检索结果-内蒙古大学图书馆

高等学校化学学报 2015年第9期36卷 1687-1693页

作者：黄丽君张丽华毛红菊王萍蒋友旭李盼盼金庆辉赵建龙郑州大学第二附属医院郑州450014 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

运用纳米金复合探针结合蛋白芯片,建立了一种检测心肌损伤标志物的新方法.构建了2种纳米金探针:标记有检测抗体和DNA探针1的检测探针和标记有DNA探针2(与DNA探针1的碱基互补配对)的信号探针.当目的抗原存在时,检测探针经检测抗体和抗原... 详细信息

运用纳米金复合探针结合蛋白芯片,建立了一种检测心肌损伤标志物的新方法.构建了2种纳米金探针:标记有检测抗体和DNA探针1的检测探针和标记有DNA探针2(与DNA探针1的碱基互补配对)的信号探针.当目的抗原存在时,检测探针经检测抗体和抗原,与芯片上捕获抗体结合固定在芯片上,信号探针通过碱基互补配对与检测探针结合使信号放大,最后利用纳米金成核原理染色,通过显微镜观察结果并定量分析.该体系在40 min内可检测多种标志物,其中肌钙蛋白Ⅰ(c TnⅠ)的检出限为10 pg/m L,与临床电化学发光法(ECLIA)灵敏度相当;肌红蛋白(MYO)与新型脂肪酸结合蛋白(HFABP)的检出限分别为640和10 pg/m L,与ECLIA及酶联免疫吸附法(ELISA)相比,灵敏度显著提高.

关键词：纳米金探针蛋白芯片杂交心肌损伤标志物

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带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计

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上海交通大学学报 2017年第6期51卷 657-664页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩李喜苗杰雷宇宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-D... 详细信息

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度变频模式电感电流取样电源转换效率

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SOI材料和器件抗辐射加固技术

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科学通报 2017年第10期62卷 1004-1017页

作者：张正选邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转... 详细信息

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转截面较体硅CMOS技术小了1~2个数量级,抗瞬时剂量率的能力也提高了2个数量级以上.这些固有优势使得SOI技术在军事和空间应用中具有举足轻重的地位.然而,在空间和核爆等电离辐射环境下,辐射将会在BOX层中引入大量的陷阱电荷.这些辐射感生的陷阱电荷会导致SOI器件和电路性能的退化,从而严重阻碍和制约了SOI技术在抗辐射加固中的应用.另一方面,SOI器件的寄生三极管放大效应会削弱SOI技术在抗单粒子辐射和瞬态辐射方面的优势,这使得抗辐射SOI器件与电路的加固设计面临着严峻的挑战.本文介绍了SOI器件中3种主要的电离辐射效应并对比了体硅器件和SOI器件辐射效应的差异.针对寄生双极晶体管导致SOI器件单粒子效应和剂量率效应敏感性增强的问题,提出了相应地减弱寄生双极晶体管效应的加固方法.针对SOI器件抗总剂量效应差的问题,分别从材料工艺和器件结构两个层次介绍了SOI器件的总剂量加固技术.

关键词：绝缘体上硅总剂量效应单粒子效应瞬时剂量率效应辐射加固技术

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SOI材料和器件及其应用的新进展

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核技术 2003年第9期26卷 658-663页

作者：林成鲁张正选刘卫丽中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。

关键词：绝缘层上的硅(SOI) 辐射 SOI产业化

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相变存储器预充电读出方法

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浙江大学学报（工学版） 2018年第3期52卷 531-536,568页

作者：雷宇陈后鹏王倩李喜胡佳俊宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地... 详细信息

分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.

关键词：相变存储器(PCM) 预充电读出电路随机读取时间灵敏放大器(SA)

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FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正

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红外与毫米波学报 2015年第6期34卷 737-743页

作者：张永刚周立顾溢马英杰陈星佑邵秀梅龚海梅方家熊中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对... 详细信息

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.

关键词：响应光谱校正光电探测器量子型傅里叶变换红外

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刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

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光学学报 2007年第3期27卷 494-498页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱... 详细信息

为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1．3倍。另外,由于所采用的感应耦合等离子体功率较小,刻蚀损伤深度几乎不会达到量子阱阱层,然而干法刻蚀过程中Ar离子隧穿到量子阱阱层内部可能形成新的发光中心,从而使量子阱的发光强度得到提高。

关键词：光学材料应变多量子阱干法刻蚀损伤光致发光

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低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

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光学精密工程 2011年第1期19卷 97-102页

作者：刘翔皋华敏李铁周萍王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水... 详细信息

设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水层。由于采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,简化了工艺流程,优化了器件结构;而驱动电极阵列嵌入在氧化硅中,改善了减小介质层厚度时介质层对金属的台阶覆盖性,减少了电极边沿突起引起的边界击穿。另外,采用较薄的高质量介质层和疏水性能好的疏水膜层,大大降低了液滴驱动电压。实验显示,在20 V驱动电压下,该工艺可实现液滴按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最大运动速度达96 mm/s。提出的芯片制作工艺简单,与IC工艺兼容,可应用于生化分析芯片实验室系统。

关键词：微流控芯片液滴静电驱动低工作电压开放式结构

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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1453-1456页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。

关键词： GaN 氢化物气相外延(HVPE) 低温AIN插入层

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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