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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感国家重点实验室"
1138 条 记 录,以下是1031-1040 订阅
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硅基脊型波导器件过渡区损耗及偏振效应
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光学学报 2004年 第2期24卷 203-207页
作者: 唐衍哲 王跃林 吴亚明 浙江大学信息与电子工程学系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试 ,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论 ,计算得到在所使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1dB左右的最小损耗 ,这一损耗... 详细信息
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MEMS器件真空封装模型模拟
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传感技术 2004年 第12期23卷 86-88页
作者: 程迎军 朱锐 许薇 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室 上海200050
结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工... 详细信息
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MEMS悬臂式开关的失效分析
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传感技术学报 2004年 第3期17卷 492-496页
作者: 徐欣 郭方敏 葛羽屏 李成诗 于绍欣 朱荣锦 赖宗声 朱自强 王跃林 陆卫 华东师范大学信息科学和技术学院 上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所 红外物理国家重点实验室上海200083
介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1~ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息
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温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器
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稀有金属 2004年 第3期28卷 574-576页
作者: 张雄 李爱珍 张永刚 郑燕兰 徐刚毅 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了可在温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温... 详细信息
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长波长半导体激光器波导层设计
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稀有金属 2004年 第3期28卷 533-535页
作者: 高少文 曹俊诚 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表... 详细信息
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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 569-571页
作者: 李爱珍 李华 李存才 胡建 唐雄心 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息
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GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
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稀有金属 2004年 第3期28卷 577-578页
作者: 伍滨和 曹俊诚 夏冠群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微... 详细信息
来源: 评论
MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
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稀有金属 2004年 第3期28卷 530-532页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 唐雄心 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
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衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
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稀有金属 2004年 第3期28卷 499-501页
作者: 叶好华 于广辉 雷本亮 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。
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InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
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稀有金属 2004年 第3期28卷 522-525页
作者: 张永刚 刘天东 朱诚 洪婷 胡雨生 朱福英 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%~ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%~ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。
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