检索结果-内蒙古大学图书馆

InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

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数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进（英文）

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红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 275-280页

作者：师艳辉杨楠楠马英杰顾溢陈星佑龚谦张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As... 详细信息

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.

关键词：数字递变异变缓冲 InGaAs 光电探测器

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CMOS兼容自对准微机械热电堆红外探测器

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光学学报 2010年第10期30卷 2817-2820页

作者：徐德辉熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。提出了一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂... 详细信息

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷,后续检测电路简单,成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。提出了一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容技术及自对准工艺制作的微机械热电堆红外探测器,以减小微机械热电堆红外探测器的工艺复杂度,减小微小释放孔结构的制作难度。和传统的微机械热电堆红外探测器相比,自对准微机械热电堆红外探测器的释放孔大小是由多晶硅热电偶臂之间的间距确定,而不是由光刻工艺确定。为研究自对准微机械热电堆红外探测器性能和热电堆结构之间的关系,设计并制作了两种不同结构的自对准微机械热电堆红外探测器。测试结果表明方形热电堆结构可以获得大的输出电压及响应率,圆形热电堆结构则可以获得快的响应和大的探测率。

关键词：探测器微机械热电堆红外探测器自对准 CMOS兼容微机电系统

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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

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物理学报 2006年第9期55卷 4934-4939页

作者：余晨辉王茺龚谦张波陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 详细信息

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

关键词：压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点洛伦兹线形拟合

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InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)

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红外与毫米波学报 2014年第3期33卷 213-217页

作者：曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量... 详细信息

采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.

关键词：数字合金量子阱分子束外延

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带逆流进气结构的微型氦离子化检测器研究

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分析化学 2021年第11期49卷 1816-1823页

作者：刘启勇冯飞陈泊鑫赵阳洋赵斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院大学

基于微机电系统(Micro-electro-mechanical system, MEMS)技术设计并制作了带有逆流进气结构的微型氦离子化检测器。稳态流场仿真结果表明,逆流进气结构在激发电极对之间形成一个高气压的"准零流速区",即激发电极之间包含高... 详细信息

基于微机电系统(Micro-electro-mechanical system, MEMS)技术设计并制作了带有逆流进气结构的微型氦离子化检测器。稳态流场仿真结果表明,逆流进气结构在激发电极对之间形成一个高气压的"准零流速区",即激发电极之间包含高密度的稳定的氦原子,这有利于激发稳定的氦等离子体,避免了等离子体抖动造成的基线噪声。所制作的微型氦离子化检测器的测试结果表明,在由逆流进气结构所形成的高气压的"准零流速区"内激发并形成了稳定的氦等离子体区,与瞬态等离子体仿真结果一致,并且基线噪声低于6μV。采用商业***-30色谱柱,此检测器成功检测到了体积浓度为0.0001%的甲苯和乙苯,证明其具有较低的检出限。

关键词：氦离子化检测器逆流进气结构微型气相色谱微机电系统

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偏置电压极性对力反馈电容式微加速度计特性的影响分析

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高技术通讯 2004年第12期14卷 67-72页

作者：董林玺车录锋王跃林浙江大学信息学院信电系，杭州311027／／中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室，上海200050

对电容式加速度计，为测量其电容的变化，通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式，正-负和正... 详细信息

对电容式加速度计，为测量其电容的变化，通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式，正-负和正-正的直流电压偏置可以改善器件的测量线性度，基本消除由驱动信号导致的吸合效应，而负-负和负．正的直流电压偏置会使驱动信号引起的吸合效应增大，从而大大缩小了器件的安全工作范围。

关键词：驱动信号馈电偏置电压器件特性电压反馈直流偏置电容式直流电压交流电压极性

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一种微型化制造的双腔结构芯片原子钟^(87)Rb蒸汽腔(英文)

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红外与激光工程 2014年第5期43卷 1463-1468页

作者：李绍良徐静张志强吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

碱金属蒸汽腔是芯片原子钟(CSACs)中重要的核心部件之一,其微型化制造具有重要的实用价值,同时也非常具有挑战性。采用MEMS技术批量化制作了具有双腔结构的芯片原子钟87Rb蒸汽腔阵列。在阳极键合过程中,通过原位化学反应产生纯净的87Rb... 详细信息

碱金属蒸汽腔是芯片原子钟(CSACs)中重要的核心部件之一,其微型化制造具有重要的实用价值,同时也非常具有挑战性。采用MEMS技术批量化制作了具有双腔结构的芯片原子钟87Rb蒸汽腔阵列。在阳极键合过程中,通过原位化学反应产生纯净的87Rb元素蒸汽,缓冲气体(N2)采用反充的方法充入到87Rb蒸汽腔内以保证缓冲气体的压强可以精确的控制。所设计的双腔结构可以防止原位化学反应中产生的杂质阻挡光路,从而能够提高探测到的光信号的强度。通过原子钟桌面系统测试,得到了87Rb元素D1线的光学吸收谱和用于芯片原子钟锁频的误差信号,在90℃时,87Rb元素D1线纠偏信号的线宽(波峰与波谷间距)可达到0.53 kHz。测试结果表明,双腔结构的87Rb蒸汽腔满足芯片原子钟或其他芯片级原子器件的设计要求。

关键词： ^87Rb蒸汽腔芯片原子钟相干布居数囚禁(CPT) 双腔结构 MEMS技术

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FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正

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红外与毫米波学报 2016年第1期35卷 63-67页

作者：张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的... 详细信息

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.

关键词：发射光谱校正发光强度光荧光傅里叶变换

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气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)

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红外与毫米波学报 2007年第1期26卷 1-4,9页

作者：李华李爱珍张永刚齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,... 详细信息

研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,用X射线双晶衍射迴摆曲线测量外延层的组份.测试结果表明,当AlxGa1-xAs中Al组份从0增至0.38时,Si的掺杂浓度从4×1018cm-3降至7.8×1016cm-3,电子迁移率从1900 cm2/Vs降至100 cm2/Vs.这与AlxGa1-xAs材料的Γ-X直接—间接带隙的转换点十分吻合.在AlxGa1-xAs全组份范囲内,自由载流子浓度隨Al组份从0至1呈“V”形变化,在X=0.38处呈最低点.在x>0.4之后,AlxGa1-xAs的电子迁移随Al组分的增加,一直维持较低值且波动幅度很小.

关键词：气态源分子束外延 AlGaAs Si掺杂电学性质组分

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