检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2004年第2期24卷 203-207页

作者：唐衍哲王跃林吴亚明浙江大学信息与电子工程学系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试 ,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论 ,计算得到在所使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1dB左右的最小损耗 ,这一损耗... 详细信息

在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试 ,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论 ,计算得到在所使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1dB左右的最小损耗 ,这一损耗是由于脊型波导与平板波导间的模式失配造成的。以文献中的实验数据为出发点 ,分析了脊形波导的偏振问题 ,并通过对脊型波导器件层厚度、脊高、脊宽进行优化设计 ,得到了不同偏振模式的有效折射率差仅为 10 -5量级的单模脊型波导结构 ,这样的偏振效应在器件设计中可以忽略。

关键词：集成光学波导器件偏振效应过渡损耗锥形结构有效折射率偏振模式

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MEMS器件真空封装模型模拟

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传感器技术 2004年第12期23卷 86-88页

作者：程迎军朱锐许薇罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室上海200050

结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工... 详细信息

结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工艺过程的参数化建模与模拟。

关键词：微机电系统真空封装模型模拟

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MEMS悬臂式开关的失效分析

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传感技术学报 2004年第3期17卷 492-496页

作者：徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。

关键词：寿命悬臂接触式开关驱动电压失效 ANSYS

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室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器

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稀有金属 2004年第3期28卷 574-576页

作者：张雄李爱珍张永刚郑燕兰徐刚毅齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温... 详细信息

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法 ,器件有源层采用应变补偿量子阱结构 ,激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温度可达 60℃ ,激射波长2 0 8μm。室温下阈值电流为 3 5 0mA ,2 0～ 5 0℃范围内特征温度为 88K。

关键词：半导体激光器分子束外延

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长波长半导体激光器波导层设计

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稀有金属 2004年第3期28卷 533-535页

作者：高少文曹俊诚封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表... 详细信息

研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表面等离子体激元进行波导设计 ,可以降低波导层厚度和提高光场限制因子 ,从而为长波段 (如太赫兹频段 )激光器提供了一种有效的波导设计方法。

关键词：量子级联激光器波导表面等离子体激元

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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

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稀有金属 2004年第3期28卷 569-571页

作者：李爱珍李华李存才胡建唐雄心齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。

关键词： InGaP 均匀性气态源分子束外延 X射线双晶衍射 InGaP/GaAs

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GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收