检索结果-内蒙古大学图书馆

环境工程学报 2016年第7期10卷 3973-3976页

作者：李宫郭慧赵辉赵建龙贾春平金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(... 详细信息

针对水质检测的发展以及水资源保护的需求,提出了基于Android设备的便携式水质检测仪器,仪器主要由传感器探头、下位数据采集、存储、处理设备和Android智能设备端组成。结果表明,该仪器对COD和DO的线性检测范围分别为0~60 mg·L^(-1)和4.5~13 mg·L^(-1),且重复性良好,CV值分别为2.20%和1.73%。仪器被成功应用于实际水样的检测中,检测结果基本准确,满足水质检测的技术要求,有一定的参考价值。

关键词：水质检测 Android COD DO 便携

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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

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机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

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相变存储器材料研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 119-127页

作者：吴良才宋志棠周夕淋饶峰封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的... 详细信息

作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.

关键词：相变存储器 GeSbTe 相变机理 C掺杂

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基于锁相环接口电路的高性能扭转谐振模态微悬臂梁传感器研究

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2234-2238页

作者：包涵菡李昕欣张志祥王跃林于海涛刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器国家重点实验室上海200050

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵... 详细信息

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵敏度为0.9pg/Hz,分辨可达到49fg.本文还着重介绍了为谐振梁传感器设计的以锁相环(Phase-Locked Loop简称PLL)为核心的闭环接口电路,分析了悬臂梁和电路在闭环系统中的工作特性,并探讨了解决谐振式传感器在使用中常见的稳定性差、噪声干扰强等问题的方法.:

关键词：扭转谐振模态微悬臂梁闭环接口电路 PLL

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几种微构件材料的表面能及纳观黏附行为研究

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物理学报 2009年第4期58卷 2518-2522页

作者：薛伟郑蓓蓉张淼解国新王权温州大学机电工程学院温州323035 清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异... 详细信息

对微机电系统(MEMS)中几种常用构件材料的表面能及其主要影响因素进行了探讨,并与材料表面的纳观黏附性能进行了分析比较.用Owens二液法计算出硅基材料的表面能在60—75mJ/m2之间,它们之间总表面能的差异主要归结为表面能极性分量的差异,表面粗糙度的存在使表观表面能有所偏高.施加自组装分子膜后的表面能大为降低,粗糙度的存在可以使其表面能进一步减小.纳观黏附力和表面能之间有一定的对应关系.另外,在研究中发现表面粗糙度对纳观黏附行为的影响较小.

关键词： MEMS 表面能纳观黏附粗糙度

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基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器

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光电子．激光 2004年第9期15卷 1031-1034,1041页

作者：杨建义江晓清贾科淼李锡华王明华吴亚明王跃林浙江大学信息与电子工程学系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范... 详细信息

基于二维分布衍射光栅与平面波导概念,提出了基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器。光波分复用器/解复用器利用二维衍射光栅的波长变化下光波的衍射路径由两个方向的色散值矢量合成决定这一特性,同时适当地控制其自由谱范围特性的设计,使其具有二维光波分分布特性,从而可以在输入和/或输出端设计二维输入/输出通道,大大增加波分复用与解复用的通道数的设计能力。对器件的特性与应用进行了讨论。

关键词：解复用器阵列波导光栅光波分复用器衍射光栅波长变化色散值平面波导二维矢量合成通道

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一种新型单片集成光谱传感器的波长定标方法（英文）

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红外与毫米波学报 2017年第1期36卷 15-19页

作者：张亚光庄新港王绪泉刘俊良方家熊邵秀梅王丽丽山东大学光学高等研究中心山东济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室山东济南250100 山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083

新型短波红外单片集成光谱传感器(MCSS)是光谱传感物联网的核心感知部件.提出了一种MCSS的波长定标方法,根据相对光谱响应度和波长分配原则把相邻像素组成一个定标通道.分别采用MCSS和两款商用光谱仪测量标准物质的光谱.实验结果表明,... 详细信息

新型短波红外单片集成光谱传感器(MCSS)是光谱传感物联网的核心感知部件.提出了一种MCSS的波长定标方法,根据相对光谱响应度和波长分配原则把相邻像素组成一个定标通道.分别采用MCSS和两款商用光谱仪测量标准物质的光谱.实验结果表明,平均定标偏差为1.8 nm,与一款具有相似FWHM和取样间隔的商用光谱仪接近,能够满足实际应用的需要.

关键词：短波红外单片集成光谱传感器波长定标光谱传感物联网

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MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

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红外与毫米波学报 2003年第5期22卷 349-352页

作者：陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝... 详细信息

用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2

关键词：紫外光致荧光谱 X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌电子束蒸发反应沉积法光谱蓝移光谱红移带隙

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InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 699-703,710页

作者：张见陈星佑顾溢龚谦黄卫国杜奔黄华马英杰张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 详细信息

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制.

关键词：分子束外延 InGaAs InAlAs异变缓冲层生长温度

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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

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功能材料 2010年第7期41卷 1208-1210页

作者：张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜... 详细信息

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。

关键词：氮化镓绝缘体上硅侧向外延

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