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作者

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语言

  • 1,123 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所、传感技术国家重点实验室"
1123 条 记 录,以下是941-950 订阅
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新型阴极结构的自呼吸式μPEMFC
新型阴极结构的自呼吸式μPEMFC
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上海市化学化工学会2006年度学术年会
作者: 郑丹 张熙贵 田娟 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 哈尔滨工程大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
“自呼吸式”μPEMFC即不用传统的压缩空气或纯氧,而是利用扩散作用直接从周围的空气中获得氧气作阴极氧化剂的微型质子交换膜燃料电池。在微型化手段上,微电子机械(MEMS)技术由于其加工的微小性、精确的加工分辨率(小于1μm)、高度的... 详细信息
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用于MEMS结构的光刻胶牺牲层接触平坦化技术
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功能材料与器件学报 2006年 第2期12卷 135-138,154页
作者: 邢向龙 焦继伟 Mark Daffron 王跃林 Hyung Choi 中国科学院上海微系统于信息技术研究所传感技术国家重点实验室 Brewer Science Inc.RollaMo.65401USA Samsung Advanced Institute of Technology 416 Maetan-DongYeongtong-GuSuwonKyungki-Do 442-742Korea
实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作。实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺... 详细信息
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氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究
氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究
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中国光学学会2006年学术大会
作者: 于广辉 王笑龙 王新中 林朝通 曹明霞 齐鸣 李爱珍 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所
近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓(GaN)基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直是人...
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基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究
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第八届中国微米/纳米技术学术年会
作者: 赵全斌 焦继伟 杨恒 林梓鑫 李铁 张颖 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室上海200050
我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原... 详细信息
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电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
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Journal of Semiconductors 2006年 第11期27卷 1966-1969页
作者: 武慧珍 茹国平 张永刚 金成国 水野文二 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 复旦大学微电子学系 上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 Ultimate Junction Technologies Inc. 3-1-1YagumonakamachiMoriguchiOsaka 570-8501Japan
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻... 详细信息
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新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟
新型高灵敏度低功耗的磁场传感器设计与模拟
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第八届中国微米/纳米技术学术年会
作者: 刘玉菲 赵本刚 吴亚明 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室 微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室 微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室 微系统技术国家级重点实验室上海200050 浙江大学 杭州310027
本文提出了一种用于微弱磁场检测的新型MOEMS磁场传感器结构,包括MEMS微扭转敏感结构、磁性敏感薄膜和光学检测部分.文中分析了器件的磁敏感原理和光学检出原理,给出了器件的结构参数、模态分析和综合设计考虑,并利用Matlab进行了解析计... 详细信息
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低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜
低能Ar+离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜
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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
作者: 江炳尧 冯涛 任琮欣 柳襄怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当 Ar+离... 详细信息
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真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究
真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究
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第十三届全国催化学术会议
作者: 江炳尧 冯涛 柳襄怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
<正>在微波器件中铂是一种常用的栅极表面镀覆材料,用于抑制栅电子发射。模拟二极管实验表明,镀铂钼栅极的电子发射量显著少于纯钼栅极的电子发射量。在高真空的条件下,将镀铂钼栅极置于BaO气氛中进行900℃的高温处理后,采用XRD分析... 详细信息
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太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟
太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟
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中国光学学会2006年学术大会
作者: 曹俊诚 吕京涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
太赫兹(Terahertz,THz)辐射源是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射产生方式中, 基于半导体的全固态THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点。虽然从... 详细信息
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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
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2006年全国功能材料学术年会
作者: 吴惠桢 曹萌 劳燕锋 刘成 谢正生 曹春芳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一... 详细信息
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