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第十三届全国超导学术研讨会

作者：熊伟应利良张国峰王海王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学上海200031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学上海200031 中国科学院大学北京100049

Nb/Al-AlOx/Nb隧道结是目前应用最广泛的超导约瑟夫森结之一.本文采用SNEAP(Selective Niobium Etch and Anodization Process)工艺流程,利用直流磁控溅射、反应离子刻蚀、阳极氧化、剥离、光刻等微加工工艺成功制备了质量稳定的Nb/Al-A...

Nb/Al-AlOx/Nb隧道结是目前应用最广泛的超导约瑟夫森结之一.本文采用SNEAP(Selective Niobium Etch and Anodization Process)工艺流程,利用直流磁控溅射、反应离子刻蚀、阳极氧化、剥离、光刻等微加工工艺成功制备了质量稳定的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结.通过控制绝缘势垒层的氧化条件实现了临界电流的可调性,临界电流密度(Jc)在几十A/cm2～几kA/cm2区间符合拟合的关系式Jc∝E-0.5,所制备的约瑟夫森结漏电流因数大于30mV.基于以上高质量的约瑟夫森结工艺,我们设计和制备了环路电感为140pH,pickup线圈大小为8.9mm×8.9mm的直流超导量子干涉器件(DC SQUID),结的临界电流密度Jc=50A/cm2,结尺寸为4μm*4μm,结的并联电阻为8.4Ω,最终测得SQUID白噪声小于5fTHz-1/2.

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非接触式IC卡片上天线的优化设计

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微处理机 2005年第1期26卷 40-43页

作者：高丹王元徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从... 详细信息

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从能量供给的角度来优化片上天线的设计。

关键词：片上天线非接触式IC卡 CMOS

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基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器设计制造

基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器设计制造

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：郭联峰王翊戴正飞段国韬蔡伟平王跃林李铁中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院固体物理研究所安徽合肥 230031

文中设计制造了基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度的二悬梁微加热器平台(MHP).利用模板法在MHP上原位制备二氧化锡(SnO2)有序多孔薄膜得到微纳融合气体传感器.在最... 详细信息

文中设计制造了基于二悬梁微加热器平台的微纳融合气体传感器.通过结构优化和工艺参数控制实现了一种低功耗和高机械强度的二悬梁微加热器平台(MHP).利用模板法在MHP上原位制备二氧化锡(SnO2)有序多孔薄膜得到微纳融合气体传感器.在最佳工作温度下(250℃),此微纳融合气体传感器的功耗仅为24mW,响应时间约为2s,对1ppm的乙醇的灵敏度(Rair/Rgas)可达到3.47,有望在安全监控、环境保护等方面得到广泛应用.

关键词：气体传感器制造工艺微型加热器平台二氧化锡薄膜

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基于单晶压电薄膜异质衬底的射频声波滤波器研究进展

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导航与控制 2022年第3期21卷 29-39页

作者：张师斌吴进波张丽萍郑鹏程姚虎林欧欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频... 详细信息

在5G及未来6G无线通信系统中,射频(Radio Frequency,RF)前端技术被视为一项关键技术。而射频滤波器作为射频前端的核心部件,具有频率选择以及抑制干扰信号的功能,基于压电效应的声波滤波器凭借其性能、体积、工艺等优势已成为移动射频前端的主流选择。近几年,随着异质集成材料制备技术的突破,基于单晶压电薄膜异质衬底(如LiTaO_(3)/SiO_(2)/Si)的声表面波、体声波与板波滤波器技术屡有突破。结合当下研究热点,依次对单晶压电薄膜异质衬底的制备、声波器件仿真、声表面波与板波滤波器技术的研究进展进行介绍与分析,并对未来声波滤波器的发展做出展望。

关键词： 5G通信射频前端声波滤波器单晶压电薄膜异质衬底

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基于差分脉冲溶出伏安法检测Zn2+和Cu2+的研究

基于差分脉冲溶出伏安法检测Zn2+和Cu2+的研究

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2016中国环境科学学会学术年会

作者：宿子琪黄善洛张冀申郭慧杨红金妍金庆辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海师范大学生命与环境科学学院上海200234 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京 100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海师范大学生命与环境科学学院上海200234 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海师范大学生命与环境科学学院上海200234 中国科学院大学北京 100049

近年来，水体事件频发,水中重金属痕量检测显得尤为重要.本文基于差分脉冲溶出伏安法,引入Ga掩蔽剂,消除Cu2+对Zn2+的干扰,在Cu2+和Zn2+同时存在的50ppb、100ppb和500ppb的混合溶液中,Zn2+的检测结果分别为41.16ppb、95.15ppb和508.08p... 详细信息

近年来，水体事件频发,水中重金属痕量检测显得尤为重要.本文基于差分脉冲溶出伏安法,引入Ga掩蔽剂,消除Cu2+对Zn2+的干扰,在Cu2+和Zn2+同时存在的50ppb、100ppb和500ppb的混合溶液中,Zn2+的检测结果分别为41.16ppb、95.15ppb和508.08ppb,说明Ga确实对Cu2+有掩蔽效果,从而可以消除同一溶液中Cu2+对Zn2+的干扰,同时进行Zn2+的检测.

关键词：水环境铜离子锌离子差分脉冲溶出伏安法镓掩蔽剂

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用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)

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电子器件 2011年第1期34卷 12-16页

作者：孙浩齐鸣艾立鹍徐安怀滕腾朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率... 详细信息

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。

关键词：镓砷锑湿法腐蚀磷化铟双异质结晶体管

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1.3μm垂直腔面发射激光器的进展

1.3μm垂直腔面发射激光器的进展

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴惠桢雷华平陈意桥齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.

关键词：垂直腔面发射激光器发光特性光荧光谱

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溶解氧的测定

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化学传感器 2011年第4期31卷 39-43页

作者：刘彬张缓缓金庆辉刘咏松浙江理工大学理学院浙江杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

在环境水质监测和医学上,溶解氧都是一个非常重要的指数。因此如何准确快速地测定溶解氧的值,对于指导很多领域的工作都是很有现实意义的。从溶解氧的现行方法出发,重点介绍了以传感器为核心的溶解氧测定方法及其优越性,展望了基于MEMS... 详细信息

在环境水质监测和医学上,溶解氧都是一个非常重要的指数。因此如何准确快速地测定溶解氧的值,对于指导很多领域的工作都是很有现实意义的。从溶解氧的现行方法出发,重点介绍了以传感器为核心的溶解氧测定方法及其优越性,展望了基于MEMS工艺下溶解氧传感器的应用前景。

关键词：溶解氧碘量法光学法电化学法传感器

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高性感荧光传感材料的设计、性能及应用

高性感荧光传感材料的设计、性能及应用

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中国化学会第30届学术年会

作者：贺庆国付艳艳徐炜范天驰姚俊俊高宜逊程建功传感技术联合国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市长宁路865号200050

危险化学品如爆炸物、神经毒剂和毒品等影响国家和社会安全，这些危险品的探测要求灵敏、快速和专一性识别以适应现场检测需要。近年来，荧光传感技术尤其由于其灵敏度高、选择性好、响应快等优点受到广泛关注。

关键词：

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1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：吴惠桢黄占超劳燕锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度.

关键词： GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱垂直腔面发射激光器物理特性

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