检索结果-内蒙古大学图书馆

上海第二工业大学学报 2013年第3期30卷 187-196页

作者：邢星王良咏刘卫丽谢华清宋志棠蒋莉邵群程继熊世伟刘洪涛上海第二工业大学城市建设与环境工程学院上海201209 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光... 详细信息

研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程中的作用机制。表征了抛光液在单次抛光及循环抛光前后的pH值、密度、粘度、固质量分数、zeta电位、粒径分布、金属元素浓度、大颗粒数目以及二氧化硅颗粒的形貌变化等。结合抛光前后离心液上清液的金属元素质量分数与沉淀物红外光谱图,发现在抛光过程中蓝宝石与二氧化硅颗粒表面发生固-固相反应,生成硬度较小的硅铝酸盐,促进蓝宝石表面的化学抛光。通过分析重复使用的抛光液对去除速率和表面质量的影响,进一步确认蓝宝石化学机械抛光液中氧化硅与氧化铝的固-固作用机制。

关键词：化学机械抛光（CMP）蓝宝石机制

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SQUID自举电路(SBC)的研究

SQUID自举电路(SBC)的研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：张懿 Andreas Offenh(a)usser 张国峰董慧王永良王会武谢晓明江绵恒 Hans-Joachim Krause Alex.I.Braginski Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Peter Grünberg Institute (PGI-8)Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425German Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

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低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

低温超导量子干涉器件及其在生物磁信号探测中的应用

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第七届中国科学院“百人学者论坛”学术年会

作者：孔祥燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海市长宁区长宁路865号200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai and FZJ Shanghai 200050 China

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号...

生物磁场(如心磁,脑磁,胎儿心磁)信号极其微弱,是地球磁场的百万份之一甚至更低.低温超导量子干涉器件(SQUID: Superconducting Quantum Interference Device)是目前为止已知的最灵敏的磁传感器,磁场灵敏度达几个fT/√Hz,是生物磁信号探测中唯一的选择.除了高灵敏度的磁传感器,环境噪声抑制是生物磁信号提权和探测的关键.国际上大多采用梯度计技术和磁屏蔽技术.另外,还需要结合先进的信号处理算法,提取生物磁探测中的有效参数,为临床应用提供有价值的医学信息.

关键词：

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半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：张楷亮宋志棠钟晻郑鸣捷刘卫丽封松林董尧德汪贵发楼春兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜材料工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海万象硅峰电子股份有限公司 324300浙江

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/小时);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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非晶Si-Sb-Te薄膜的光致晶化特性及其表征

非晶Si-Sb-Te薄膜的光致晶化特性及其表征

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第十九届全国半导体物理学术会议

作者：朱伟玲周东李思勉文婷宋志棠赖天树广东石油化工学院广东茂名525000 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275 石家庄经济学院河北石家庄050031 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275

任一材料的各种相变存储性能不可能同时最优,因此,材料性能的优化和新材料的研发对相变存储技术的发展非常重要.近年来Si-Sb-Te薄膜作为一种新型电致相变材料已被深入研究[1,2].

关键词：

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X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

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2021中国稀土学会学术年会

作者：余毅章辉刘志上海科技大学大科学中心上海市浦东新区华夏中路393号201210 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁区长宁路865号200050

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce3+/Ce4+、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质，在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。

关键词：

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分子束外延生长Bi2Te3薄膜

分子束外延生长Bi2Te3薄膜

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王庶民宋禹忻信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡查尔姆斯理工大学微技术与纳科学系瑞典哥德堡

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通... 详细信息

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通过螺旋生长的方式会形成三角型岛。依据于三角型岛和螺旋的取向，两个相遇的三维岛可能会平滑接合或者互相排斥从而在相遇处产生形如沟壑的结构缺陷。

关键词：化合物半导体热电材料分子束外延生长

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基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

基于超导TES探测器X射线能谱仪的稀土元素L边荧光谱学研究

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2021中国稀土学会学术年会

作者：吴秉骏张硕夏经铠刘志信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海市长宁区长宁路865号上海 200050) 中国科学院大学 (北京市石景山区玉泉路19号(甲)北京 100049 大科学中心大科学中心上海科技大学(上海市浦东新区华夏中路393号上海 201210) 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海市长宁区长宁路865号上海 200050) 大科学中心上海科技大学(上海市浦东新区华夏中路393号上海 201210)

基于超导转变边探测器(TES,Transition-Edge Sensor)的低温X射线能谱仪兼具高能量分辨率、高探测效率、低噪声等特点,可以大幅提升实验室及光源线站的能谱分析能力[1-3]。

关键词：

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心磁图仪及其临床研究

心磁图仪及其临床研究

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第十一届中国科学院“百人学者论坛”学术年会暨第七届江西科学论坛

作者：孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁区长宁路865号200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心(CENSE) 上海市长宁区长宁路865号200050 漫迪医疗仪器(上海)有限公司

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纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储

纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储

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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：吴良才陈坤基宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050

利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵... 详细信息

利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵列双势垒纳米结构SiO2/nc-Si/SiO2。通过测量Raman散射谱证实了晶态的Si量子点的形成;利用C-V研究这种含有nc-Si量子点的双势垒结构中的电荷存储效应并用能带图和F-N(Fowler-Nordheim)隧穿机制分析电荷存储的机理。

关键词：纳米硅双势垒电荷存储等离子体隧穿势垒隧穿机制单晶薄膜

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