检索结果-内蒙古大学图书馆

哈尔滨工业大学学报 2020年第10期52卷 161-166页

作者：乔冰涛吴旭凡刘海静王正董业民信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050 材料与光电研究中心(中国科学院大学) 北京100049

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,... 详细信息

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,该方法能够修正存储单元中出现的一位翻转和两位翻转.首先,对汉明码编码模块进行逻辑优化,有效减少了编码电路的延迟,再把该模块生成的校验码进行双模冗余处理,作为双模冗余汉明码编码模块的输出.之后依据汉明码解码规则分别对每份校验码与原码的组合进行处理,得到修正后的数据位与两位翻转标志位.通过分析发现当两位翻转未同时发生在原码内时,可以依据两位错误标志位的值得到正确的输出.最后,采用版图分割技术消除了两位原码同时翻转的情况,进一步提高了存储器的可靠性.在本文中,分别实现了字长为4、8和11的双模冗余汉明码,并与其它修正码的性能进行比较,结果表明:它们的电路延迟分别为8位字长汉明码的85%、89%和96%,低于两位修正能力的BCH码.

关键词：双模冗余纠错码高可靠存储器两位翻转

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基于超导纳米线单光子探测技术的成像研究进展

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激光与光电子学进展 2021年第10期58卷 62-77页

作者：周慧张成俊吕超林张兴雨李浩尤立星王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息学功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心北京100049

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距... 详细信息

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为一种新型的单光子探测器,相比于传统半导体或超导单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数率、低时间抖动、高计数率和宽谱响应等优势。这使其可以应用于诸多领域,如量子通信、量子光源表征、激光测距、成像雷达等。本文将对SNSPD做一个简单的介绍,并着重介绍SNSPD在成像方面的应用进展,主要包括不同成像原理的介绍以及基于这些原理的SNSPD成像技术的最新研究进展,并对基于SNSPD成像的未来发展趋势进行了展望。

关键词：成像系统雷达单光子探测器超导纳米线单光子探测器

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用于脉搏波检测的背接触式触觉传感阵列单元

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传感技术学报 2020年第4期33卷 492-499页

作者：于婷婷孙珂裴彬彬陈建中钟朋杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

触觉传感器在脉搏波测量、仿生机器人等领域有重要应用。该方案制作背接触式传感器,并通过转移工艺实现芯片加工和圆片级芯片尺寸封装一体化,用组装工艺低成本实现大面积柔性触觉阵列;采用模块化设计,正压力与剪切力传感单元的尺寸和布... 详细信息

触觉传感器在脉搏波测量、仿生机器人等领域有重要应用。该方案制作背接触式传感器,并通过转移工艺实现芯片加工和圆片级芯片尺寸封装一体化,用组装工艺低成本实现大面积柔性触觉阵列;采用模块化设计,正压力与剪切力传感单元的尺寸和布线相同,制作可组装的标准单元;在传感器转移工艺中,采用无电极化学腐蚀自停止工艺,提高成品率。传感单元尺寸仅为300μm×300μm,与人类触觉传感的极限可比拟,灵敏度为2 mV/10 kPa,量程为150 kPa,已用于研制新型脉诊仪的柔性传感阵列,实现了脉搏波的实时测量。

关键词：柔性触觉传感器背接触式转移工艺模块化结构无电极化学腐蚀自停止脉搏波检测

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光纤海洋温盐深传感器研究进展

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激光与光电子学进展 2021年第13期58卷 267-281页

作者：周灵钧于洋孟洲国防科技大学文理学院湖南长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 国防科技大学气象海洋学院湖南长沙410073

针对海洋水文环境参量实际测量需求,重点介绍了现有各型光纤温盐深仪(CTD)传感器的传感机理、研究进展、性能指标、存在的技术瓶颈等问题,并简要介绍海洋环境参量传感阵列研究进展与工程应用情况。综合国内外研究进展来看,光纤光栅型CT... 详细信息

针对海洋水文环境参量实际测量需求,重点介绍了现有各型光纤温盐深仪(CTD)传感器的传感机理、研究进展、性能指标、存在的技术瓶颈等问题,并简要介绍海洋环境参量传感阵列研究进展与工程应用情况。综合国内外研究进展来看,光纤光栅型CTD传感器稳定性和环境适应性较强,已初步满足海洋环境工程监测需求,并且在海洋环境参量传感阵列化研究方面具有重要应用价值;而光纤表面等离子共振(SPR)型CTD和拉锥光纤型CTD灵敏度较高,在海洋环境多参量一体化监测方面具有较大的应用潜力。最后,在简要概述以"海洋物联网"为代表的新一代海洋监测网络发展需求的基础上,对海洋环境参量全光纤传感器发展趋势与技术需求进行展望,以期为从事相关研究的学者提供参考资料与研究思路。

关键词：光纤光学光纤传感器海洋环境监测温盐深传感多参量监测

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基于非接触电导检测的PCR液滴检测芯片的研究

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分析测试学报 2020年第5期39卷 561-568页

作者：廖承悦彭伙高则航齐同周洪波赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学上海201210

数字PCR是继实时定量PCR之后新兴发展起来的一种绝对定量分析技术,广泛应用于疾病早期检测诊断和微生物检测分析等领域。然而,在数字PCR的微反应器检测环节,常规的光学检测方法需要复杂的光学设备,应用环境有限,成本高。因此研究了一种... 详细信息

数字PCR是继实时定量PCR之后新兴发展起来的一种绝对定量分析技术,广泛应用于疾病早期检测诊断和微生物检测分析等领域。然而,在数字PCR的微反应器检测环节,常规的光学检测方法需要复杂的光学设备,应用环境有限,成本高。因此研究了一种基于非接触电导检测的PCR液滴检测芯片,用电导检测取代传统的光学检测,有效降低了数字PCR结果读出系统的成本。通过优化电极结构与排布,采用三电极平行3D电极结构,减小了相对误差,提高了灵敏度,实现了无标记的PCR反应液滴阴性阳性比例检测。在DNA模板浓度为0.5×10^4~3×10^4 copies/μL内实现了良好的相关性(r^2=0.998),检测通量可达100个/秒。

关键词：数字PCR 液滴无标记非接触电导检测

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材料基因组技术在集成电路材料研究中的应用进展

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功能材料与器件学报 2022年第4期28卷 356-370页

作者：孔维悦林紫威李鑫黄琪朱雷中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海集成电路材料研究院上海200050

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通... 详细信息

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通量实验、高通量计算与材料数据库三大要素的主要内容和典型研究范例。重点梳理了材料基因组技术在集成电路领域的研究进展,指出了集成电路材料研发的复杂性和广阔的可优化空间,提出了要结合材料基因组技术加速集成电路材料的创新,促进未来集成电路材料领域的发展。

关键词：材料基因组高通量实验高通量计算材料数据库集成电路材料

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中红外微环谐振器及应用的研究进展

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激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 44-57页

作者：胡玉洁王书晓汪大伟余明斌蔡艳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联... 详细信息

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联微环谐振器在中红外波段的传感和滤波领域的理论研究;并回顾了中红外克尔光学频率梳的产生原理和发展历程,在理论上证明了锗条形波导微环可以在泵浦功率低至80 mW的情况下实现带宽接近一个倍频程的宽谱光频梳,并对研究进展进行了总结和展望.

关键词：集成光学硅基光电子微环谐振器 Vernier效应光学频率梳

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基于SU—8光刻胶的微光学元件制备工艺研究

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传感器与微系统 2022年第11期41卷 22-26页

作者：鹿胜康唐波陈伟郜晚蕾金庆辉宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国计量大学计量测试工程学院浙江杭州310018 宁波水表(集团)股份有限公司浙江宁波315032

面向光学传感器微型化需求,针对传统光学元件体积偏大和不易集成等问题,探索了使用SU—8光刻胶制备聚合物微型透镜等光学元件的全套制备工艺。对工艺中存在的问题进行逐一解决,创新性地使用长时间45℃低温前烘技术解决了厚SU—8结构制... 详细信息

面向光学传感器微型化需求,针对传统光学元件体积偏大和不易集成等问题,探索了使用SU—8光刻胶制备聚合物微型透镜等光学元件的全套制备工艺。对工艺中存在的问题进行逐一解决,创新性地使用长时间45℃低温前烘技术解决了厚SU—8结构制备过程中易脱落和侧壁均匀程度差的问题。并根据光刻胶使用场景的不同,给出了在平面结构上的甩胶和沟槽结构中的喷胶工艺参数及方法,为光学元件微型化提供了解决方案。经过显微镜和台阶仪测试,平面结构上SU—8光刻胶最大制备厚度可达180μm,沟槽结构中使用喷胶工艺制备厚度可达200μm以上,结构厚180μm时,侧壁顶部与底部最大线宽差小于2μm,使用光学平台和激光器对微光学元件进行了简单测试,均符合设计预期。

关键词： SU—8光刻胶微光学元件制备工艺低温前烘聚合物

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利用相变存储器不对称性的写入优化方法

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计算机工程与应用 2021年第14期57卷 75-82页

作者：张格毅陈小刚郭继鹏宋志棠陈邦明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京100049

相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦... 详细信息

相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦写独立的写入方法,RSIW(ResetandSetIndependentlyWrite)。该方法不同于传统的写入方案,将写和擦的操作分离,让慢速的写操作在空闲时进行,使得相变存储器的写入速度获得显著提升。同时,RSIW还能结合磨损均衡的策略,有效地均衡各个块的写入频率。对擦写独立的写入方法和实施细节进行了描述,对比了同类使用相变存储器擦写不对称性进行优化的方案,最后使用gem5仿真器进行了实验,根据实验结果,该方法对比同类的技术能将系统的运行效率提高37.1%~69.1%。

关键词：相变存储器擦写不对称性磨损均衡写入延时

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六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展

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微纳电子技术 2021年第2期58卷 107-113+157页

作者：高渤翔方茹吴天如中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学中国电子科技集团公司第三十二研究所

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、半导体器件热管理平台以及集成电路封装材料中应用的研究进展,并简述了将h-BN应用于隧穿器件和存储阵列的研究成果。最后,对h-BN在新型微电子器件大规模应用的已有成果进行总结,并展望了该领域未来的研究与发展方向。

关键词：二维(2D)材料六方氮化硼(h-BN) 微电子器件介电衬底隧穿器件存储阵列封装材料

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