检索结果-内蒙古大学图书馆

第十二届全国超导学术研讨会

作者：伍俊荣亮亮常凯侍文王永良孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Joint Research Laboratory on Superconductivity & Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai & FZJ

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Cir...

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Circuit)分别在超导屏蔽和磁屏蔽环境中对多种常见的数据采集模块的量化精度和电磁兼容进行了定性和定量分析.实验结果表明数据采集模块在无屏蔽环境下对SQUID的干扰以辐射为主,其中基于USB和PXI的数据采集设备在100Hz左右的低频段引入的干扰将SQUID本底噪声抬高2～3个数量级,而嵌入式数据采集设备Compact RIO对SQUID的干扰甚微.

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石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：孙秋娟谢晓明李巧高波张学富陈吉吴天如邓联文胡照文王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中南大学物理与电子学院长沙410000

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InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：周书星齐鸣艾立鹍徐安怀王庶民郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响... 详细信息

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是五族元素中最大最重的元素,当被引入三五族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,价带边上升,剪裁能带.在本文中，详细介绍利用V90GSMBE生长掺碳InGaAsBi薄膜的研究。实验证明在InGaAs掺碳中引入稀铋可以提高掺碳效率和固溶度，275℃生长条件下，获得应力匹配的n型InGaAsBi薄膜，其体电子浓度可以达到1x1021cm3，通过传输线模型测试得到其比接触电阻为2.86e-08Ω·cm2。

关键词：半导体薄膜铟镓砷铋晶体生长掺碳效率固溶度欧姆接触特性

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环境磁场的补偿与控制

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现代科学仪器 2008年第5期 114-116页

作者：丰朋胡国四蒋式勤陈亮谢晓明同济大学控制科学与工程系烟台大学光电信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,... 详细信息

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,具有控制速度快、结构简单等特点。实验结果说明,该系统对环境磁场的低频扰动具有较好的补偿作用。

关键词：环境磁场 PI控制模拟电路

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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：范峰鲁玉明刘志勇应利良蔡传兵上海大学超导及应用技术研究中心上海大学上海200444中国信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050中国

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Nb nanoSQUIDs在微介观材料磁性表征中的应用研究

Nb nanoSQUIDs在微介观材料磁性表征中的应用研究

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：武龙陈垒刘晓宇汪浩王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心上海科技大学

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TES用低温多通道薄膜电阻测试系统搭建

TES用低温多通道薄膜电阻测试系统搭建

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：吕越伍文涛赵家琳王梦高波王镇超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学北京 100049

超导转变边沿探测器(TES)是一种高灵敏度的光子探测器,其利用超导薄膜在超导态到正常态转变过程中电阻随温度改变而急剧变化的特性来探测入射光子能量大小.我们使用稀释制冷机、AC370 交流电桥及Arduino 可编程硬件,搭建了一套极低温9 ...

超导转变边沿探测器(TES)是一种高灵敏度的光子探测器,其利用超导薄膜在超导态到正常态转变过程中电阻随温度改变而急剧变化的特性来探测入射光子能量大小.我们使用稀释制冷机、AC370 交流电桥及Arduino 可编程硬件,搭建了一套极低温9 通道薄膜电阻-温度特性测试系统.系统的电阻测量范围为2mΩ 至2MΩ,通道切换时间为5s,单通道内采样率为10Hz.

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化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

化学计量学方法在近红外光谱分析中的应用研究

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中国化学会第30届学术年会-第二十五分会：化学信息学与化学计量学

作者：王丽丽庄新港陈琦吴雪原方家熊山东大学光学高等研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室山东大学信息科学与工程学院国家茶叶及农产品检测重点实验室(黄山)

基于化学计量学方法和新型探测器的快速发展,近红外光谱分析技术被广泛的应用工农业生产、环境保护及安全等领域,为物体成分的快速无损检测提供了基础。本文采用化学计量学算法结合近红外光谱分析实验,深入开展了近红外光谱检测技术的... 详细信息

基于化学计量学方法和新型探测器的快速发展,近红外光谱分析技术被广泛的应用工农业生产、环境保护及安全等领域,为物体成分的快速无损检测提供了基础。本文采用化学计量学算法结合近红外光谱分析实验,深入开展了近红外光谱检测技术的基础研究,建立定性及定量模型来确定检测对象的近红外光谱特征波段,找出以无损方式实时、快速检测的优选方法,从而避免使用复杂的宽光谱感知功能,为发展新型的专用近红外光谱检测设备提供一定的设计基础。对平滑处理、一阶微分和二阶微分等光谱预处理方法进行了系统的比较研究,并采用BP神经网络(BP-ANN)及偏最小二乘(PLS)等算法进行特征变量提取,模型的鉴别准确率达到了98%以上。

关键词：化学计量学近红外光谱

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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈达贾晓云高晓强刘肃张苗兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究... 详细信息

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。结果表明，1)SiGe薄膜中Ge浓度随着HCl流量的增加而增加;2)薄膜生长速率和Ge浓度随着锗烷流量的增大而增大;3)随着温度升高，薄膜生长速率显著提高，Ge浓度减小;4)生长的20％硅锗薄膜内部晶格质量良好，没有产生明显缺陷，并且得到了均匀掺杂的外延薄膜。

关键词：硅锗异质材料半导体薄膜减压化学气相沉积工艺参数

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分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星上海大学理学院物理系与微结构实验室上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所与红外物理国家重点实验室上海200083

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表...

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表观带隙在0.35eV ～ 0.64eV之间变化.经化学腐蚀处理，获得较好空间一致性的带隙测量结果且符合生长参数对带隙的预期.

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