技术学院

基于超导转变边探测器(TES, Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。TES探测器作为生长在Si衬底上的微纳器件,以高原子序数材料(如Au... 详细信息

基于超导转变边探测器(TES, Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。TES探测器作为生长在Si衬底上的微纳器件,以高原子序数材料(如Au)作为吸收体提高其计数率,并以Mo-Au双层薄膜构成其温度敏感结构[3,4]。将其超导转变温度稳定于95 mK左右,可以对从软X射线(～1.5 keV)至硬X射线(～18 keV)的超宽能量范围有很好的电学信号线性响应,并可以精确测量入射X射线光子的能量[4-6]。目前已于上海科技大学建设完成了国内首套基于多像素超导TES探测器的低温X射线能谱仪并已投入实际运行[1]。当稀土元素受到X射线照射时,荧光激发所得的L边光子的能量大小恰好处于TES探测器的最佳工作范围,可以通过能量标定将电学信号精确转换成能量刻度[7,8]。通过一段时间的荧光信号数据积累,可以得到较宽能量范围下的该稀土元素的L边荧光谱,从而可以进行分峰拟合,精确测得不同峰的中心值、峰形状乃至面积比例[8]。对一定比例的不同稀土元素铽(Tb,Z=65)、镝(Dy,Z=66)、钬(Ho,Z=67)氧化物混合物的X射线荧光谱实测结果如下图Fig.1所示,通过标定分析可以分析得到其不同化学组成的成分比例等信息,从而为进一步的稀土资源开发、环境保护等应用提供有效参考[7,9]。

关键词：超导转变边探测器 X射线荧光发射谱稀土元素化学组成分析

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高性能单光子探测技术研究进展

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中国基础科学 2020年第1期22卷 25-29页

作者：尤立星张腊宝史生才张军中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 南京大学电子科学与工程学院南京210000 中国科学院紫金山天文台毫米波与亚毫米波技术实验室南京210034 中国科学技术大学微尺度物质科学国家研究中心合肥230026

"高性能单光子探测技术"项目针对光量子信息和量子调控,特别是广域量子通信网络对高性能单光子探测器(SPD)的需求,开展超导纳米线单光子探测器(SNSPD)、超导相变边缘单光子探测器(TES)、InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)以及上... 详细信息

"高性能单光子探测技术"项目针对光量子信息和量子调控,特别是广域量子通信网络对高性能单光子探测器(SPD)的需求,开展超导纳米线单光子探测器(SNSPD)、超导相变边缘单光子探测器(TES)、InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)以及上转换单光子探测器(UCD)研究。项目于2017年7月立项,项目执行期为5年,共包括4个课题。项目各课题研究工作正在按照计划有序推进,已顺利完成中期既定的任务和目标。SNSPD器件和APD及UCD等单光子探测器件性能已取得部分突破;特别是高效率SNSPD和小型化InGaAs/InP APD方面成果已经达到了国际领先水平。通过和专项其他项目承担单位合作,在应用演示方面取得了量子通信、光量子模拟、量子随机数和贝尔不等式验证等多项重大应用成果。部分器件指标及应用演示成果提前达到了项目结题考核指标。

关键词：单光子探测器超导纳米线单光子探测器超导相变边缘单光子探测器上转换单光子探测器 InGaAs/InP雪崩光电二极管探测效率暗计数

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GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构中InAlAs缓冲层的优化

GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构中InAlAs缓冲层的优化

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：陈星佑张永刚顾溢奚苏萍郭作兴周立李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学教育部材料科学与工程学院汽车材料重点实验室长春130025

波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高迁移率等优点,尤其是InGaAs探测器能够室温工作,因此备受...

波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高迁移率等优点,尤其是InGaAs探测器能够室温工作,因此备受关注.

关键词：

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应用于变电站接地网的空间磁场检测装置

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功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 60-63页

作者：姜海波黄俊澄赵世钦马天驰李伟贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 详细信息

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。

关键词：变电站接地网宽带天线液晶聚合物

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)上海 200050 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州 510610

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI NMOS器件 Medici模拟硅膜厚度

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Ga1Sb6Se3纳米薄膜的飞秒激光感应晶化与相干声子谱表征

Ga1Sb6Se3纳米薄膜的飞秒激光感应晶化与相干声子谱表征

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第16届全国凝聚态光学性质学术会议

作者：朱伟玲吕业刚李思勉宋志棠赖天树广东石油化工学院理学院广东茂名525000 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275

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