检索结果-内蒙古大学图书馆

通信技术 2020年第6期53卷 1336-1340页

作者：李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电... 详细信息

研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8~10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10~20 mA内为0.02 nm/mA。在15~65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。

关键词：分子束外延量子阱 GaSb基电学特性功耗光谱

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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

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功能材料信息 2006年第3期3卷 7-11页

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室浙江杭州310027

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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SOI在高压器件中的应用

SOI在高压器件中的应用

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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SQUID器件标准现状分析与讨论

SQUID器件标准现状分析与讨论

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准...

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需求越来越大。

关键词：

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一种体域网无线心电监护系统的研制与测试

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现代电子技术 2014年第4期37卷 37-41页

作者：张洹千杜晓薇杨坚卞士平韩雪松李擎金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海临床研究中心-生物传感技术临床研究中心上海 200031 中国科学院大学北京100049 上海市徐汇区中心医院上海200031

随着中国老龄化和家庭空巢化的加剧,患有慢性疾病的老人在医院外的健康监护问题变得日益突出。这就需要人们能够设计出有别于传统医疗仪器的新系统,这样的新系统称为体域网系统。论述了体域网无线心电监护系统的设计方案,重点介绍了患... 详细信息

随着中国老龄化和家庭空巢化的加剧,患有慢性疾病的老人在医院外的健康监护问题变得日益突出。这就需要人们能够设计出有别于传统医疗仪器的新系统,这样的新系统称为体域网系统。论述了体域网无线心电监护系统的设计方案,重点介绍了患者系统以及预警系统的构成。患者系统采用便携式心电检测模块来采集患者的心电信号;蓝牙短距无线通信技术用于将实时心电信号传输到智能手机;预警系统能接收患者系统发送的心电信号。最后给出了在医院环境中对系统进行的三项测试结果。

关键词：体域网无线心电监护老龄化智能手机

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AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：伍文涛吕越高波王镇超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学北京 100049

超导转变边沿(TES)探测器是一种极端灵敏的光子探测器，其突出的性能优势是兼具高能量分辨率与单光子检测能力。超导薄膜是TES 器件核心材料，基于磁性掺杂超导薄膜的软X 射线TES 探测器具有设计和制备简单的优点。

关键词：

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不同屏蔽室环境中的基于弱阻尼SQUID梯度计的仿真及优化

不同屏蔽室环境中的基于弱阻尼SQUID梯度计的仿真及优化

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：杨康王佳磊杨瑞虎陈桦王毅孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

梯度计是心磁图仪系统中的核心磁探测模块，我们设计并制造了一种基于弱阻尼SQUID 的、带有外部反馈线圈的一阶轴向梯度计，其典型的磁通噪声可达6 μФ0/√Hz.为了将这种梯度计应用在多通道心磁图仪系统中，需要进一步的对梯度计进行...

梯度计是心磁图仪系统中的核心磁探测模块，我们设计并制造了一种基于弱阻尼SQUID 的、带有外部反馈线圈的一阶轴向梯度计，其典型的磁通噪声可达6 μФ0/√Hz.为了将这种梯度计应用在多通道心磁图仪系统中，需要进一步的对梯度计进行仿真及优化.

关键词：

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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：余涛陈静罗杰馨柴展伍青青吴雪梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12nm、平带电压～30mV和低的漏电流密度.

关键词：金属-氧化物-半导体器件高k栅介质薄膜微结构电学性质

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面向临床研究的多通道心磁图仪优化

面向临床研究的多通道心磁图仪优化

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：陈威李明王毅杨康王佳磊鲁丽孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

目前9 通道心磁系统安装在徐汇区中心医院的简易磁屏蔽室内联合开展临床研究，已经正常运行一年多，在使用过程中，针对临床研究需要做了进一步的性能优化。包括：采用自主三轴磁强计和二阶梯度计(基线5 cm)与进口器件进行性能对比，实...

目前9 通道心磁系统安装在徐汇区中心医院的简易磁屏蔽室内联合开展临床研究，已经正常运行一年多，在使用过程中，针对临床研究需要做了进一步的性能优化。包括：采用自主三轴磁强计和二阶梯度计(基线5 cm)与进口器件进行性能对比，实现自主替代。

关键词：

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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。

关键词：高电子迁移率晶体管磷化铟基材料生长工艺热导率

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