检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2012年第1期31卷 11-14,90页

作者：朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,... 详细信息

在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.

关键词： ICP刻蚀 N-on-P结构线列探测器光电性能

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太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

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物理学报 2009年第10期58卷 7083-7087页

作者：常俊黎华韩英军谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延 X射线衍射

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大电流负载的片上LDO系统设计

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电子学报 2013年第7期41卷 1431-1435页

作者：胡佳俊陈后鹏宋志棠王倩宏潇李喜许伟义中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统... 详细信息

本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度快速响应低压差大电流负载

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InGaP/GaAs双结太阳电池的研制

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太阳能学报 2004年第5期25卷 620-623页

作者：张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%～82%之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。

关键词：光伏串接太阳电池化合物半导体 InGaP/GaAs

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p型量子阱太赫兹振荡器研究

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 241-243页

作者：曹俊诚李爱珍封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

关键词： P型量子阱太赫兹振荡器负有效质量自振荡二极管

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亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器

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物理学报 2009年第3期58卷 1954-1958页

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/A... 详细信息

设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

关键词：垂直腔面发射激光器晶片直接键合应变补偿多量子阱

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基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中的铅和镉

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分析化学 2011年第11期39卷 1748-1752页

作者：刘德盟金妍金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院研究生院

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列... 详细信息

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列电极具有高通量测定、便于微型化、抗干扰性等优点。实验表明,该传感器可同时检测出Pb2+和Cd2+,检出限分别为0.067和0.064 mg/L,且具有很好的重复性。此传感器用于检测橙汁中的Pb2+和Cd2+,结果令人满意。

关键词：铋阵列电极重金属离子铅镉溶出伏安法

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总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响

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物理学报 2013年第7期62卷 311-316页

作者：宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.

关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET

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一种采用嵌套斩波技术的Σ-Δ调制器的设计

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传感技术学报 2013年第6期26卷 845-850页

作者：胡斌徐德辉熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术国家重点实验室上海200050

针对MEMS传感器输出电压小并且频率低的特点,设计了一种低噪声嵌套斩波Σ-Δ调制器。该调制器采用单环积分器级联前馈(CIFF)结构与嵌套斩波技术结合,降低了传感器接口电路的低频噪声,并减小了CMOS电路中斩波开关引入的残余失调电压。仿... 详细信息

针对MEMS传感器输出电压小并且频率低的特点,设计了一种低噪声嵌套斩波Σ-Δ调制器。该调制器采用单环积分器级联前馈(CIFF)结构与嵌套斩波技术结合,降低了传感器接口电路的低频噪声,并减小了CMOS电路中斩波开关引入的残余失调电压。仿真结果表明,提出的嵌套调制器可以有效抑制低频噪声。采用嵌套斩波Σ-Δ调制设计,在100 Hz信号带宽内,调制器最高信噪比达到109 dB,即17.8 bits的有效位数,满足了MEMS传感器低频微弱信号检测的要求。

关键词： MEMS传感器信号处理嵌套斩波 Σ-Δ调制器微弱信号

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新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应

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物理学报 2019年第16期68卷 344-352页

作者：王硕常永伟陈静王本艳何伟伟葛浩中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅... 详细信息

静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.

关键词：静态随机存储器单元总剂量辐射效应绝缘体上硅体接触

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